通常Pmos 放到正端，Nmos放到負端。在正端，Pmos正常時候，G極低電平，保護時候高電平；而在負端，Nmos正常時候G極高電平，保護時候低電平。而最近新出一個芯片，將Nmos放到了正端，通常Nmos會比Pmos成本低
，導通阻值會偏小（Nmos導電溝道依靠電子）

，當然目前也有一些Pmos的導通阻值做到很小，比如TPC8107，做到了5.5個mohm左右。采用什麼樣的MOS
，就需要有什麼樣的芯片來驅動。
 
在1-2串的鋰離子電池保護電路中幾乎都用到了Nmos，單cell的比如手機電池內用一個複合Nmos，而常用的保護芯片有S8241,S8261,R5426，MM3077等。2串鋰離子電池的比如一些DV電池同樣用到了Nmos，而2串鋰離子電池常用保護芯片用S8232，MM1412等。
   
3-4串主要用筆記本電池，此前所見到的都是在正端用Pmos，那為什麼Nmos相對廉價卻不采用呢？通常Nmos一般放到負端，這樣便於芯片驅動，但是因為筆記本電池需要通訊，包括SMBUS和HDQ都dou需xu要yao用yong到dao地di線xian，因yin此ci，當dang電dian池chi保bao護hu的de時shi候hou

，負fu端duan中zhong斷duan
，通tong訊xun無wu法fa進jin行xing。當dang然ran，我wo們men可ke以yi為wei了le保bao證zheng通tong訊xun而er將jiang通tong訊xun所suo用yong到dao的de地di線xian獨du立li出chu來lai，直zhi接jie可ke以yi連lian接jie到daoB-，而主機端通訊的結構為開漏極

，這樣在充電的時候
，當MOSFET關閉的時候，會有漏電流從下圖的D1 D2流過。

圖1 MOSFET關閉時，漏電流的流向圖

當然也有解決此問題的方法，但是會帶來不穩定，具體方法
，請參看下圖。

 

圖2  解決漏電流流向的方法

因此，在3-4串的筆記本電池中，通常是用到Pmos，當保護的時候，驅動會在B+ 和P+處拉電。但是最近新出的一個筆記本電池解決方案中，在正端是采用Nmos。我們知道Nmos
，高電平導通
，因此驅動就需要做到比B+ 和P+ 還要高
，芯片內部的驅動必須用到charge pumps。    

下麵羅列一些常用到的3-4串的筆記本電池管理/保護芯片。MM1414，S8254
，bq2040,2060,208x家族,20zx0家族。Maxim 有1780 1781 據說最近推出了1785，Atmel 也出1款ATmega406，Microchip PS401 PS501，瑞薩M37517家族，微電通道 GC1318+x3100,還有IC新銳凹凸的oz930等等。    

在5串以上的多串鋰離子電池保護電路方麵，因為目前的應用中隻是輸出1正1負，還很少見到有通訊電路的，所以相對來講
，大部分都采用了Nmos。而er且qie鑒jian於yu動dong力li鋰li離li子zi電dian池chi在zai應ying用yong中zhong電dian流liu較jiao大da，一yi般ban都dou采cai用yong了le充chong放fang電dian路lu相xiang對dui分fen開kai，盡jin量liang減jian少shao在zai放fang電dian過guo程cheng中zhong回hui路lu阻zu抗kang。當dang然ran
，在zai一yi些xie高gao端duan的de應ying用yong中zhong，采cai用yong了le通tong訊xun的de功gong能neng，在zai解jie決jue共gong地di的de問wen題ti上shang
，采cai用yong了le光guang偶ou隔ge離li的de方fang法fa，將jiang發fa出chu指zhi令ling與yu接jie受shou指zhi令ling分fen開kai

，采cai用yong4線結構。