【導讀】本文將介紹根據在上一篇文章中測得的開關波形，使用線性近似法來計算功率損耗的方法。

本文的關鍵要點

・可以在線性近似有效範圍內對所測得的波形進行分割，並使用示例公式進行損耗的近似計算。
・MOSFET開關工作時的總功率損耗是開關損耗和導通損耗之和。

本文將介紹根據在上一篇文章中測得的開關波形
，使用線性近似法來計算功率損耗的方法。

開關波形的測量方法

通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
根據測得波形計算功率損耗示例
各種波形的開關損耗計算示例
各種波形的導通損耗計算示例

SiC MOSFET通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

通過在線性近似有效範圍內對所測得的波形進行分割
，可以計算出功率損耗。

導通和關斷區間的開關損耗

首先，計算開通和關斷時間內消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由於計算公式會因波形的形狀而有所不同，因此請選擇接近測得波形的近似公式。

在圖1的波形示例中，開通時的波形被分割為兩部分，前半部分（ton1）使用表1中的例2。另外，使用公式ID1≔0作為條件。後半部分（ton2）使用例3中的公式VDS2≔0。

在圖1中，會因MOSFET的導通電阻和ID而產生電壓VDS2(on)
，但如果該電壓遠低於VDS的High電壓
，就可以視其為零。

圖1. 開關損耗波形示例

綜上所述，可以使用下麵的公式（1）來近似計算開通時的功率損耗。

同樣，將關斷時的波形也分為兩部分，前半部分（toff1）使用表1的例1中的公式VDS1≔0
，後半部分使用（toff2）例8中的公式ID2≔0。在圖1中，由於前述的原因，會產生電壓VDS1(off)
，但如果該電壓遠低於VDS的High電壓
，則將其按“零”處理。這樣，就可以使用下麵的公式（2）來近似計算關斷時的功率損耗。

導通期間的功率損耗

接下來，我們來計算導通期間消耗的功率損耗。圖2是用來計算導通損耗的波形示例。由於在TON區間MOSFET是導通的
，因此VDS是MOSFET導通電阻和ID的乘積。有關導通電阻的值，請參閱技術規格書。需要從表2中選擇接近該波形形狀的例子並使用其近似公式來計算功率損耗。

圖2. 導通損耗波形示例

在本示例中
，我們使用表2中的例1。MOSFET導通期間的導通損耗可以用下麵的公式（3）來計算。

MOSFET關斷時的功率損耗在圖2中位於TOFF區間，由於MOSFET關斷時的ID足夠小
，因此將功率損耗視為零。

總損耗

如公式（4）所示，MOSFET開關工作時的總功率損耗為此前計算出的開關損耗和導通損耗之和。

需要注意的是，表1和表2中的每個例子都有“參見附錄”的注釋，在附錄中有每個例子的詳細計算示例。各計算示例將會在後續的“各種波形的開關損耗計算示例”和“各種波形的導通損耗計算示例”中出現。

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