米勒振蕩是因為強的負反饋引起的開關振蕩，導致二次導通，對於後級大功率半橋
、全橋等Hqiaotuopujiegouyingyongzhong，rongyidaozhishangxiaguanzishunjiandaotongcongerzhahuiguanzi，zhegeshikaiguandianyuanshejizhongzuihexindeyihuan，suoyiruhebimianmilezhendangkeyirenweishikaiguandianyuanshejidehexinguanjian。

 

A、減緩驅動強度

 

 

1
、提高MOS管G極的輸入串聯電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開關速度越緩。

2
、在MOS管GS之間並聯瓷片電容，一般容量在1nF~10nF附近。看實際需求。

調(tiao)節(jie)電(dian)阻(zu)電(dian)容(rong)值(zhi)，提(ti)高(gao)電(dian)阻(zu)和(he)電(dian)容(rong)，降(jiang)低(di)充(chong)放(fang)電(dian)時(shi)間(jian)，減(jian)緩(huan)開(kai)關(guan)的(de)邊(bian)沿(yan)速(su)度(du)，這(zhe)個(ge)方(fang)式(shi)特(te)別(bie)適(shi)合(he)於(yu)硬(ying)開(kai)關(guan)電(dian)路(lu)，消(xiao)除(chu)硬(ying)開(kai)關(guan)引(yin)起(qi)的(de)振(zhen)蕩(dang)。

 

B、加強關閉能力

1、差異化充放電速度，采用二極管加速放電速度

 

 

2
、當第一種方案不足時，關閉時直接把GS短路

 

 

3、當第二種方案不足時，引入負壓確保關斷。

 

 

C、增加DS電容

在ZVS軟開關電路中，比如UC3875移相電路中，MOS管DS之間
，往往並聯無感CBB小電容，一般容量在10nF以內，不能太大，有利於米勒振蕩
，注意該電容的發熱量
，頻率更高的時候，需要用雲母電容

 

 

D、提高漏極電感方式

相對應方案C的提高DS電容方式
，該方案則采用提高漏極的電感方式

1
、在漏極串聯鎳鋅磁珠
，提高漏極電感，減緩漏極的電流變化

，降低米勒振蕩，這個方案也是改善EMC的方法之一，效果比較明顯，但該方案不適合高頻率強電流的場合
，否則該磁珠就發熱太高而失效。

2

、PCB布線時，人為的引入布線電感，增長MOS管漏極
、源極的PCB布線長度，比如方案C的圖中
，適當提高半橋上下MOS管之間的引線

，對改善米勒振蕩有很大的影響，但這個需要自身的技術水平較高
，否則容易失敗，此外布線長度提高，需要相應的考慮MOS管的耐壓，嚴重的，需要加MOS管吸收電路。

 

E、常用的MOS管吸收電路
，利於保護MOS管因關閉時產生過高的電壓導致DS擊穿，對米勒振蕩也有幫助
，電路形式多樣

，以下列舉四種，應用場合不同，采用不同的方式。