EOS概念

EOS英文全稱 Electrical Over Stress
，是對所有的過度電性應力的總稱。當EOS超過其最大指定極限後，器件功能會減弱或損壞，同時EOS也是公認的IC器件的頭號殺手。由於它可能發生在產品的研發

、測試乃至生產
、存儲、運(yun)輸(shu)的(de)各(ge)個(ge)環(huan)節(jie)，所(suo)以(yi)對(dui)廠(chang)商(shang)的(de)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)，測(ce)試(shi)規(gui)範(fan)，生(sheng)產(chan)流(liu)程(cheng)以(yi)及(ji)物(wu)流(liu)中(zhong)防(fang)護(hu)都(dou)有(you)嚴(yan)格(ge)具(ju)體(ti)的(de)要(yao)求(qiu)，每(mei)年(nian)耗(hao)費(fei)整(zheng)個(ge)半(ban)導(dao)體(ti)行(xing)業(ye)數(shu)十(shi)億(yi)美(mei)金(jin)的(de)資(zi)金(jin)。更(geng)可(ke)恨(hen)的(de)是(shi)，EOS的發生情況複雜，神出鬼沒，尋求一個完美的解決方案至今困擾著學術界和工業界。此文旨在分析EOS的成因
，特點，破壞力，以及對於芯片廠商和係統設計人員的啟示。

EOS是一個非常廣的概念，物理上可以看成是一種較長時間的低電壓，大電流的能量脈衝（通常電壓<100V，電流大於10A，大於1ms的發生時間）。為了更好的說明EOS的特性，可以和另一種常見的，且容易被混淆的電力破壞機製—ESD（靜電釋放）進行比較。從Figure.1 可清晰看出EOS和ESD的放電特征
，而ESD短時間的高電壓低電流的特性（通常電壓>500V，電流小於10A


，納秒發生時間），可以認定是EOS的一種特例。

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EOS成因很多，主要會出現在上下電瞬態過程，電流倒灌以及過度的電壓電流驅動（常說的過載）。通常造成的破壞都是由於器件過熱
，損壞有三種類型。

鑒於EOS的成因和特點，成熟的係統廠商通常采用如下的防護方式。建立和規範工作流程，進行常規的交流電源線監控。

防護措施

電源

1、確保交流電源配備了瞬態電流抑製器（濾波器）
2
、電源過壓保護
3、交流電源穩壓器（可選）。
4、電源時序控製器，可調整時序
5
、不共用濾波器和穩壓器

電源開/關順序

1
、不可“熱插拔”
2
、正確的插入方向
3、定期檢查以確保遵守相關規定

維護

1、定期進行預防性維護。
2、確保接頭良好緊固，以防止其帶來間歇性故障。

電路板或元件測試

1


、確保不進行熱切換。進行測試時使用存儲範圍捕獲信號或電源的瞬態電流。
2、確保不出現峰值/低頻幹擾。
3、確保正確設置測試參數（不會過壓）。
4、確保測試硬件中使用了正確的保險絲。

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