適用於用於電信係統和POE網絡應用程序的MOSFET
發布時間：2013-01-05 責任編輯：easonxu
【導讀】AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要競爭對手，分別構建。的低導通電阻減小導通損耗，並允許器件工作在較低的溫度下。
圖1：AON7280和AON7290
使用專有的AOS AlphaMOS技術，AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要競爭對手，分別構建。的低導通電阻減小導通損耗，並允許器件工作在較低的溫度下。這是不影響開關性能的兩個設備提供最低的RDS * COSS的行業。這些解決方案被打包在綠色DFN3.3×3.3封裝，電路板空間的關鍵應用提供電路設計的靈活性。
“在狹小的空間中構建高效的電源解決方案，設計人員在更小的 封裝的高性能MOSFET中實現。”斯蒂芬說。在AOS的高級產品營銷張經理說：“AON7280和AON7290結合了高密度AlphaMOS技術，具有結構緊湊DFN3.3×3.3封裝，以滿足設計師需求。“
AON7280技術要點
80V N溝道MOSFET
RDS <8.5毫歐（最大值）在VGS = 10V（最低在行業）
COSS = 265 pF的典型
QG（10V）= 26 NC（典型值）
最低RDS * Qg和數字的優點在市場上
最低RDS * COSS數字的優點在市場上
100％的Rg和UIS測試
AON7290技術要點
100V N溝道MOSFET
RDS <12.6毫歐最大VGS = 10V（最低在行業）
COSS = 175 pF的典型
QG（10V）= 26.5 NC（典型值）
最低RDS * COSS數字的優點在市場上
100％的Rg和UIS測試
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