zhinengshoujijipingbandiannaodengxiaofeidianzidepengbofazhancuihualelilizidianchidejudaxuqiu，yejiasulelilizidianchiduiqitahuaxuedianchidechongji。jishiyixianyoudeyingyongshichangjisuan，yinchanpindeshengjierdaozhidexuqiuzengchang，yejiangshililizidianchijixubaochi 25% 的增速。

而(er)另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian)，人(ren)們(men)對(dui)於(yu)消(xiao)費(fei)電(dian)子(zi)超(chao)長(chang)待(dai)機(ji)時(shi)間(jian)的(de)渴(ke)望(wang)
，使(shi)得(de)鋰(li)離(li)子(zi)電(dian)池(chi)行(xing)業(ye)需(xu)要(yao)不(bu)斷(duan)地(di)提(ti)升(sheng)充(chong)電(dian)電(dian)壓(ya)或(huo)使(shi)用(yong)不(bu)成(cheng)熟(shu)的(de)電(dian)極(ji)材(cai)料(liao)，以(yi)獲(huo)得(de)更(geng)高(gao)的(de)電(dian)池(chi)容(rong)量(liang)和(he)能(neng)量(liang)密(mi)度(du)
，但(dan)這(zhe)相(xiang)對(dui)地(di)也(ye)降(jiang)低(di)了(le)鋰(li)離(li)子(zi)電(dian)池(chi)的(de)安(an)全(quan)應(ying)用(yong)門(men)限(xian)。這(zhe)些(xie)都(dou)要(yao)求(qiu)鋰(li)離(li)子(zi)電(dian)池(chi)的(de)電(dian)路(lu)保(bao)護(hu)必(bi)須(xu)更(geng)加(jia)可(ke)靠(kao)。

典型的鋰離子電池保護電路如圖 1，其核心包括了構成一級防護的 IC+MosFET 的主動保護方案以及二級防護的 PPTC。由於現在鋰離子電池保護板空間逐漸減小，加之 IC 集成度提升和成本壓力，通常人們認為主動保護已經足夠及時和強大，部分設計者考慮取消二級防護或者采用雙 IC 保護方案

，但這樣是否可行呢？


yaohuidazhegewenti，womenxuyaoquanmiandeduibizhudonghebeidongbaohufangandeyoulieshi，xianyupianfuwomenbuzaibenwenxiangshu。womenjinjincongdianzixingyedeyizhongchangjianweihaixingshi-靜電放電，來談談被動保護的重要性。

靜電在日常生活中是十分容易產生的，人體摩擦感應的靜電甚至可達到 15kV 以上。靜電及其放電可通過力學效應、熱效應、強電場效應等對元器件造成破壞或損傷，既可能是永久性的（如功能喪失
，不能恢複）
，也可能是暫時性的（如靜電放電產生的幹擾使功能暫時喪失）；既可能是突發失效
，也可能是潛在失效，具有極強的隱蔽性、潛在性、隨機性及複雜性。

作為鋰離子電池一級保護的 IC 和 MosFET 是靜電危害的重災區
，其中 80% 的損失都是潛在性的，會導致電路功能暫時性失效。圖 2 是 ESD 對 IC 和 MosFET 的破壞和損傷
，鋰離子電池保護電路一旦遭受靜電放電，極有可能使其保護功能出現失效或隱患。


一旦 IC 和 MosFET 的功能喪失或可靠性降低，鋰離子在充電和使用過程中極有可能由於過充電
、短路及過放電等導致燃燒或爆炸。此時被動保護器件，如 PPTC
、MHP-TA dengdezuoyongjiujiqizhongyaole。youcikejian，quxiaobeidongbaohuqijianhuocaiyongzhudongfanganqudaibeidongbaohuqijiandeshejidoushibukequde，huidafujiangdililizidianchibaohudekekaoxing。

全麵的安全保護不僅不能取消 PPTC/MHP-TA 等過流過溫保護器件，還需要在接口中增加 ESD 防護器件，以最大限度的提升鋰離子電池保護方案的可靠性，TE 電路保護部的 PESD 和 SESD 靜電防護器件就是很好的選擇。

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