基於最近的趨勢
，提高效率成為關鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關器件的權衡並不值得。超級結可在平麵MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統平麵MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。 導通電阻的顯著降低和寄生電容的降低雖然有助於提高效率，但也產生電壓(dv/dt)和電流(di/dt)的快速開關轉換
，形成高頻噪聲和輻射EMI。
 

 

為驅動快速開關超級結MOSFET
，必須了解封裝和PCB布局寄生效應對開關性能的影響，以及為使用超級結所做的PCB布局調整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結MOSFET。在這些電壓額定值中，工業標準TO-220、TO-247、TO-3P和TO-263是shi應ying用yong最zui廣guang泛fan的de封feng裝zhuang。封feng裝zhuang對dui性xing能neng的de影ying響xiang有you限xian

，這zhe是shi因yin為wei內nei部bu柵zha極ji和he源yuan極ji綁bang定ding線xian長chang度du是shi固gu定ding的de。隻zhi有you引yin腳jiao的de長chang度du可ke以yi改gai變bian，以yi減jian少shao封feng裝zhuang的de源yuan極ji電dian感gan。如ru圖tu1(a)所示，10 nH的典型引線電感看起來不大，但這些MOSFET的di/dt可輕鬆達到500 A/μs！ 假定di/dt為500A/μs，10nH引線電感上的電壓為VIND = 5 V
；而10nH引線電感的關斷di/dt為1,000 A / μs，可產生VIND = 10 Vdedianya。daduoshuyingyongheshejidouweikaolvdaocifujiadianganyehuichanshengdianya，danzheyidianbukehushi。yishangjiandanjisuanxianshi
，fengzhuangdezongyuanjidiangan，jibangdingxianheyinjiaodianganbixujiangdizhikejieshoudeshuzhi。zaoshengdelingyigelaiyuanshibujujishengxiaoying。youliangzhongkejiandebujujishengxiaoying： 寄生電感和寄生電容。1 cm走線的電感為6-10 nH
，通過在PCB頂部添加一層並在PCB底部添加GND層，可降低此電感值。另一類型是寄生電容。圖1(b)xianshilebujuzhongrongxingjishengxiaoyingdeyuanli。jishengdianrongyouliangtiaoxiangjinzouxianzhijianhuozouxianyulingwaiyicededipingmianzhijianyinqi。lingyizhongdianrongweiqijianhedipingmianjiandedianrong。PCB 板兩麵上的兩個並行走線能夠增加電容，同時還能減少回路電感，從而減少電磁噪聲輻射。下次設計需要超級結MOSFET時
，請考慮這些布局提示。