產品特性：

• 耐壓為1200V
• 可實現裝置的小型輕量化

適用範圍：

• 主要用途為光伏發電的逆變器裝置

德國英飛淩科技（Infineon Technologies AG）開發出了適用於光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，並在2012年5月於德國舉行的電源技術展會“PCIM Europe 2012”上宣布投產。盡管該公司此前向市場投放過使用SiC材料的肖特基勢壘二極管


，但此次是首次實現SiC製結型FET的產品化。SiC型FET將與專用驅動IC組合銷售，2012年第二季度開始樣品供貨。

新產品的主要用途為光伏發電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現裝置的小型輕量化。這是因為新產品可實現高於IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關損失。因此，電感器及電容器等被動元件可使用小型產品，所以能夠實現整個裝置的小型輕量化。

CoolSiC產品群備有導通電阻及封裝方式不同的6款產品。分別為導通電阻為35mΩ
、封裝采用TO-247的“IJW120R035T1”
，導通電阻為50mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R050T1”，導通電阻為70mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R070T1”
、導通電阻為100mΩ、封裝采用TO-247的“IJW120R100T1”
，導通電阻為70mΩ的裸芯片“IJC120R070T1”，以及導通電阻為 100mΩ的裸芯片“IJC120R100T1”。價格方麵，以IJW120R100T1為例
，批量購買1000個時美國市場的參考單價預定為24.90 美元。