LLC諧振適用於高密度且具有高頻設計要求的電路。由於不存在反向恢複的問題，所以開關損耗也異常的小。雖然LLC電(dian)路(lu)本(ben)身(shen)擁(yong)有(you)高(gao)效(xiao)低(di)耗(hao)的(de)優(you)點(dian)，但(dan)是(shi)這(zhe)並(bing)不(bu)意(yi)味(wei)著(zhe)其(qi)在(zai)任(ren)何(he)情(qing)況(kuang)下(xia)都(dou)能(neng)最(zui)大(da)程(cheng)度(du)上(shang)降(jiang)低(di)損(sun)耗(hao)，在(zai)一(yi)些(xie)情(qing)況(kuang)下(xia)如(ru)果(guo)設(she)置(zhi)不(bu)當(dang)反(fan)而(er)會(hui)導(dao)致(zhi)正(zheng)激(ji)的(de)效(xiao)率(lv)低(di)下(xia)。

 

本文以一個電力操作電源的溫升測試為基礎
，分析了一種MOS管替換不當的情況下，LLC電路導致整機效率低下的例子。

 

在對MOS管進行替換之後整機功耗下降了8W，下麵就來分析一下問題所在。

 

測試之前先對MOS管的參數進行一下對比。

調試使用的是IRFP460，做替代料的是UF460。這兩根管子從電容參數RDS on角度來看還是IRFP460占優勢。但這裏有一個在LLC拓撲上非常關鍵的參數
，Trff也就是反並聯二極管的反向恢複時間，UF460優秀很多。

 

因為LLC是零壓開通，近似零電流關斷

，所以MOS管輸入輸出電容就算較高也跟效率關係不大。

 

在LLC拓撲中，反並聯二極管的關斷速度是一個非常關鍵的參數

，如果Trff大，可以試著將死區時間延長。 如果Trff時間長，死區不夠的情況下，甚至連效率都談不上。在大動態情況下就很容易炸機。

 

圖1
、圖2、圖3給出了MOS管並聯二極管Trff時，在LLC拓撲中的關鍵作用，並配合電路圖給出了相應的文字解釋，幫助大家理解。

 

若MOS管反並聯二極管的Trff太長
，並且在諧振腔電流換流完成之後還沒有關斷，那麼久相當於MOS管短路了
，就會直接炸機。