產品特性：

• 3.3mmx3.3mm占位麵積
• 導通電阻是最低的
• 減小電壓降

應用範圍：

• 筆記本電腦、上網本
• 工業/通用係統中的適配器、負載和電池開關

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 5 日 — 日前，Vishay 宣布，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位麵積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。

新款Si7625DN可用於筆記本電腦、上網本和工業/通用係統中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、牆上電源和電池電源之間切換)通常是開啟並且吸收電流。Si7625DN更低的導通電阻意味著更低的功率損耗，節省能源

，延長兩次充電之間的電池壽命

，同時還可以減少發熱
，減小PCB焊盤的麵積。對於工業/通用係統中的電壓達24V的負載切換和熱插拔應用，該MOSFET的低導通電阻還可以減小電壓降。

Si7625DN在10V和4.5V下的導通電阻低至7mΩ和11mΩ

，這些數值比此前3.3mmx3.3mm占位麵積的30V器件在10和4.5V下的導通電阻分別低30%和39%。

新款MOSFET采用了Vishay此前發布的30V P溝道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO-8封裝。為滿足工業應用的要求，第三代TrenchFET封裝讓設計者可在具有最大漏電流和功率耗散的PowerPAK SO-8(分別比SO-8高85%和79%)或節省空間的PowerPAK 1212-8之間進行選擇。由於占位隻有3.3mmx3.3mm
，該器件的占位麵積隻有PowerPAK SO-8或SO-8型封裝的1/3。

MOSFET進行了完備的Rg和UIS測試，符合ROHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規範。

新款Si7625DN TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，將於2010年第二季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。