電子產品設計的EMI輻射分析及解決對策
發布時間:2014-12-25 責任編輯:sherryyu
【導讀】是不是遇見這樣的問題:開關電(dian)源(yuan)芯(xin)片(pian)在(zai)同(tong)時(shi)工(gong)作(zuo),器(qi)件(jian)均(jun)為(wei)開(kai)關(guan)工(gong)作(zuo)方(fang)式(shi),提(ti)高(gao)了(le)工(gong)作(zuo)效(xiao)率(lv),同(tong)時(shi)引(yin)入(ru)了(le)輻(fu)射(she)問(wen)題(ti)?這(zhe)是(shi)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)設(she)計(ji)過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)常(chang)見(jian)問(wen)題(ti),那(na)麼(me)如(ru)何(he)解(jie)決(jue)呢(ne)?這(zhe)裏(li)結(jie)合(he)一(yi)個(ge)便(bian)攜(xie)式(shi)音(yin)頻(pin)產(chan)品(pin)實(shi)例(li),教(jiao)大(da)家(jia)如(ru)何(he)分(fen)析(xi)emi輻射難題和找到對策解決。
小功率便攜式電子產品目前常用鋰電池和Boost(Buck)芯片給MCU、Audio以及顯示屏等器件供電。此類產品通常使用適配器供電,設計要求充電部分工作時,必須通過測試並符合 EMC標biao準zhun。一yi般ban來lai說shuo,為wei了le提ti高gao係xi統tong工gong作zuo效xiao率lv,鋰li電dian池chi充chong電dian芯xin片pian都dou是shi基ji於yu開kai關guan工gong作zuo方fang式shi,類lei似si一yi個ge開kai關guan電dian源yuan,另ling外wai,可ke能neng其qi他ta的de開kai關guan電dian源yuan芯xin片pian在zai同tong時shi工gong作zuo,器qi件jian均jun為wei開kai關guan工gong作zuo方fang式shi,提ti高gao了le工gong作zuo效xiao率lv,同tong時shi引yin入ru了le輻fu射she問wen題ti,這zhe也ye是shi電dian子zi產chan品pin設she計ji過guo程cheng中zhong的de常chang見jian問wen題ti。本ben文wen基ji於yu一yi個ge產chan品pin設she計ji實shi例li(用BQ24133單電池充電電路和LM3478升壓電路),對設計過程中曾經遇到的輻射難題進行了詳盡的分析。確定騷擾源,找出耦合路徑,最終給出解決問題的方法,以供大家作參考。
1.便攜式音頻產品電源係統介紹
1.1 背景
實際的產品開發中,便攜式產品的EMI測試是用適配器給產品充電,有其他外接設備連接也需要在測試時接上。下麵以一個實際產品的開發為例,說明這類產品設計的EMI設計要注意的問題,以及遇到輻射發射超標,如何來分析問題產生的原因。並找出解決問題的辦法。
1.2 音頻產品供電回路
如下圖1是一個Audio產品的電源部分的原理圖,這個產品有一個charger芯片BQ24133,在這個應用中設置最大充電電流2A。有一個Boost芯片LM3478,把電池電壓升壓到10V給Audio 芯片供電,滿載電流1A,另外一個Boost芯片LM3478,把電池電壓升到5V,給iphone或者 ipad充電,最大電流2A。適配器的直流輸出線規格是1.5米,手機充電的電源線約0.5米,整個PCB板麵積大概12mm×8mm,設計為兩層板。

圖1:Audio供電回路圖
[page]2. EMI問題分析
2.1 EMI問題的產生
這類便攜式產品要求通過標準EN55022,Class B。這個產品的初版樣機在輻射發射測試時(未接手機),輻射發射30M到300M頻段嚴重超標,在200MHZ左右,超標20DB以上。
2.2 分析輻射發射超標的原因:
首先,先分析輻射超標產生的原因,我們知道EMC三要素,騷擾源,耦合路徑和敏感設備。這個產品中開關方式工作的器件無疑是騷擾源,也就是BQ24133(開關頻率1.6MHZ)和兩個 LM3478(開關頻率400KHZ)。再看耦合路徑,30M到300M頻pin段duan對dui應ying的de波bo長chang是shi一yi米mi到dao十shi米mi,如ru果guo要yao發fa射she一yi定ding波bo長chang的de電dian磁ci波bo,需xu要yao一yi根gen發fa射she天tian線xian,成cheng為wei天tian線xian的de必bi要yao條tiao件jian是shi長chang度du至zhi少shao要yao大da於yu波bo長chang的de二er十shi分fen之zhi一yi,當dang天tian線xian是shi電dian磁ci波bo半ban波bo長chang的de整zheng數shu倍bei時shi,發fa射she功gong率lv最zui大da。滿man足zu以yi上shang條tiao件jian能neng成cheng為wei天tian線xian的de導dao線xian就jiu是shi幾ji根gen外wai接jie線xian,最zui有you可ke能neng的de是shi適shi配pei器qi的de直zhi流liu電dian源yuan線xian和he地di線xian。分fen析xilayout 設計,發現產品設計時,隻用了一個地,在整個PCB的兩層均大麵積鋪地,並且與適配器的地線連接在一起,加上手機的充電導線,構成一根超過兩米長的地線。另外BQ24133充電電路和兩個LM3478的升壓電路底下也是大麵積的鋪地,造成高頻幹擾直接耦合到地平麵,通過長的地線發射出來。
3. 解決問題的辦法:
針對以上分析,做了整改。由於是便攜式音頻設備,沒有PE線,無法使用Y電容,客戶也不希望使用共模電感增加成本,所以主要優化layout。采取了以下措施:
3.1 Layout注意事項:
1)將每個電源回路梳理,將模擬地和數字地分開,每個單元電路不要相互交叉。BQ24133 的數字地和模擬地分開走線,在芯片下通過一個0歐姆電阻的單點接。另外,BQ24133的功率地最好跟整個產品的地適當分割,單點連接。
[page]2)減小諧波回路麵積,對LM3478,如圖,MOS管開通時,Cin,L和MOS構成一個回路對電感充電,請看圖2(a)的Cycle1。MOS管關斷時,Cin,L,D,Cout構成另一個回路對電感放電,請看圖2(b)中的 Cycle2。對於二極管D,交替工作在正向導通和反向截止的狀態,因此,有很高的反向恢複尖峰電壓,需要在二極管兩端加Snubber電路來抑製這個尖峰電壓,以避免產生過大的共模噪聲。這兩個回路的工作頻率是MOS的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv),諧(xie)波(bo)分(fen)量(liang)大(da),布(bu)板(ban)時(shi)要(yao)盡(jin)量(liang)減(jian)小(xiao)諧(xie)波(bo)回(hui)路(lu)的(de)麵(mian)積(ji)。要(yao)把(ba)這(zhe)兩(liang)個(ge)功(gong)率(lv)回(hui)路(lu)的(de)器(qi)件(jian)靠(kao)近(jin)放(fang)置(zhi),走(zou)大(da)銅(tong)皮(pi)寬(kuan)走(zou)線(xian),減(jian)小(xiao)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)諧(xie)波(bo)的(de)回(hui)路(lu)阻(zu)抗(kang)。

圖2:LM3478工作原理圖
BQ24133實質是一個Buck回路。也有類似的問題。請看圖3,BQ24133工作原理圖,輸入電容C1,整流管開通,續流管關斷,整流管電感和負載構成一個高頻回路,有很高的dI/dT。另外,整流管關斷,續流管開通時,電感電流通過續流管續流(在重載時續流管工作在電感電流連續模式), 電感電流沒有減小到零時整流管又會開通,這是續流管被強製加反向電壓而截止,產生很高的反向恢複電壓尖峰(雖然是同步整流,由於死區的存在,死區時間內仍然是二極管整流),這會導致比較大的共模噪聲,所以需要在SW對PGND加Snubber電路來抑製續流管的反向尖峰。因此,輸入濾波電容C1、電感L1和輸出濾波電容C2應盡量靠近芯片布置,減小高頻回路麵積。功率回路走線應走大銅皮寬走線,減小諧波阻抗,最好都布置在PCB的同層,Snubber放置在緊靠下管的位置。

圖3:BQ24133高頻電流回路圖
總的來說,LM3478和BQ24133的輸入輸出走整塊大銅皮,將輸入電容和輸出電容緊靠功率開關管,使回路圍成的麵積最小。選擇ESR較jiao小xiao的de電dian容rong,由you於yu成cheng本ben原yuan因yin,這zhe類lei產chan品pin用yong的de電dian容rong都dou比bi較jiao差cha,這zhe個ge項xiang目mu原yuan來lai用yong電dian解jie電dian容rong,建jian議yi多duo增zeng加jia些xie瓷ci片pian電dian容rong組zu合he使shi用yong,這zhe樣yang在zai低di成cheng本ben下xia獲huo得de好hao的de效xiao果guo。這zhe樣yang使shi輸shu入ru輸shu出chu的de開kai關guan頻pin率lv的de諧xie波bo回hui路lu盡jin量liang小xiao,諧xie波bo阻zu抗kang盡jin量liang小xiao,可ke以yi減jian小xiao回hui路lu對dui外wai的de輻fu射she幹gan擾rao。
3) 上麵提到在BQ24133的下管加Snubber電路(加在SW和PGND之間),在LM3478的續流二極管加Snubber電路。Snubber電路緊貼開關管管腳,加寬走線,高頻諧波就近旁路。 首先可以先預放一個2-3ohm的電阻,電容取500-1000pF。在輻射測試中,如果裕量不足或者超規格,就適當增加RC,以吸收更多的高頻能量,如果裕量過大,應減小RC的值以提高效率。
4) 對於兩層板來說,將電感和MOS等功率器件和功率器件之間走線下麵的GND銅皮去掉或者減小。降低開關管到GND的分布電容,減小共模耦合。
[page]3.2 其他注意事項
3.2.1 布局
一般來說,如果條件允許,盡可能把電源回路跟其他電路在布局上適當分開。例如,把電源類器件布置在PCB左側,跟其他電路適當留隔離帶。輸出線和端子盡量遠離開關管,電感等器件。在諧波較大的回路上,注意PCB走線避免用銳角,盡量倒鈍角或走圓角。
3.2.2 共模電感的使用
duiyuduojiedianchi,chongdiangonglvzengjia,dianchishuchuxianjinliangjianxiaochangdu,bimiandianchixianbianchengfushetianxian。lingwai,kekaolvshidangzengjiagongmodianganlaiyizhidianchixiangongmoganrao。
3.2.3 測試注意事項
建議客戶輻射測試時用蓄電池加1.5米線做輸入源,排除Adapter造成的幹擾。另外,測試中調整Snubber參數,在效率和EMI中取得一個平衡點,RC的值不能加的過大,以免導致IC 過熱。所以,幹擾源噪聲比較大時,要考慮多種措施同時使用,以取得最優的效果。
4.結論:
經過整改後,優化了layout,順利通過了輻射測試。從這個項目,總結一些經驗。首先,確定騷擾源和發射天線,增加Snubber電路吸收騷擾源的高頻諧波。其次, 判斷耦合路徑,重點通過優化layout,使諧波就近通過電容旁路,減少騷擾源的高頻騷擾到外接長線的耦合。EMC設計的本質,就是如何處理好諧波的問題。
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