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65W 以內電源適配器設計經驗

發布時間：2019-01-11 來源：tingting2013 責任編輯：wenwei

【導讀】接觸電子業10年，經曆過5-6級，無 Y 有 Y，EMI 整改、認證、係列、專案等……以下為我在設計 65W 以內的電源適配器時的整改小經驗。

能效整改

1. VF 值，肖特基

▪ 低 VF 值的要比普通的要高0.5-3個百分比；

▪ 品牌、VF 值不一樣，有差別；

▪ 選型，能用40V 的就不要用45V 或者60V 的，電壓經測試可以得出。

2. 加速度肖特基的導通

電源適配器基本上都在次級加入了 RCD 電路，如圖，可將 R2 更改為 D3（D3為4148），此處更改可增加老化後0.5%的效率，但是 R1 的位置要按測試 EMI 測試出來的數據相對應的調整。

65W 以內電源適配器設計經驗

3. 初級 RCD

可將吸收的 D 更改為阻尼二極管。

此處更改有以下優勢：

① MOS 管的峰值會下降。600V 左右的峰值會下降到520V 左右。實測為準。

② 能效，老化5分鍾後，增加0.5%的效率。

③ 注意事項，此時吸收隻的 R，取值5M-10M 左右為最佳。

④ 注意 MOS 串在 RCD 上的電阻，太小會影響 EMI，大了也不適合。以測試為準。

4. 變壓器

此處各位搞工程的都懂，無非就是設計時的計算與繞線方式。

本人經驗

▪ 定頻 65KHZ 的 IC 在45-50KHz 時（滿載）最佳。

▪ 注意10%--25%負載時有沒有異音。

5. 電解電容 ESR

低 ESR 的效率要高過普通的，包括現在用的高分子電容。可以提高壽命與能效，是針對低壓大電流的不二選擇。

6. 待機

高壓起動的 IC，節省了起動電阻的損耗。非高壓起動的 IC 可加大起動電阻來減少待機功率，但是會影響起動時間，可以按一定條件更改 VCC 起動電容，或者增加二級起動電路等，包括更改假負載電阻等，當然太小了會出現空載不穩定的現象等。

本文轉載自 21Dianyuan

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