節能的要求越來越高，這就需要越來越低的電流，這是一個日益嚴峻的測量挑戰，如測試智能手機或平板電腦的大型LCD麵板。高電容測試連接可能會出現問題的應用
，還包括：探卡上的納米FET I-V測量，使用長電纜的MOSFET的傳輸特性，開關矩陣的FET測試以及電容泄漏測量。

 

支持1000倍以上的電容

 

與其他靈敏SMU相比，新的吉時利4201中功率SMU和4211高功率SMU（帶有可選的4200-PA前置放大器）提升了最大負載電容。在最低支持電流範圍內
，4201-SMU和4211-SMU可以提供和測量的係統電容是目前SMU容量的1000倍。例如
，如果電流在1至100 pA之間，則新的吉時利模塊可以處理高達1 µF（微法拉）的負載。相比之下，在不降低測量精度的情況下，同類產品的最大負載電容在該電流水平上的承受能力僅為1,000 pF。

 

對(dui)於(yu)麵(mian)臨(lin)這(zhe)些(xie)問(wen)題(ti)的(de)客(ke)戶(hu)，新(xin)模(mo)塊(kuai)是(shi)很(hen)寶(bao)貴(gui)的(de)補(bu)充(chong)
，不(bu)僅(jin)節(jie)省(sheng)排(pai)除(chu)故(gu)障(zhang)的(de)時(shi)間(jian)，還(hai)可(ke)以(yi)節(jie)省(sheng)開(kai)支(zhi)。當(dang)測(ce)試(shi)工(gong)程(cheng)師(shi)或(huo)研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)發(fa)現(xian)測(ce)量(liang)錯(cuo)誤(wu)時(shi)
，他(ta)們(men)首(shou)先(xian)需(xu)要(yao)追(zhui)蹤(zong)其(qi)來(lai)源(yuan)。這(zhe)本(ben)身(shen)可(ke)能(neng)需(xu)要(yao)花(hua)費(fei)大(da)量(liang)時(shi)間(jian)，並(bing)且(qie)他(ta)們(men)還(hai)需(xu)要(yao)先(xian)探(tan)索(suo)許(xu)多(duo)可(ke)能(neng)的(de)原(yuan)因(yin)

，然(ran)後(hou)才(cai)能(neng)縮(suo)小(xiao)範(fan)圍(wei)。一(yi)旦(dan)發(fa)現(xian)原(yuan)因(yin)是(shi)係(xi)統(tong)電(dian)容(rong)，就(jiu)必(bi)須(xu)調(tiao)整(zheng)測(ce)試(shi)參(can)數(shu)，電(dian)纜(lan)長(chang)度(du)

，甚(shen)至(zhi)重(zhong)新(xin)安(an)排(pai)測(ce)試(shi)設(she)置(zhi)。這(zhe)不(bu)是(shi)理(li)想(xiang)選(xuan)擇(ze)。

 

實際中，新的SMU模塊是如何工作的呢
？讓我們來看一下平板顯示器測試過程中和納米FET研究中的幾個關鍵應用。

 

示例1：平板顯示器上的OLED像素驅動器電路

 

OLED像素驅動器電路印刷在平板顯示器上的OLED器件旁邊。通常
，它們的直流特性是通過將SMU開關矩陣連接起來
，然後使用12-16m長的三軸電纜連接到LCD探針台上來測量的。由於需要連接很長的電纜。因此，測試中經常出現不穩定的低電流。這種不穩定性在OLED驅動電路的飽和曲線(橙色曲線)和線性曲線(藍色曲線)中很明顯，當使用傳統SMU連接DUT進行測量時，結果如下圖所示。

 

使用傳統SMU測量的OLED的飽和度和線性I-V曲線。

 

但是
，當在DUT的漏極端子上使用4211-SMU重複進行這些I-V測量時，I-V曲線將保持穩定
，如下所示。問題解決了。

 

使用新型4211-SMU測量的OLED的飽和度和線性I-V曲線。

 

示例2：具有公共柵極和探卡電容的納米FET

 

納米FET和2D FET測試時器件的一個端子通過探針台的卡盤與SMUlianjie。kapandedianrongkenenggaodajigenamiji，zaimouxieqingkuangxia，youbiyaoshiyongkapandingbudedaodiandianyuzhajijiechu。tongshi
，tongzhoudianlanyehuizengjiaewaidedianrong。

 

為了評估新的SMU模塊，將兩個傳統的SMU連接到2D FET的柵極和漏極
，從而產生下麵的嘈雜的Id-Vg磁滯曲線。

 

使用傳統SMU測量的2D FET的噪聲Id-Vg磁滯曲線。

 

但是
，當兩個4211-SMU連接到同一設備的柵極和漏極時，產生的磁滯曲線平滑且穩定，如下所示，這解決了研究人員可能需要克服的主要障礙。

 

用兩個4211-SMU測量的平滑且穩定的Id-Vg磁滯曲線。

 

訂購4201-SMU和4211-SMU並預先配置4200A-SCS
，yipeizhiquancanshufenxijiejuefanganhuoduixianyoushebeijinxingxianchangshengji。wuxujiangshebeifasongdaofuwuzhongxinjikeqingsongdizaixianchangwanchengshengji

，congerkeyijieshengshuzhoudetingjishijian。

 

 

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