IR推出25V FastIRFET創新功率MOSFET係列，
針對DC-DC同步降壓應用
發布時間：2013-09-25 責任編輯：xueqi
【導讀】IR FastIRFET係列為DC-DC同步降壓應用，低至0.7 mΩ導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201，能提供行業領先效率，適用於先進的電信和網絡通訊設備、服務器、顯卡、台式電腦、超極本和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應用。
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V FastIRFET創新功率MOSFET係列，適用於先進的電信和網絡通訊設備、服務器、顯卡、台式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應用。
圖1：IR推出25V FastIRFET創新功率MOSFET係列
全新FastIRFET係列配備IR新一代矽技術，采用符合行業標準的PQFN封裝，為分立式DC-DC轉換器提供基準功率密度。該係列包括能夠提供低至0.7 mΩ導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201，以及旨在降低鳴震和進一步提升係統效率的IRFH4210D和IRFH4213D單片式FETKY組件。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“這款先進的25V FastIRFET MOSFET為高性能分立式DC-DC開關應用提供行業領先的功率密度。這些器件與IR旗下的集成式SupIRbuck、PowIRstage和電源模塊平台相輔相成，為設計人員提供一係列高性能DC-DC轉換器。”
IR FastIRFET器件為5V柵極驅動應用作出優化，可與各種控製器或驅動器共同操作，從而使設計更靈活，並且以小占位麵積實現高電流、效率和頻率。新器件采用符合行業標準的5x6mm和3.3x3.3mm PQFN封裝，環保物料清單不含鉛，並符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS)。
規格
產品現正接受批量訂單，相關數據請瀏覽IR的網站http://www.irf.com/。
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