Vishay推出1280G、1285G係列AccutrimTM微調電位器
發布時間:2009-07-08 來源:Vishay
產品特點:
Vishay的新款1280G和1285G電位器采用Bulk Metal箔高阻體,使之具備了獨特的溫度和負載壽命穩定率。這些電位器的無間隙(<0.05%)的調節機製使其能夠快速而精確地進行設置,並在有溫度周期變化、振動,以及熱和機械衝擊的環境中保持設定數值不變。
器件具有多個接觸刷,貴金屬滑動端與刻蝕的箔平麵緊密地接合,以便在端到端和整個滑動端上實現低TCR。繞線和陶瓷電位器等采用其他技術的電位器則無法在滑動端上提供令人滿意的TCR。
除了低TCR和優異的負載穩定率,1280G和1285G電位器的典型設置穩定率為0.1%,阻值範圍為10Ω~20kΩ,阻值容差為±5%(1285G)和±10%(1280G)。器件在+25℃下的額定功率為0.75W,可進行26±2轉的調節。器件出色的ESD免疫能力提高了的可靠性,能夠承受高達25kV的靜電放電。
通過采用絕對一致的電阻材料、多個滑動端觸點和多個電阻電路路徑,這些電位器提供了單向、極高的分辨率,能夠非常精確地設定小於0.05%的數值。電位器沒有會產生階梯函數的橫向交叉繞線,也不像機械調節中因接觸電阻的變化而導致阻值不規則地變化。
1280G和1285G器件采用鍍金端子,可根據用戶需要提供錫/鉛端子,也可特別訂購表麵安裝的型號。1280G和1285G係列器件現可提供樣品,並已實現量產,供貨周期為四周。
- 長3/4英寸
- 在–55 ℃~+125℃溫度範圍
- 典型負載壽命穩定率為0.1%
- 額定功率為0.75W
- 工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備
Vishay的新款1280G和1285G電位器采用Bulk Metal箔高阻體,使之具備了獨特的溫度和負載壽命穩定率。這些電位器的無間隙(<0.05%)的調節機製使其能夠快速而精確地進行設置,並在有溫度周期變化、振動,以及熱和機械衝擊的環境中保持設定數值不變。
器件具有多個接觸刷,貴金屬滑動端與刻蝕的箔平麵緊密地接合,以便在端到端和整個滑動端上實現低TCR。繞線和陶瓷電位器等采用其他技術的電位器則無法在滑動端上提供令人滿意的TCR。
除了低TCR和優異的負載穩定率,1280G和1285G電位器的典型設置穩定率為0.1%,阻值範圍為10Ω~20kΩ,阻值容差為±5%(1285G)和±10%(1280G)。器件在+25℃下的額定功率為0.75W,可進行26±2轉的調節。器件出色的ESD免疫能力提高了的可靠性,能夠承受高達25kV的靜電放電。
通過采用絕對一致的電阻材料、多個滑動端觸點和多個電阻電路路徑,這些電位器提供了單向、極高的分辨率,能夠非常精確地設定小於0.05%的數值。電位器沒有會產生階梯函數的橫向交叉繞線,也不像機械調節中因接觸電阻的變化而導致阻值不規則地變化。
1280G和1285G器件采用鍍金端子,可根據用戶需要提供錫/鉛端子,也可特別訂購表麵安裝的型號。1280G和1285G係列器件現可提供樣品,並已實現量產,供貨周期為四周。
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