從開關節點到輸入引線的少量寄生電容（100 毫微微法拉)會讓您無法滿足電磁幹擾(EMI)需求。這種電容器不多。即使有

，它們也會因寄生問題而提供寬泛的容差。不過
，在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。隻有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。

圖1是這些非計劃中電容的一個實例。圖中的右側是一個垂直安裝的FET，所帶的開關節點與鉗位電路延伸至了圖片的頂部。輸入連接從左側進入，到達距漏極連接1cm以內的位置。這就是故障點，在這裏FET的開關電壓波形可以繞過EMI濾波器耦合至輸入。

zhuyi
，loujilianjieyushuruyinxianzhijianyouyixieyoushurudianrongqitigongdepingbi。gaidianrongqidewaikelianjiezhizhujiedi，keweigongmodianliutigongfanhuizhujiedidelujing。rutu2所示，這個微小的電容會導致電源EMI簽名超出規範要求。

這是一條令人關注的曲線
，因為它反映出了幾個問題：明顯超出了規範要求的較低頻率輻射、共模問題通常很明顯的1MHz至2MHz組件

，以及較高頻率組件的衰減正弦(x)/x分布。

需要采取措施讓輻射不超出規範。我們利用通用電容公式將其降低了：

C = ε • A/d

我們無法改變電容率(ε)
，而且麵積(A)也已經是最小的了。不過，我們可以改變間距(d)。如圖3所示
，我們將組件與輸入的距離延長了3倍。最後，我們采用較大接地層增加了屏蔽。

圖4是修改後的效果圖。我們在故障點位置為EMI規範獲得了大約6dB的裕量。此外，我們還顯著減少了總體EMI 簽qian名ming。所suo有you這zhe些xie改gai善shan都dou僅jin僅jin是shi因yin為wei布bu局ju的de調tiao整zheng，並bing未wei改gai變bian電dian路lu。如ru果guo您nin的de電dian路lu具ju有you高gao電dian壓ya開kai關guan並bing使shi用yong了le屏ping蔽bi距ju離li

，您nin需xu要yao非fei常chang小xiao心xin地di對dui其qi進jin行xing控kong製zhi。

總之
，來自離線開關電源開關節點的100fF電容會導致超出規範要求的EMI簽(qian)名(ming)。這(zhe)種(zhong)電(dian)容(rong)量(liang)隻(zhi)需(xu)寄(ji)生(sheng)元(yuan)件(jian)便(bian)可(ke)輕(qing)鬆(song)實(shi)現(xian)，例(li)如(ru)對(dui)漏(lou)極(ji)連(lian)接(jie)進(jin)行(xing)路(lu)由(you)，使(shi)其(qi)靠(kao)近(jin)輸(shu)入(ru)引(yin)線(xian)。通(tong)常(chang)可(ke)通(tong)過(guo)改(gai)善(shan)間(jian)距(ju)或(huo)屏(ping)蔽(bi)來(lai)解(jie)決(jue)該(gai)問(wen)題(ti)。要(yao)想(xiang)獲(huo)得(de)更(geng)大(da)衰(shuai)減(jian)，需(xu)要(yao)增(zeng)加(jia)濾(lv)波(bo)或(huo)減(jian)緩(huan)電(dian)路(lu)波(bo)形(xing)。

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