但是，用於AC線電壓整流的前端二極管電橋仍然是個大問題，它阻礙了效率和功率密度的提升。高壓整流二極管的正向壓降通常約為1V。這意味著主電流路徑中的兩個二極管可能導致超過1％的效率損耗
，尤其在低壓輸入的時候。

 

舉例來說
，當前最流行的效率規範之一為80 Plus規範。最高級別80 Plus鈦金牌在230VAC時要求達到96％的峰值效率，在115VAC時要求達到94％的峰值效率。當次級DC / DC效率高達98％時
，電橋將很容易因其高傳導損耗而消耗PFC級的大部分效率。此外，二極管電橋還可能成為電源中最熱的部位，這不僅限製了功率密度
，還給散熱設計造成了一定的困擾。

 

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，yuelaiyueduorenbazhuyilijizhongzairuhejiejuezhezuzhengliuqiaodewentishanglai。jiejuezhegewentidefangxianghaishifeichangmingquede，zuishouhuanyingdeliangzhongfanganfenbieweishuangshengyawuqiaoPFC和圖騰柱PFC，如圖1所示。在這兩種方案中，主電流路徑中的整流二極管數量都從2個減少到1個，從而降低了整流管上的導通損耗。
 

 

圖1: 無橋PFC拓撲

 

目前，已經有研究和參考設計展現出令人鼓舞的結果，但還尚未被消費類市場大批量采用和量產。因為要開發出尖端的IC解決方案
，實現有競爭力的BOM成本以及經過驗證的強健性和可靠性，還有很長的路要走。雙升壓無橋PFC需要一個額外的大功率電感來抑製共模噪聲，這對成本和產品尺寸都是不利因素。而圖騰柱PFC通常都需要高成本的組件，例如上管驅動器和隔離式電流采樣，並且大都需要采用DSP，或者在常規PFC控製器IC上采用大量分立組件。

 

實際上，我們無需等待采用無橋拓撲的新型控製器IC發展成熟，通過另一種簡單快捷的替代方案
，可以立即降低電橋上的功率損耗。這種方案的基本思想是用同步整流MOSFET代替兩個下管整流二極管，而其它的電源設計部分（包括所有功率級和控製器IC）均保持不變。圖2的示例中采用MPS的MP6925A對這一概念進行了說明。MP6925A是一款僅需很少外部組件的雙通道同步整流驅動器。

 

圖2: 將同步整流MOSFET用作下管電橋

 

MP6925A通常用於LLC轉換器。它根據對漏源電壓（VDS）的檢測主動驅動兩個MOSFET。在設置係統以替換交流電橋中的下管二極管時
，可采用兩個高壓JFET(QJ1 和 QJ2)在VDS檢測期間鉗位高壓。當電流流經MOSFET體二極管之一時，VDS上的負閾值被觸發，驅動器導通相應的MOSFET。在MOSFET導通期間
，驅動器會調節相應的柵極電壓，將VDS保持在一定水平之下
，直到電流過低而無法觸發VDS關斷閾值為止。圖3顯示了其典型工作波形。

 

a) 115VAC輸入，滿載

 

b) 115VAC, 20% 負載

圖3: 同步整流MOSFET典型波形

 

一個具備競爭力的同步整流驅動器應當具有非常快速的關斷功能。例如，在驅動等效4.7nF柵極電容時，MP6925A能夠以35ns的超低延遲關斷柵極。因此，該器件可以有效防止MOSFET上出現任何反向電流。此外，其MOSFET還具有“防反彈邏輯”
，可防止兩個MOSFET同時導通。該特性使整個解決方案變得非常可靠
，無任何直通風險。

 

以下的實驗結果來自120W適配器設計。該設計采用了650V
，99mΩ MOSFET作為有源開關
，替代兩個整流橋下端的二極管。圖4顯示了用SR MOSFET解決方案替代二極管後效率的提升。在115VAC低壓輸入下，滿載效率提高了0.43％，這意味著總功耗可降低0.5W以上。對大多數應用而言，這都是對性能和散熱設計的重大改善。

 

圖4: 120W適配器設計的實驗結果

 

采用功能強大的同步整流器提供有源電橋解決方案，為解決傳統PFC二極管電橋的高功耗問題提供了一種即時替代方案。用MOSFET代替正向壓降相對固定的橋式二極管
，能夠以更低的MOSFET導dao通tong電dian阻zu降jiang低di傳chuan導dao損sun耗hao。與yu此ci同tong時shi，降jiang低di功gong耗hao也ye簡jian化hua了le散san熱re設she計ji。而er且qie

，相xiang比bi其qi他ta複fu雜za的de無wu橋qiao解jie決jue方fang案an
，該gai解jie決jue方fang案an采cai用yong了le隻zhi需xu少shao量liang外wai部bu元yuan器qi件jian的de精jing密miIC控製器，因此在實際應用中更具成本效益，而且隨時可用。

來源：MPS

 

 

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