淺述MEMS加速度傳感器的原理與構造
發布時間:2018-05-15 責任編輯:wenwei
【導讀】隨著矽微機械加工技術(MEMS)的迅猛發展,各種基於MEMS技術的器件也應運而生,目前已經得到廣泛應用的就有壓力傳感器、加速度傳感器、光開關等等,它們有著體積小、質量輕、成本低、功耗低、可靠性高等特點。
而且因為其加工工藝一定程度上與傳統的集成電路工藝兼容,易於實現數字化、智能化以及批量生產,因而從問世起就引起了廣泛關注,並且在汽車、醫藥、導航和控製、生化分析、工gong業ye檢jian測ce等deng方fang麵mian得de到dao了le較jiao為wei迅xun速su的de應ying用yong。其qi中zhong加jia速su度du傳chuan感gan器qi就jiu是shi廣guang泛fan應ying用yong的de例li子zi之zhi一yi。加jia速su度du傳chuan感gan器qi的de原yuan理li隨sui其qi應ying用yong而er不bu同tong,有you壓ya阻zu式shi,電dian容rong式shi,壓ya電dian式shi,諧xie振zhen式shi等deng。

本文通過不同加速度傳感器的原理、製作工藝及應用展開,能夠使之更加全麵了解加速度傳感器。
壓阻式加速度傳感器
MEMS壓阻式加速度傳感器的敏感元件由彈性梁、質量塊、固定框組成。壓阻式加速度傳感器實質上是一個力傳感器,他是利用用測量固定質量塊在受到加速度作用時產生的力F來測得加速度a的。在目前研究尺度內,可以認為其基本原理仍遵從牛頓第二定律。也就是說當有加速度a作用於傳感器時,傳感器的慣性質量塊便會產生一個慣性力:F=ma,此慣性力F作用於傳感器的彈性梁上,便會產生一個正比於F的應變。,此時彈性梁上的壓敏電阻也會隨之產生一個變化量△R,由壓敏電阻組成的惠斯通電橋輸出一個與△R成正比的電壓信號V。

壓阻式加速度傳感器的原理
本係統的信號檢測電路采用壓阻全橋來作為信號檢測電路。
電橋采用恒壓源供電,橋壓為。設、為正應變電阻,、為負應變電阻,則電橋的輸出表達式為:

我們在電阻布局設計、製造工藝都保證壓敏電阻的一致性,因此可以認為有的壓敏電阻和壓敏電阻的變化量都是相等的,即:
則電橋輸出的表達式變為:
敏感原理
采(cai)用(yong)的(de)是(shi)壓(ya)阻(zu)式(shi)信(xin)號(hao)檢(jian)測(ce)原(yuan)理(li),其(qi)核(he)心(xin)是(shi)半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)的(de)壓(ya)阻(zu)效(xiao)應(ying)。壓(ya)阻(zu)效(xiao)應(ying)是(shi)指(zhi)當(dang)材(cai)料(liao)受(shou)到(dao)外(wai)加(jia)機(ji)械(xie)應(ying)力(li)時(shi),材(cai)料(liao)的(de)體(ti)電(dian)阻(zu)率(lv)發(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)的(de)材(cai)料(liao)性(xing)能(neng)。晶(jing)體(ti)結(jie)構(gou)的(de)形(xing)變(bian)破(po)壞(huai)了(le)能(neng)帶(dai)結(jie)構(gou),從(cong)而(er)改(gai)變(bian)了(le)電(dian)子(zi)遷(qian)移(yi)率(lv)和(he)載(zai)流(liu)子(zi)密(mi)度(du),使(shi)材(cai)料(liao)的(de)電(dian)阻(zu)率(lv)或(huo)電(dian)導(dao)發(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)。一(yi)根(gen)金(jin)屬(shu)電(dian)阻(zu)絲(si),在(zai)其(qi)未(wei)受(shou)力(li)時(shi),原(yuan)始(shi)電(dian)阻(zu)值(zhi)為(wei):
式中,電阻絲的電阻率;電阻絲的長度;電阻絲的截麵積。
當電阻絲受到拉力作用時,將伸長,橫截麵積相應減少,電阻率則因晶格發生變形等因素的影響而改變,故引起電阻值變化。對全微分,並用相對變化量來表示,則有

壓阻係數
最常用的半導體電阻材料有矽和鍺,摻入雜質可形成P型或N型半導體。其壓阻效應是因在外力作用下,原子點陣排列發生變化,導致載流子遷移率及濃度發生變化而形成的。由於半導體(如單晶矽)是各向異性材料,因此它的壓阻效應不僅與摻雜濃度、溫度和材料類型有關,還與晶向有關。
壓阻效應的強弱可以用壓阻係數來表征。壓阻係數π被bei定ding義yi為wei單dan位wei應ying力li作zuo用yong下xia電dian阻zu率lv的de相xiang對dui變bian化hua。壓ya阻zu效xiao應ying有you各ge向xiang異yi性xing特te征zheng,沿yan不bu同tong的de方fang向xiang施shi加jia應ying力li和he沿yan不bu同tong方fang向xiang通tong過guo電dian流liu,其qi電dian阻zu率lv變bian化hua會hui不bu相xiang同tong。晶jing軸zhou坐zuo標biao係xi壓ya阻zu係xi數shu的de矩ju陣zhen可ke寫xie成cheng


MEMS壓阻式加速度傳感器製造工藝
為加工出圖示的加速度傳感器,主要采用下列加工手段來實現。采用注入、推進、氧化的創新工藝來製作壓敏電阻;采用KHO各向異性深腐蝕來形成質量塊;並使用AES來釋放梁和質量塊;最後利用鍵合工藝來得到所需的“三明治”結構。

(使用的是400μm厚、N型(100)晶向、電阻率p=2-4Ω的雙麵拋光矽片。)
結構部分工藝步驟:

矽帽部分工藝步驟:



鍵合、劃片工藝步驟

電容式加速度傳感器
電容式加速度傳感器,在工業領域有著廣泛的應用,例如發動機,數控車床等等。它具有電路結構簡單,頻率範圍寬約為0~450Hz,線性度小於1%,lingmindugao,shuchuwending,wendupiaoyixiao,celiangwuchaxiao,wentaixiangying,shuchuzukangdi,shuchudianliangyuzhendongjiasududeguanxishijiandanfangbianyiyujisuandengyoudian,juyoujiaogaodeshijiyingyongjiazhi。
電容式加速度傳感器原理
電容式加速度傳感器是基於電容原理的極距變化型的電容傳感器,其中一個電極是固定的,另一變化電極是彈性膜片。彈性膜片在外力(氣壓、液壓等)作用下發生位移,使電容量發生變化。這種傳感器可以測量氣流(或液流)的振動速度(或加速度),還可以進一步測出壓力。
電容器加速度傳感器力學模型
電容式加速度傳感器從力學角度可以看成是一個質量—彈簧—阻尼係統,加速度通過質量塊形成慣性力作用於係統,如圖一所示。



電容式加速度傳感器數學模型




電容式加速度傳感器的構造
當前大多數的電容式加速度傳感器都是由三部分矽晶體圓片構成的,中層是由雙層的SOI矽片製成的活動電容極板。如圖所示, 中(zhong)間(jian)的(de)活(huo)動(dong)電(dian)容(rong)極(ji)板(ban)是(shi)由(you)八(ba)個(ge)彎(wan)曲(qu)彈(dan)性(xing)連(lian)接(jie)梁(liang)所(suo)支(zhi)撐(cheng),夾(jia)在(zai)上(shang)下(xia)層(ceng)兩(liang)塊(kuai)固(gu)定(ding)的(de)電(dian)容(rong)極(ji)板(ban)之(zhi)間(jian)。提(ti)高(gao)精(jing)度(du)很(hen)重(zhong)要(yao)的(de)一(yi)項(xiang)措(cuo)施(shi)就(jiu)是(shi)采(cai)用(yong)差(cha)動(dong)測(ce)量(liang)方(fang)式(shi),極(ji)大(da)地(di)提(ti)高(gao)了(le)信(xin)噪(zao)比(bi)。因(yin)此(ci),電(dian)容(rong)式(shi)MEMS加速度傳感器幾乎全部采用差動結構。


材料的選擇
MEMS加jia速su度du計ji用yong到dao的de材cai料liao比bi較jiao多duo,不bu同tong的de部bu分fen很hen有you可ke能neng采cai用yong不bu同tong的de材cai料liao。例li如ru用yong於yu做zuo襯chen底di的de襯chen底di材cai料liao,用yong於yu做zuo掩yan膜mo的de掩yan膜mo材cai料liao,用yong於yu表biao麵mian微wei加jia工gong的de犧xi牲sheng層ceng材cai料liao等deng等deng。微wei加jia速su度du計ji常chang用yong的de材cai料liao有you單dan晶jing矽gui、二氧化矽、碳化矽、氮化矽、多duo晶jing矽gui等deng等deng,具ju體ti哪na種zhong材cai料liao用yong於yu哪na一yi部bu分fen不bu是shi固gu定ding的de,需xu要yao在zai設she計ji過guo程cheng中zhong根gen據ju其qi物wu理li化hua學xue性xing質zhi以yi及ji在zai加jia速su度du計ji中zhong的de作zuo用yong加jia以yi綜zong合he考kao慮lv。因yin為wei該gai傳chuan感gan器qi動dong態tai要yao求qiu比bi較jiao高gao ,因此在進行完結構設計,得到結構的尺 寸以後,進行有限元分析是必不可少的。
運用有限元分析軟件ANSYS對加速度計模型進行分析,可以得到下麵的結果 :
(1)進行靜力分析,可以發現承受應力最大的部位。
(2)進行模態分析,可以得到結構的固有頻率和各固有頻率下的振型。
(3)進行瞬態動力學分析,可以得到結構對外界激勵的響應。
通過以上有限元分析的結果,可以進一步改進設計,使所設計的加速度計具有更好的性能 。
工藝的選擇
電容式MEMS加速度計的工藝一般采用的有:表麵工藝、體矽工藝、LIGA工藝及 SOI+DRIE工藝等。如表 3對這幾種工藝進行了對比。
表(biao)麵(mian)工(gong)藝(yi)是(shi)在(zai)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)平(ping)麵(mian)工(gong)藝(yi)基(ji)礎(chu)上(shang)發(fa)展(zhan)起(qi)來(lai)的(de)一(yi)種(zhong)微(wei)工(gong)藝(yi),隻(zhi)進(jin)行(xing)單(dan)麵(mian)光(guang)刻(ke)。它(ta)利(li)用(yong)矽(gui)平(ping)麵(mian)上(shang)不(bu)同(tong)材(cai)料(liao)的(de)順(shun)序(xu)澱(dian)積(ji)和(he)選(xuan)擇(ze)腐(fu)蝕(shi)來(lai)形(xing)成(cheng)各(ge)種(zhong)微(wei)結(jie)構(gou)。主(zhu)要(yao)包(bao)括(kuo)犧(xi)牲(sheng)層(ceng)澱(dian)積(ji)、犧牲層刻蝕、結構層澱積、結構層刻蝕、犧牲層去除(釋放結構)等。最後使結構材料懸空於基片之上,形成各種形狀的二維或三維結構。
體(ti)矽(gui)工(gong)藝(yi)是(shi)指(zhi)沿(yan)著(zhe)矽(gui)襯(chen)底(di)的(de)厚(hou)度(du)方(fang)向(xiang)對(dui)矽(gui)襯(chen)底(di)進(jin)行(xing)刻(ke)蝕(shi)的(de)工(gong)藝(yi),包(bao)括(kuo)濕(shi)法(fa)刻(ke)蝕(shi)和(he)幹(gan)法(fa)刻(ke)蝕(shi),是(shi)實(shi)現(xian)三(san)維(wei)結(jie)構(gou)的(de)重(zhong)要(yao)方(fang)法(fa)。為(wei)了(le)形(xing)成(cheng)完(wan)整(zheng)的(de)微(wei)結(jie)構(gou),往(wang)往(wang)在(zai)加(jia)工(gong)的(de)基(ji)礎(chu)上(shang)用(yong)到(dao)鍵(jian)合(he)或(huo)粘(zhan)接(jie)技(ji)術(shu),將(jiang)矽(gui)的(de)鍵(jian)合(he)技(ji)術(shu)和(he)體(ti)矽(gui)加(jia)工(gong)方(fang)法(fa)結(jie)合(he)起(qi)來(lai)。矽(gui)的(de)微(wei)結(jie)構(gou)經(jing)過(guo)多(duo)次(ci)掩(yan)膜(mo)、danmianhuoshuangmianguangkeyijigexiangyixingkeshidenggongyiercheng,ranhoujiangyouguanbufenjingmiduizhunjianhechengyizhengti。tiguijiagonggongyiguochengbiguibiaomianjiagongfuza,tijida,chengbengao。
SO1+DRIE工藝是體矽工藝的一種延伸與發展。利用絕緣體上矽(SOI)製造單晶矽三維微 結構是最近幾年發展異常迅速的方法。利用SOI製造微結構的方法幾乎都是利用DINE(深反應離子刻蝕)對單晶矽進行深刻蝕。根據結構的不同、性能要求等可采用正麵結構釋放和背麵結構釋放。
光波導加速度計
光波導加速度計的原理如下圖所示:光源從波導1進入,經過分束部分後分成兩部分分別通入波導4和波導2,進入波導4的一束直接被探測器2探測,而進入波導2的一束會經過一段微小的間隙後進入波導3,最終被探測器1探測到。有加速度時,質量塊會使得波導2彎曲,進而導至其與波導3的正對麵積減小,使探測器1探測到的光減弱。通過比較兩個探測器檢測到的信號即可求得加速度。

微諧振式加速度計
諧振式加速度計,Silicon Oscillating Accelerometer,簡稱SOA。
一yi根gen琴qin弦xian繃beng緊jin程cheng度du不bu同tong時shi彈dan奏zou出chu的de聲sheng音yin頻pin率lv也ye不bu同tong,諧xie振zhen式shi加jia速su度du計ji的de原yuan理li與yu此ci相xiang同tong。振zhen梁liang一yi端duan固gu定ding,另ling一yi端duan鏈lian接jie一yi質zhi量liang塊kuai,當dang振zhen梁liang軸zhou線xian方fang向xiang有you加jia速su度du時shi梁liang會hui受shou到dao軸zhou線xian方fang向xiang的de力li,梁liang中zhong張zhang力li變bian化hua,其qi固gu有you頻pin率lv也ye相xiang應ying發fa生sheng變bian化hua。若ruo對dui梁liang施shi加jia一yi確que定ding的de激ji振zhen,檢jian測ce其qi響xiang應ying就jiu可ke測ce出chu其qi固gu有you頻pin率lv,進jin而er測ce出chu加jia速su度du。激ji振zhen的de施shi加jia和he響xiang應ying的de檢jian測ce通tong常chang都dou是shi通tong過guo梳shu齒chi機ji構gou實shi現xian的de。
SOA的特點在於,它是通過改變二階係統本身的特性來反映加速度的變化的,這區別與電容式、壓電式和光波導式的加速度計。
SOA常見的結構有S結構和雙端固定音叉(Double-ended Tuning Fork,DETF)兩種。S結構原理圖如下圖所示,DEFT式就是在質量塊的另一半加上和左邊對稱的一套機構。DEFT是目前SOA的主流結構。

熱對流加速度計
reduiliujiasududeyuanliyuqitajiasudujiyougenbenshangdequbie,qitajiasudujideyuanlidoushijianlizaiyigeerjiexitongdejichuzhishang,erreduiliujiasudujicaiyongdeshiwanquanbutongdeyuanli。
一yi個ge被bei放fang置zhi在zai芯xin片pian中zhong央yang的de熱re源yuan在zai一yi個ge空kong腔qiang中zhong產chan生sheng一yi個ge懸xuan浮fu的de熱re氣qi團tuan,同tong時shi由you鋁lv和he多duo晶jing矽gui組zu成cheng的de熱re電dian偶ou組zu被bei等deng距ju離li對dui稱cheng地di放fang置zhi在zai熱re源yuan的de四si個ge方fang向xiang。在zai未wei受shou到dao加jia速su度du或huo水shui平ping放fang置zhi時shi,溫wen度du的de下xia降jiang陡dou度du是shi以yi熱re源yuan為wei中zhong心xin完wan全quan對dui稱cheng的de。此ci時shi所suo有you四si個ge熱re電dian偶ou組zu因yin感gan應ying溫wen度du而er產chan生sheng的de電dian壓ya是shi相xiang同tong的de(見下圖)。由you於yu自zi由you對dui流liu熱re場chang的de傳chuan遞di性xing,任ren何he方fang向xiang的de加jia速su度du都dou會hui擾rao亂luan熱re場chang的de輪lun廓kuo,從cong而er導dao致zhi其qi不bu對dui稱cheng。此ci時shi四si個ge熱re電dian偶ou組zu的de輸shu出chu電dian壓ya會hui出chu現xian差cha異yi,而er熱re電dian偶ou組zu輸shu出chu電dian壓ya的de差cha異yi是shi直zhi接jie與yu所suo感gan應ying的de加jia速su度du成cheng比bi例li的de。在zai加jia速su度du傳chuan感gan器qi內nei部bu有you兩liang條tiao完wan全quan相xiang同tong的de加jia速su度du信xin號hao傳chuan輸shu路lu徑jing:一條是用於測量X軸上所感應的加速度,另一條則用於測量Y軸上所感應的加速度。

youyureduiliujiasudujizhongmeiyoukeyundongdezhiliangkuai,suoyiqizhizaogongyixiangduijiandan,yebijiaorongyijiagong,erqieqikangchongjixingnengfeichanghao,kekangwuwanbeizhonglijiasududejiasudu。danhuanjingwenduduireduiliujiasudujideyingxiangjiaoda,erwendubianhuahuidaozhilingdianpiaoyi;同時熱對流加速度計的頻響範圍低,通常是小於35Hz。
壓電式加速度計
yadianshijiasudujideshuxuehewulimoxingyuyazushihedianrongshidejiasudujileisi,doushitongguoceliangerjiexitongzhongzhiliangkuaideweiyilaijianjieceliangjiasudu,sanzhedechabiejiushizaiyuceliangzhegezhiliangkuaiweiyidefangfa。
壓(ya)電(dian)式(shi)加(jia)速(su)度(du)計(ji)利(li)用(yong)了(le)壓(ya)電(dian)效(xiao)應(ying),或(huo)者(zhe)更(geng)確(que)切(qie)地(di)說(shuo),是(shi)利(li)用(yong)了(le)正(zheng)壓(ya)電(dian)效(xiao)應(ying),即(ji)某(mou)些(xie)電(dian)介(jie)質(zhi)在(zai)沿(yan)一(yi)定(ding)方(fang)向(xiang)上(shang)受(shou)到(dao)外(wai)力(li)的(de)作(zuo)用(yong)而(er)變(bian)形(xing)時(shi)其(qi)內(nei)部(bu)產(chan)生(sheng)極(ji)化(hua)現(xian)象(xiang),同(tong)時(shi)在(zai)它(ta)的(de)兩(liang)個(ge)相(xiang)對(dui)表(biao)麵(mian)上(shang)出(chu)現(xian)正(zheng)負(fu)相(xiang)反(fan)的(de)電(dian)荷(he)。通(tong)過(guo)測(ce)量(liang)壓(ya)電(dian)材(cai)料(liao)兩(liang)級(ji)的(de)電(dian)勢(shi)差(cha)即(ji)可(ke)求(qiu)得(de)其(qi)形(xing)變(bian)壓(ya)電(dian)原(yuan)理(li)在(zai)宏(hong)觀(guan)尺(chi)度(du)的(de)加(jia)速(su)度(du)計(ji)中(zhong)應(ying)用(yong)頗(po)為(wei)廣(guang)泛(fan),這(zhe)類(lei)加(jia)速(su)度(du)計(ji)的(de)構(gou)造(zao)多(duo)為(wei)基(ji)座(zuo)和(he)質(zhi)量(liang)塊(kuai)之(zhi)間(jian)夾(jia)一(yi)壓(ya)阻(zu)材(cai)料(liao)(如下圖)。

而MEMS壓電式加速度計采用的結構與壓阻式微加速度計類似(如下圖),都是懸臂梁末端加質量塊的震動係統,二者差別在於鍍在梁上的材料不同,壓電式加速度計自然隻要鍍上壓電材料,而非壓阻材料。

本文轉載自傳感器技術。
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