MOS管

 

MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。其特性


，輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控製電流等特性。

 

 

IGBT管

 

IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體管，是MOS管與晶體三極管的組合
，MOS是作為輸入管
，而晶體三極管作為輸出管。於是三極管的功率做的挺大，因此兩者組合後即得到了MOS管的優點又獲得了晶體三極管的優點。

 

 

綜zong上shang所suo述shu的de兩liang種zhong晶jing體ti管guan，是shi目mu前qian電dian子zi設she備bei使shi用yong頻pin率lv很hen高gao的de電dian子zi元yuan器qi件jian，兩liang者zhe在zai外wai形xing及ji靜jing態tai參can數shu極ji其qi相xiang似si，某mou些xie電dian子zi產chan品pin是shi存cun在zai技ji術shu壟long斷duan， zaidianluzhongyoushitamendexinghaoshibeicadiaode，jiezhimuqian，tamenzaimingmingbiaozhunjixinghaotongyoumeiyoutongyibiaozhun

，erwaixingjiguanjiaodepailiexiangsi，genbenwuguilvkexun，chengweiweixiuguochengzhongdelanluhu，ruhequfenhepanduanchengweibiyaoshouduan。

 

MOS管和IGBT管的辨別

 

帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應

，對它們的好壞判斷及及區分可以用動靜態測量方法來完成。

 

一
、靜態測量判斷MOS管和IGBT管的好壞

 

先將兩個管子的管腳短路放掉靜電

，MOS管的D極與S極之間有個PN接
，正向導通反向截止，於是有Rgd=Rgs=Rds=無窮大，Rsd=幾千歐。IGBT管的G極到c
、e極的電阻應為無窮大，即Rgc=Rge=無窮大，而IGBT管的之間有阻尼二極管的存在，因此具有單向導電反向截止特性，即Rce=無窮大，Rec=幾ji千qian歐ou。從cong這zhe裏li隻zhi能neng用yong萬wan用yong表biao的de電dian阻zu檔dang判pan斷duan出chu管guan子zi的de好hao壞huai，卻que區qu分fen不bu出chu是shi那na種zhong管guan子zi。測ce量liang得de阻zu值zhi很hen小xiao
，則ze說shuo明ming管guan子zi被bei擊ji穿chuan，測ce量liang阻zu值zhi很hen大da，說shuo明ming管guan子zi內nei部bu斷duan路lu。

 

動態測量區分MOS管和IGBT管

 

先用萬用表給管子的柵極施加電壓，是場效應管建立起溝道，然後測量D、S及c、e之間的阻值，根據阻值的差異來區分MOS管和IGBT管。

 

用萬用表的電阻檔測量兩個管子的D、S及c
、e之間的電阻
，由於場效應管已經建立溝道，Rds=Rsd≈0，而Rce之間呈現電阻Rce
，晶體三極管處於放大狀態的導通電阻，Rec為內部阻尼二極管的導通電阻，兩者均為幾千歐。因此根據測量可知，兩個管子的導通程度不一樣，MOS管的D
、S之間電阻值是遠小於IGBT管c、e之間的電阻值，於是可以分辨出MOS與IGBT管。