之所以存在功率消耗主要原因是三極管導通
、截止存在壓降
，從上圖規格書可以看到S8050壓降為0.5V，S8550壓降為1.2V

 

三極管消耗功率為：（0.6+1.2）*2=3.6W電機得到的功率為：5*2=10W

效率為：10/13.6=73.5%

 

個人覺得上述電路應該將NPN以及PNP換個位置比較好，這個電路我也沒有驗證，此處不做產品性能分析，隻從效率做探討。

 

MOS管：IRF9540  IRF3205

 

 

 

MOS的導通壓降要通過導通電阻來計算
，IRF9540導通電阻為0.2Ω，導通壓降為2*0.2=0.4V；IRF3205導通電阻為0.008Ω，導通壓降為2*0.008=0.016V

MOS的消耗功率為：2*（0.4+0.016）=0.832W

電機得到的功率為：5*2=10W

效率為：10/10.832=92.3%

 

集成電路：L298N

 

 

VCEsat(H)為上橋臂壓降，2A時為2.7V

VCEsat(L)為上橋臂壓降,2A時為2.3V

VCEsat為上下橋臂壓降之和
，2A時為4.9V

集成電路L298N消耗功率為：2*4.9=9.8W

電機得到的功率為：5*2=10W

效率為：10/19.8=50.5%

 

通過上麵的分析計算可以很數據化的看出來MOS管的效率高於三極管高於集成電路
，用獨立元器件搭建H橋成本低，效率高，但需要比較高的技術要求，穩定性的有待驗證
；而(er)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)則(ze)方(fang)便(bian)快(kuai)捷(jie)，但(dan)是(shi)效(xiao)率(lv)就(jiu)比(bi)較(jiao)低(di)了(le)。選(xuan)用(yong)不(bu)同(tong)的(de)晶(jing)體(ti)管(guan)分(fen)析(xi)方(fang)法(fa)都(dou)是(shi)一(yi)樣(yang)的(de)，按(an)照(zhao)上(shang)麵(mian)的(de)參(can)數(shu)計(ji)算(suan)就(jiu)好(hao)了(le)。你(ni)也(ye)可(ke)以(yi)試(shi)一(yi)試(shi)自(zi)己(ji)的(de)H橋效率有多高，附件為三極管、MOS以及L298N的規格書。

 

（來源： 21ic論壇 ，作者：王小琪）