寬帶隙器件

 

與傳統矽技術相比
，寬帶隙半導體製程技術［例如碳化矽（SiC）］的開關速度更高，因而能夠使用更小的電感器和電容器
，從而降低物料成本，縮小所需的電路板空間（圖2）。碳化矽MOSFET的RDS(ON)較低，因而開關損耗也較低，通常比矽MOSFET低100倍。總體而言，由於碳化矽器件的導電帶隙較寬，其擊穿電壓也較高，通常可達矽器件介電強度的10倍。碳化矽還能在更高的溫度下維持導電性
，從而使設備能夠運行在更高溫的環境中。總之，將碳化矽二極管和MOSFET用於三級充電樁可以帶來諸多優勢
，讓充電樁結構更緊湊、效率和性能更高。它不僅能夠讓充電樁的電路更加輕量化
，更有可能降低組件的成本。

 

圖2：比較碳化矽器件和傳統矽器件的材料特性和應用優勢（來源：安森美半導體）

 

安森美半導體碳化矽產品組合

 

安森美半導體是一家具備先進技術的碳化矽器件供應商，可提供適用於三級充電樁的碳化矽寬帶隙二極管和MOSFET
，其中二極管產品係列包含適用於650V和1200V電壓的產品，並且提供多種封裝形式，包括Decawatt封裝（DPAK）

、TO-220、直接敷銅（DBC）和基板安裝模塊。以FFSH50120A為例，這是一款采用TO-247-2封裝製造的50A
、1200V反向電壓肖特基碳化矽二極管，耗散功率達到730W，能夠在溫度高達+175°C的環境下工作。

 

其碳化矽MOSFET係列包括通過1200V車用級AEC-Q101認證的N溝道NVHL080N120SC1通孔安裝器件
，該器件可以連續提供高達44A的電流，最大RDS(ON)為110mΩ。

 

基於碳化矽的寬帶隙二極管和MOSFET具有諸多優異的特性，非常適合用於三級充電樁。其高速開關能力、緊湊的尺寸和穩健的屬性使之成為設計大功率、節能和緊湊型充電樁的理想選擇。

 

本文轉載自貿澤電子。