采用TI最新的GaN技術設計

，圖1a所示的功率級開關節點波形真的引人矚目。其在120V / ns轉換速率下，從0V升到480V，並具有小於50V的過衝。 

 

圖1：TI 600V半橋功率級——開關波形（a）；設備封裝（b）；半橋板圖（c）。

 

GaN FET具有低端子電容，因而可快速切換。然而，當GaN半橋在高di / dt條件下切換時，功率環電感在高壓總線和開關節點處引入振鈴/過衝。這限製了GaN FET的快速切換功能。

 

youyuyinxianchangqiefengzhuangweidachicun

，chuantongdegonglvfengzhuangtongchangjuyoulaiziyinxianhejiehexiandegaodiangan。zaihanqianfengzhuangzhongyiguanchadaogaodajibaifudeguochong。jianshaoguochongdeguanjianshizuixiaohuagonglvhuandiangan。

 

為了降低引線電感，TI以表麵貼裝四方扁平無引線（QFN）封裝提供單通道GaN功率級產品。如圖1b所示，TI設計功率回路和柵極回路，使得QFN內部具有低電感。如圖1c所示，TI的GaN半橋評估模塊（EVM）將jiang高gao側ce和he低di側ce設she備bei和he總zong線xian電dian容rong器qi緊jin靠kao一yi起qi，並bing立li即ji在zai設she備bei正zheng下xia方fang的de板ban層ceng返fan回hui電dian源yuan回hui路lu。這zhe使shi得de功gong率lv回hui路lu的de尺chi寸cun最zui小xiao化hua，從cong而er保bao持chi低di回hui路lu電dian感gan。

 

TI的先進封裝和電路板設計將功率環電感降至幾納亨。這種低電感設計與優化的驅動器集成
，使得LMG3410能夠在轉換速率> 100V / ns及過衝小於10％的條件下進行切換。您可使用LMG3410設計電源轉換器，進行快速切換，以提高效率，具有低壓過衝
，並可減少電磁幹擾（EMI）。

 

TI的LMG3410 GaNgonglvjishidedianyuanshejirenyuannenggoukaifagenggaomiduhegenggaoxiaolvdedianyuan。yujuyouguoliuheguowenbaohudejichengqudongqixiangjiehe，cishebeizaigaozhuanhuansulvxianenggouzhixingkekaoqiehuan
，kejianhuaninkaifayejielingxiandedianyuanjiejuefangandegongzuo。

 

 

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