【導讀】在實現高效緊湊設計的同時遵守國際無線電幹擾特別委員會 (CISPR) 等組織提出的嚴格電磁幹擾 (EMI) 要(yao)求(qiu)是(shi)一(yi)項(xiang)挑(tiao)戰(zhan)。因(yin)此(ci)
，元(yuan)件(jian)的(de)選(xuan)擇(ze)成(cheng)為(wei)設(she)計(ji)過(guo)程(cheng)的(de)關(guan)鍵(jian)。與(yu)大(da)多(duo)數(shu)設(she)計(ji)決(jue)策(ce)一(yi)樣(yang)
，在(zai)不(bu)同(tong)元(yuan)件(jian)之(zhi)間(jian)進(jin)行(xing)選(xuan)擇(ze)幾(ji)乎(hu)總(zong)是(shi)歸(gui)結(jie)為(wei)基(ji)於(yu)關(guan)鍵(jian)設(she)計(ji)目(mu)標(biao)的(de)權(quan)衡(heng)評(ping)估(gu)。降(jiang)壓(ya)穩(wen)壓(ya)器(qi)以(yi)高(gao)效(xiao)率(lv)和(he)良(liang)好(hao)的(de)熱(re)性(xing)能(neng)著(zhu)稱(cheng)，但(dan)通(tong)常(chang)不(bu)被(bei)視(shi)為(wei)具(ju)有(you)低(di) EMI。幸運的是
，您有多種選擇來降低此類穩壓器產生的 EMI。為方便進一步討論
，圖 1 展示了降壓穩壓器的簡化原理圖。

圖 1：降壓穩壓器簡化原理圖

電路板布局布線注意事項

當設計必須符合 EMI yaoqiushi，chulexuanzeshidangdewuyuanqijianzhiquebaogongnengshejizhiwai
，dianlubanbujubuxianyinggaishixuyaokaolvdeshouyaoyinsu。youlianggejiangyawenyaqidianlubanbujubuxiantongyongguizekebangzhuyouxiaojiangdi EMI：

使輸入電容器和自舉電容器盡可能地靠近集成電路的 VIN 和 GND 引腳
，從而更大程度地減少高瞬態電流 (di/dt) 的環路麵積。

盡可能減小開關節點的麵積，從而更大程度地減小高瞬態電壓 (dv/dt) 節點的表麵積。

電路板布局布線無法實現優化時，還有其他選項。要詳細了解其他選項，請前往 TI E2E™ 中文支持論壇，閱讀技術文章《器件級功能和封裝選項如何幫助有效降低汽車設計中的 EMI》。

集成輸入電容器

如前所述

，在 EMI 要求限製之下進行開關穩壓器的設計時，減小高瞬態電流 (di/dt) 環路的麵積非常重要。在降壓穩壓器中，需要從 EMI 的de角jiao度du考kao慮lv輸shu入ru電dian壓ya對dui地di環huan路lu。降jiang壓ya穩wen壓ya器qi通tong過guo開kai啟qi和he關guan斷duan電dian源yuan連lian接jie將jiang較jiao高gao的de直zhi流liu電dian壓ya降jiang為wei較jiao低di的de電dian壓ya，從cong而er在zai高gao側ce產chan生sheng金jin屬shu氧yang化hua物wu半ban導dao體ti場chang效xiao應ying晶jing體ti管guan (MOSFET) Q1 電流，如圖 2 所示。

圖 2：降壓穩壓器的輸入電流波形

MOSFET 快速開啟和關閉，產生由輸入電容器提供的非常尖銳且幾乎不連續的電流。某些器件

，例如 TI 的 3A LMQ66430-Q1 和 6A LMQ61460-Q1 36V 降jiang壓ya穩wen壓ya器qi，在zai封feng裝zhuang內nei集ji成cheng高gao頻pin輸shu入ru電dian容rong器qi
，從cong而er盡jin可ke能neng減jian小xiao輸shu入ru電dian流liu環huan路lu的de麵mian積ji。減jian小xiao輸shu入ru電dian流liu環huan路lu的de麵mian積ji可ke降jiang低di輸shu入ru端duan的de寄ji生sheng電dian感gan，從cong而er減jian少shao電dian磁ci能neng量liang的de輸shu出chu。

集成自舉電容器

需要考慮的另一個高瞬態電流 (di/dt) 環路就是自舉電容環路。自舉電容器負責在導通期間為高側 MOSFET 柵極驅動器提供電荷。內部電路在關斷期間對該電容器重新充電。高側 MOSFET 的源極端子連接至開關節點而不是 GND。將自舉電容器連接到 MOSFET 的源極引腳可確保柵源電壓 (VGS) 足夠高以開啟 MOSFET。對dui於yu大da多duo數shu降jiang壓ya穩wen壓ya器qi，必bi須xu在zai電dian路lu板ban上shang留liu出chu一yi些xie可ke用yong的de開kai關guan節jie點dian區qu域yu來lai連lian接jie自zi舉ju電dian容rong器qi，盡jin管guan這zhe在zai通tong過guo盡jin可ke能neng減jian小xiao開kai關guan節jie點dian麵mian積ji來lai降jiang低di EMI 過程中可能產生適得其反的效果。通過在封裝內集成自舉電容器，LMQ66430-Q1 不僅遵循之前提到的兩個規則
，同時還減少了對外部元件的需求。

結語

在嚴格的 EMI 要求下實現空間緊湊的電源設計並不簡單。具有集成電容器的降壓穩壓器可以使符合 EMI 要求的設計實現起來更容易，同時還有助於減少整體外部元件的數量。

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