有圖有真相!巧用EMC技巧設計PSR電源 !
發布時間:2013-12-25 責任編輯:mikeliu
【導讀】身為工程師,是否平時都很煩EMC呢?因為EMC總是很多不行,這也不對,那也不好,總是挑事。但是呢,EMC還是很可愛的啦,通過EMC技巧來設計PSR電源,輕鬆又愉快!
EMC對地線走線畢竟有講究,針對PSR的初級地線,可以分為4個地線,如下圖中所標示的三角地符號。這4個地線需采用“一點接地”的布局。
1.C8的地線為電源輸入地。
2.R5的地為功率地。
3.C2的地為小信號地。
4.變壓器PIN3的地為屏蔽地。

這4個地的交接點為C8的負端,即:輸入電壓經整流橋後過C1到C8地,R5和變壓器PIN3的地分別采用單獨連線直接引致C8負端相連,連線盡量短;R5地線因考慮到壓降和幹擾應盡量寬些。
C5,R10,U1PIN7和PIN8地線彙集致C2負端再連接於C8負端。
若為雙麵板,以上4條地線盡量不要采用過孔連接,不得以可以采用多個過孔陣列以減小過孔壓降。
以上地線布局恰當,產品的共模幹擾會很小。
因PSR線路負載時工作在PFM狀態下的DCM模式,DI/DT的增大和頻率的提升,所以較難處理的是傳導150K~5M差模幹擾。
就依圖從左到右針對有影響EMC的元件進行逐個分析。
1.保險絲
將保險絲換用保險電阻理論上來講對產品效率是有負麵影響的,但實際表現並不明顯,所以保險絲可以采用10/1W的保險電阻來降低150K附近的差模幹擾,對通過5級能耗並無太大影響,且成本也有所降低。
2.C1,L2,C8
PSR工作在DCM模式,相對而言其輸入峰值電流會大很多,所以輸入濾波很重要
。
峰值電流的增大會導致低壓輸入時母線電壓較低,且C8的溫升也會增加;為了提高母線電壓和降低C8的溫升,需提高C1的容量和使用LOWESR的C1和C8。因為提高C1的容量後,C1和C8的工作電壓會上升,在輸出功率不變的情況下,輸入的峰值電流就會降低。因L2的作用,實際表現為增加C1的容量比增加C8的容量抑製EMC會更有效。
一般取C1為6.8uF,C8為4.7uF效果較好,若受空間限製,采用8.2u與3.3u也比采用2個2.7u的EMC抑製效果好。L2一般從成本考慮采用色環電感,因色環電感的功率有限,電感量太大會嚴重影響效率,一般取330u~2mH,2mH是效率影響開始變得明顯,330u對差模幹擾的作用不夠分量,為了使效率影響最低且對差模幹擾抑製較佳,建議采用1mH。
因為“一點接地”的布局彙集點在C8的負端,在C8負端輸入電流的方向是經過C1和BD1流回輸入端,根據傳導測試的原理,這樣產生消極影響,所以需在 C1與C8的地線上作處理,有空間的可以再中間增加磁珠跳線,空間受限可以采用PCBlayout曲線來實現,雖然效果會弱些,但相比直線連接會改善不 少。
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3.R6,D2,R2,C4
RCD吸收對EMC的影響大家都應該已經了解,這裏主要說下R6與D2對EMC的影響。R6的加入和D2采用恢複時間較慢的1N4007對空間輻射有一定的負作用,但對傳導有益。所以在整改EMC時此處的修改對空間輻射與傳導的取舍還得引起注意。
4.R5
R5既為電流檢測點也是限功率設置點。所以R5的取值會影響峰值電流也會影響OPP保護點。建議在OPP滿足的情況下盡量取大些。一般不低於2R,建議取2.2R。
5.R4,R10,D3,R3,C2
在前部分有提到VCC電壓的升高對EMC有 惡性影響。因IC內部的檢測有采用積分電路,所以當VCC電壓設置過高,就需要更長的積分時間,在周期不變的情況下,TON的時間就會增加,輸出功率不變 的情況下MOS的峰值電流就會增加,在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都會增加,且D3,R3,C2也對VCC有下拉和吸收作用,會使輸出電壓的 過衝加劇,同時影響延時檢測的開啟時間。這一係列的變化對EMC的影響是不可忽視的。
根據經驗,結合變壓器漏感考慮,VCC電壓在滿載事最大值不宜超過19V,所以為使空載時VCC不至於太低導致蕩機,建議VCC電壓設計在15V,變壓器漏感最大不宜超過15%.
6.C5
C5是IC內部延時檢測補償設置端。C5的(de)取(qu)值(zhi)大(da)了(le)會(hui)導(dao)致(zhi)電(dian)壓(ya)檢(jian)測(ce)的(de)周(zhou)期(qi)加(jia)長(chang),小(xiao)了(le)會(hui)導(dao)致(zhi)電(dian)壓(ya)檢(jian)測(ce)的(de)周(zhou)期(qi)變(bian)短(duan)。檢(jian)測(ce)周(zhou)期(qi)的(de)變(bian)化(hua)會(hui)影(ying)響(xiang)電(dian)壓(ya)的(de)采(cai)樣(yang)率(lv),也(ye)就(jiu)會(hui)影(ying)響(xiang)整(zheng)個(ge)產(chan)品(pin)各(ge)處(chu)的(de)電(dian)流(liu)紋(wen)波(bo),對(dui)EMC也會造成一定影響,一般選取0.01~0.1uF。
7.C3,C7
前麵提到C3和C7的容量取值對輸出電壓過衝的抑製作用和維持產品的穩定性。但C3,C7的容量也不是越大越好,它會對EMC起消極作用。C3,C7容量的加大同樣會導致第5點講到的峰值電流加大,所以不能盲目選擇。
PSR原邊反饋控製開關電源的設計和調試經驗講解到此結束,大家一定都有所收獲,好技巧會讓我們更好的解決問題。
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