今天
，不論是用在工業領域還是民用產品的開關應用
，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）都(dou)可(ke)以(yi)提(ti)供(gong)有(you)效(xiao)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)，以(yi)實(shi)現(xian)最(zui)終(zhong)產(chan)品(pin)的(de)高(gao)能(neng)效(xiao)和(he)高(gao)性(xing)能(neng)。在(zai)節(jie)能(neng)至(zhi)上(shang)的(de)市(shi)場(chang)上(shang)，電(dian)子(zi)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)首(shou)選(xuan)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)高(gao)能(neng)效(xiao)的(de)器(qi)件(jian)，而(er)且(qie)要(yao)針(zhen)對(dui)不(bu)同(tong)應(ying)用(yong)選(xuan)擇(ze)合(he)適(shi)的(de)IGBT。推動高能效創新的安森美半導體提供豐富的分立式IGBT方案，廣泛用於電磁爐、不間斷電源(UPS )
、太陽能逆變器和逆變電焊機等領域。

 

IGBT有強耐能量衝擊能力和強耐短路電流能力 (5至10微秒)。現有IGBT包括溝道非穿通型 (NPT)、溝道場截止型 (FS) 第一代和溝道場截止型第二代IGBT等類型。隨著製造工藝的進步
，開始采用50微米晶圓及金屬背板
，超薄晶圓及其背麵處理工藝減少了IGBT的導通和開關損耗。

對比溝道非穿通型和溝道場截止型IGBT可以發現，前者的電場強度在矽漂移區 (n-FZ)線性遞減到0，矽漂移區厚度與耐壓成線性正比，因此具有高導通壓降和高關斷損耗；後者用N緩衝層減少了矽漂移區的厚度，實現了超薄晶圓
，從而實現了低導通壓降和低關斷損耗 (圖1)。

 

圖1：溝道非穿通型和溝道場截止型IGBT對比

 

從技術趨勢看
，6至8英寸晶圓的厚度在不斷縮減
，從最初的250 μm到目前生產的100 μm和75 μm

，還有50 μm和40 μm厚度正在研發當中。可以預期，今後IGBT的性能仍有望提高。

 

 

安森美半導體提供完善的IGBT產品係列，可以根據頻率、應用和電壓進行分類 (表1)，不同產品有不同的特性和應用範圍。

表1：安森美半導體IGBT產品係列

安森美半導體的29款場截止第一代IGBT中600伏 IGBT 性能接近或超過市場領先產品；新發布的8款1200伏/1350伏用於電磁感應加熱的場截止型第二代IGBT，其性能領先於市場同類產品
；還有新發布的3款1200伏場截止型第二代通用IGBT，性能與市場同類產品相媲美。

在工業應用方麵
，分立式IGBT的市場應用主要包括電機驅動、逆變式電焊機
、變頻驅動
、功率因數校正
，安森美半導體提供的主要產品有1200 V/ 15 A-40 A及600 V/ 30 A-50 A
；用於不間斷電源、太陽能逆變器、高效功率轉換器應用的主要產品是600 V/30 A-50 A及1200 V/15 A-40 A
；而用於家用電器，如電火鍋和電飯鍋、廚用電爐、空調機功率因數校正的主要產品有1200V/15A-40A、600V/30A-40A和600V/30A-50A。

安森美半導體同時提供相應的技術支持
，如2千瓦電機驅動測試係統、2千瓦電磁爐測試係統
、3千瓦功率因數校正測試板、10千瓦中點鉗位轉換器
，以及用於測試IGBT模塊的100千瓦太陽能逆變器
，350安培逆變式電焊機正在開發中。

 

 

安森美半導體的IGBT采用溝道場截止工藝
，以合理的價格提供可靠性和優良的開關性能。其600伏30安培和40安培場截止型第一代IGBT導通電壓低、開關損耗小，專門為半橋諧振式電磁感應加熱設備設計
，產品包括NGTB40N60IHLWG和NGTB30N60IHLWG；其1200伏15安培到40安培場截止型第一代IGBT導通電壓低
、開關損耗小，專門為單端諧振式電磁感應加熱設備設計
，產品包括NGTB15N120IHLWG、NGTB20N120IHLWG
、NGTB25N120IHLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG和NGTB30N120IHSWG。兩者均可降低並聯續流二極管的正向導通電壓。而近期推出的用於電磁感應加熱的15安培到40安培的1200伏和1350伏第二代場截止型IGBT係列可提供更低的開關損耗

，工作可靠，適用於各類諧振和軟開關應用，典型產品包括NGTB30N120IHR
、NGTB30N135IHR
、NGTB40N120IHR和NGTB40N135IHR等。這些器件的優點是提升係統開關效率低功率損耗和節省線路板空間。安森美半導體為此開發了用於IGBT測試的2千瓦單端諧振電磁爐測試平台。

圖2：600伏和1200伏電磁感應加熱電路

安森美半導體的通用型600伏非穿通型IGBT包括15到50安培的一係列型號(包括NGTB15N60EG
、NGTB30N60FWG和NGTB50N60FWB等)，以及通用型1200伏IGBT包括15到40安培的一係列型號 (采用第一代場截止工藝，包括NGTB15N120LWG
、NGTB20N120LWG、NGTB25N120LWG、NGTB30N120WG和NGTB40N120LWG)，可降低並聯續流二極管的正向導通電壓
，具有導通電壓低、開關損耗小、提升係統效率、節省線路板空間等優點，廣泛用於包括電機驅動、各種逆變器、變頻驅動、泵
、空氣交換機等工業領域的硬開關電路。安森美半導體開發了用於IGBT測試三相全橋2千瓦電機驅動係統測試平台。

圖3：電機驅動係統測試平台

安森美半導體的600伏專用於功率因數校正和升壓的600伏IGBT采用第一代場截止工藝，可以低廉價格實現可靠工作、低導通電壓和低開關損耗，提升係統開關效率，節省線路板空間，包括NGTG50N60FWG和NGTG30N60FWG等。基於這類應用的特殊性，這類IGBT不含並聯續流二極管，適用於太陽能逆變器升壓轉換器、空調機空濾引述校正和不間斷電源功率因數校正等低頻硬開關或是高頻軟開關電路。安森美半導體開發的單相3千瓦功率因數校正係統可用於IGBT的測試。

圖4：功率因數校正測試曲線

安森美半導體還提供一係列可用於逆變式電焊機的600伏和1200伏從15到50安培IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)，采用場截止第一代工藝和場截止第二代工藝
，這些IGBTyoujiaodidedaotongyajianghekaiguansunhao，kejiangdibinglianxuliuerjiguanzhengxiangdaotongya，tishengxitongkaiguanxiaolv，digonglvsunhao，jieshengxianlubankongjian
，shiyongyuquanqiaoshinibiandianhanji、半橋式逆變電焊機、電焊機功率因數校正
、高頻電焊機
、激光切割機等高速開關應用。

圖5：逆變式電焊機測試設備

安森美半導體用於不間斷電源和太陽能逆變器 (包括中點鉗位式逆變器) 的1200伏和600伏IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)采cai用yong場chang截jie止zhi第di一yi代dai和he場chang截jie止zhi第di二er代dai工gong藝yi，價jia格ge低di廉lian，工gong作zuo可ke靠kao，導dao通tong電dian壓ya低di，開kai關guan損sun耗hao小xiao，並bing聯lian的de高gao速su續xu流liu二er極ji管guan正zheng向xiang導dao通tong電dian壓ya低di。這zhe些xie器qi件jian適shi用yong於yu電dian池chi充chong電dian器qi
、不間斷電源、功率因數校正、全橋和半橋式太陽能逆變器/變換器
、中點鉗位式逆變器
、升壓變換器半/全橋拓撲結構。安森美半導體提供不同功率的逆變器用來測試分立式IGBT和IGBT模塊。

圖6：中點鉗位式逆變器

安森美半導體的客戶已成功使用其場截止型第一代IGBTNGTB50N60FLWG開發出了各種應用，如功率10 千伏安、功率因數0.9的不間斷電源
，以及采用半橋諧振拓撲結構的1450瓦廚用電爐。客戶認為，安森美半導體場截止型第一代IGBT的性能達到了市場上最好的性能；其IGBT在電磁爐上的溫升低於其它2款IGBT。

未來，安森美半導體將推出超過20款第四代 (場截止型第二代) IGBT以及專用於逆變式電焊機IGBT
，並繼續開發IGBT模塊。無論客戶的產品需求如何，安森美半導體總有一款高性能、高能效的IGBT方案能夠滿足要求
，幫助設計工程師設計出高能效及高性能的產品。