新品特性：

• 采用miniQFN10封裝
• 工作電壓為1.65V～4.3V

應用範圍：

• 便攜式終端產品中用於音頻、SIM卡和多功能信號切換

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出3款新型單極雙擲（SPDT）和雙路的雙極雙擲（DPDT）CMOS低壓模擬開關--- DG2735A、DG2725和DG2599。這些器件具有低工作電壓和低導通電阻，采用小尺寸miniQFN封裝


，可在空間受限的便攜式終端產品中用於音頻、SIM卡和多功能信號切換。

DG2735A和DG2725是雙路SPDT開關
，采用miniQFN10封裝，工作電壓為1.65V～4.3V。DG2735A可確保在2.7V下的最大導通電阻為0.6Ω，在2.7V下的開啟和關斷時間為64ns和42ns，是接收機和揚聲器中音頻輸出切換的絕佳選擇。DG2725在3V下的典型導通電阻為0.7Ω
，同時具有更低的寄生電容。

DG2599在1.65V～5V電壓下工作，可用作4路SPDT或雙路DPDT開關。器件采用minQFN16封裝，在3V下的典型導通電阻為2.8Ω
，-3dB的帶寬高達186MHz。DG2725和DG2599具有掉電保護功能
，在V+=0V
，VCOM1或VCOM2=4.3V情況下，可以確保COM1和COM2的漏電流小於1µA。

新的DG2735A、DG2725和DG2599模擬開關適合用在消費
、計算和通信產品中，如手機、PMP和PDA等
、調製解調器和外設、計算機、電子書，以及平板電腦等。這些器件兼容1.65V邏輯電平，易於與低電壓的DSP或MCU控製邏輯接口
，很適合直接用單節鋰離子電池供電的情況。

日前發布的器件采用Vishay的亞微米CMOS低壓工藝技術，按照 JESD78規範測試的閂鎖保護電流大於300mA。在(zai)導(dao)通(tong)時(shi)
，開(kai)關(guan)在(zai)雙(shuang)方(fang)向(xiang)上(shang)能(neng)以(yi)同(tong)樣(yang)的(de)性(xing)能(neng)傳(chuan)輸(shu)小(xiao)於(yu)電(dian)源(yuan)軌(gui)的(de)信(xin)號(hao)，在(zai)關(guan)斷(duan)時(shi)能(neng)夠(gou)阻(zu)斷(duan)電(dian)源(yuan)級(ji)別(bie)的(de)信(xin)號(hao)，並(bing)且(qie)保(bao)證(zheng)采(cai)取(qu)先(xian)斷(duan)後(hou)通(tong)的(de)切(qie)換(huan)操(cao)作(zuo)。

Vishay Siliconix嚴格遵守對社區和環境的承諾，使用無鉛器件端接生產這些模擬開關。器件的miniQFN封裝采用鎳鈀金器件端接（用後綴“-E4”表示），滿足所有JEDEC標準對回流焊和MSL等級的要求。開關符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，符合RoHS指令2002/95/EC。