【導讀】zaijingtaishi，youyuchuanliangeyuanjiandejiezhiloudianliujuyoubutongdezhizaopiancha，daozhijuyouloudianliudeyuanjianchengshoulededianya，shenzhidadaoqingzhuzhuangtai。danzhiyaoyuanjianjuyouzugoudeqingzhuwendingxing，zewubiyaozaixianluzhongcaiyongjunyadianzu。zhiyoudangjiezhidianyadayu1200V的元件串聯時
，一般來說才有必要外加一個並聯電阻。

串聯

在串聯時，需要注意靜態截止電壓和動態截止電壓的對稱分布。

zaijingtaishi
，youyuchuanliangeyuanjiandejiezhiloudianliujuyoubutongdezhizaopiancha
，daozhijuyouloudianliudeyuanjianchengshoulededianya
，shenzhidadaoqingzhuzhuangtai。danzhiyaoyuanjianjuyouzugoudeqingzhuwendingxing，zewubiyaozaixianluzhongcaiyongjunyadianzu。zhiyoudangjiezhidianyadayu1200V的元件串聯時，一般來說才有必要外加一個並聯電阻。

假設截止漏電流不隨電壓變化
，同時忽略電阻的誤差，則對於n個具有給定截止電壓VR的二極管的串聯電路，我們可以得到一個簡化的計算電阻的公式：

以上Vm是串聯電路中電壓的值，△Ir是二極管漏電流的偏差
，條件是運行溫度為值。我們可以做一個安全的假設：

上式中，Irm是由製造商所給定的。利用以上估計，電阻中的電流大約是二極管漏電流的六倍。

經jing驗yan表biao明ming，當dang流liu經jing電dian阻zu的de電dian流liu約yue為wei截jie止zhi電dian壓ya下xia二er極ji管guan漏lou電dian流liu的de三san倍bei時shi

，該gai電dian阻zu值zhi便bian是shi足zu夠gou的de。但dan即ji使shi在zai此ci條tiao件jian下xia

，電dian阻zu中zhong仍reng會hui出chu現xian可ke觀guan的de損sun耗hao。

原則上，動態的電壓分布不同於靜態的電壓分布。如果一個二極管pn結的載流子小時得比另外一個要快，那麼它也就更早地承受電壓。

如果忽略電容的偏差，那麼在n個給定截止電壓值Vr的二極管相串聯時
，我們可以采用一個簡化的計算並聯電容的方法：

以上△QRR是二極管存儲電量的偏差。我們可以做一個充分安全的假設：

條件是所有的二極管均出自同一個製造批號。△QRR由半導體製造商所給出。除了續流二極管關斷時出現的存儲電量之外，在電容中存儲的電量也同樣需要由正在開通的IGBT來接替。根據上述設計公式，我們發現總的存儲電量值可能會達到單個二極管的存儲電量的兩倍。

一般來說，續流二極管的串聯電流並不多見
，原因還在於存在下列附件的損耗源：

1、pn結的n重擴散電壓;
2、並聯電阻中的損耗
；
3
，需要由IGBT接替的附加存儲電量
4
、由RC電路而導致的元件的增加。

所以在高截止電壓的二極管可以被采用時，一般不采用串聯方案。

deliwaishidangyingyongdianluyaoqiuhenduandekaiguanshijianhehendidecunchudianliangshi，zheliangdianzhenghaoshidinaiyaerjiguansuojubeide。dangrancishixitongdetongtaisunhaoyehuidadazengjia。

並聯

並聯並不需要附加的RC緩衝電路。重要的是在並聯時通態電壓的偏差應盡可能小。

yigepanduanerjiguanshifoushihebingliandezhongyaocanshushiqitongtaidianyaduiwendudeyilaixing。ruguotongtaidianyasuiwendudezengjiaerxiajiang
，zetajuyoufudewenduxishu。duiyusunhaolaishuo，zheshiyigeyoudian。

如果通態電壓隨溫度的增加而增加，則溫度係數為正。

在(zai)典(dian)型(xing)的(de)並(bing)聯(lian)應(ying)用(yong)中(zhong)，這(zhe)是(shi)一(yi)個(ge)優(you)點(dian)，其(qi)原(yuan)因(yin)在(zai)於(yu)，較(jiao)熱(re)的(de)二(er)極(ji)管(guan)將(jiang)承(cheng)受(shou)較(jiao)低(di)電(dian)流(liu)，從(cong)而(er)導(dao)致(zhi)係(xi)統(tong)的(de)穩(wen)定(ding)。因(yin)為(wei)二(er)極(ji)管(guan)總(zong)是(shi)存(cun)在(zai)一(yi)定(ding)的(de)製(zhi)造(zao)偏(pian)差(cha)
，所(suo)以(yi)在(zai)二(er)極(ji)管(guan)並(bing)聯(lian)時(shi)
，一(yi)個(ge)較(jiao)大(da)的(de)負(fu)溫(wen)度(du)係(xi)數(shu)（＞2mV/K）則有可能產生溫升失衡的危險。

並聯的二極管會產生熱耦合

1
、在多個芯片並聯的模塊中通過基片；
2、在多個模塊並聯於一塊散熱片時通過散熱器

一般對於較弱的負溫度係數來說
，這類熱偶合足以避免具有通態電壓的二極管走向溫度失衡。但對於負溫度係數值＞2mM/K的二極管，我們則建議降額使用，即總的額定電流應當小於各二極管額定電流的總和。

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