東微半導體的GreenMOS係xi列lie產chan品pin是shi國guo內nei最zui早zao量liang產chan並bing進jin入ru工gong業ye級ji應ying用yong的de高gao壓ya超chao級ji結jie產chan品pin係xi列lie
，在zai國guo產chan品pin牌pai中zhong占zhan有you領ling先xian地di位wei
，廣guang泛fan應ying用yong於yu充chong電dian樁zhuang模mo塊kuai，通tong訊xun電dian源yuan等deng大da功gong率lv應ying用yong領ling域yu。

 

為了滿足高密度快充的需求，東微半導體於近期推出了全新的超級矽MOSFET（Super-Silicon）係列產品，該係列采用成熟的矽基材料及工藝，可以確保在雷擊
、高溫等極限工況下的長期可靠性以及穩定性。

 

同時，超級矽係列將GreenMOS的開關性能推向極致
，可達到1MHz以上的開關頻率，完全可以替代氮化镓器件在高壓側的應用。

 

圖1
、GreenMOS係列與超級結MOS開關速度對比

 

在係統應用中的效率方麵，以65W PD為例
，超級矽係列在軟開關有源鉗位（ACF）拓撲中體現出優異的效率：

 

圖2、ACF拓撲

 

該方案中用到的OSS65R340JF, 屬於超級矽係列
，其效率基本與選用了氮化镓(GaN)的方案一致，完全可以滿足高能效要求。尤其在更高頻率400KHz條件下效率依然與GaN保持一致，體現了此係列產品極低的驅動損耗和開關損耗的特性，以下為效率對比圖：

 

圖3、超級矽與GaN效率對比

 

在功率密度方麵，同樣用65W的PD為例，基於東微超級矽係列的MOS做的Demo方案, 最大功率密度可達1.38W/cm?，直接對標氮化镓方案：

 

圖4、超級矽與GaN體積對比

 

在產品成本方麵，由於超級矽係列采用成熟的矽基材料，與GaN特殊的材料和生產工藝相比具有巨大的成本優勢。尤其在消費領域，如：手機通訊類
、電子產品適配器的應用
，器件成本大概為同等規格GaN器件25-50%
，同時驅動超級矽功率器件的控製芯片可選擇性廣泛
，更避免了GaN驅動複雜的設計導致額外係統成本的增加。

 

圖5、超級矽與GaN特性對比

 

超級矽係列已有量產規格包含耐壓600、650和700V三檔
，最低Rdson為80mR，靜態電流30A
，對應功率段50-600W。

 

圖6、超級矽係列產品推薦規格

 

東微半導體還有全係列中低壓高速器件，適用於不同快充方案的同步整流輸出。

 

圖7
、同步整流MOSFET推薦規格

 

綜上所述，在對成本、功率密度要求與日俱增的今天
，超級矽係列可完美滿足要求。目前
，超級矽係列已在聯想等多個主流客戶端量產。

 

 

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