產品特性：

• 額定功率已擴展至1.0W
• 可提供5Ω至300kΩ的寬電阻範圍，非常低的絕對TCR
• 耐受高達25kV的靜電放電
  ，無感無容設計
• 精度
  
  、準確性和穩定性是目前最佳的規格

應用範圍：

• 在要求精確而穩定的電阻電路中應用

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款改進型VTAZ係列超高精度Bulk Metal® Z箔軸向引線電阻，其額定功率已擴展至1.0W
，電阻值為300kΩ。

典型軸向電阻在2000小時工作量時可實現＞0.1％的負載壽命穩定性
；在額定功率及2000小時工作量條件下
，Vishay的新器件可在＋70℃時實現±0.005％（50ppm）的改善的負載壽命穩定性。對於高精度應用
，這類電阻可實現0℃至＋60℃時±0.05ppm/℃的低典型TCR，以及－55℃至＋125℃
、＋25℃ ref時±0.2ppm/℃的低典型TCR
，其容限為±0.01％。

增強型VTAZ係列可提供5Ω至300kΩ的寬電阻範圍
，＋70℃時的額定功率為0.2W至1.0W，低電壓係數為＜0.1ppm/V。像所有Vishay箔電阻一樣，VTAZ器件並不局限於標準值
，而是可以在不增加成本或交貨時間的條件下，“視需要”提供阻值（例如1.2345kΩ而非1kΩ）。

該電阻具有獨特的電阻製造特性，這將有助於設計人員保證固定電阻應用中的高度準確性
、精度和穩定性。有已知和可控特性的專有Bulk Metal箔元件附加在特殊的陶瓷襯底之上
，然後采用Vishay開發的超精細技術進行電阻圖形蝕刻。這些器件的蝕刻平麵構造可實現高頻和脈衝應用所需的極低和可重複的電抗。

在要求精確而穩定的電阻的應用中
，應用的整個溫度範圍的TCR都需要很低。隻有VTAZ係列這樣的Z箔電阻可以提供非常低的絕對TCR
，它在－55℃至＋125℃及以上的整個溫度範圍變化很小。利用Vishay Bulk Metal箔(bo)電(dian)阻(zu)，在(zai)最(zui)初(chu)數(shu)百(bai)小(xiao)時(shi)運(yun)行(xing)中(zhong)電(dian)阻(zu)隻(zhi)發(fa)生(sheng)最(zui)小(xiao)限(xian)度(du)的(de)變(bian)化(hua)的(de)
，此(ci)後(hou)的(de)變(bian)化(hua)非(fei)常(chang)小(xiao)並(bing)可(ke)以(yi)預(yu)測(ce)。由(you)於(yu)負(fu)載(zai)壽(shou)命(ming)漂(piao)移(yi)在(zai)這(zhe)種(zhong)可(ke)預(yu)測(ce)和(he)可(ke)靠(kao)的(de)方(fang)式(shi)下(xia)最(zui)小(xiao)
，這(zhe)樣(yang)就(jiu)能(neng)省(sheng)去(qu)控(kong)製(zhi)和(he)校(xiao)正(zheng)電(dian)路(lu)
，進(jin)而(er)節(jie)約(yue)了(le)設(she)計(ji)、元件、組裝及測試的成本。

基於BMF和Z箔技術的精密電阻可以為精度、準確性和穩定性提供目前最佳的規格，實現穩定的性能，而不必考慮環境溫度或電氣負載方麵的變化，即使是在長期服務年限之後。

VTAZ器件可提供最大的ESD免疫性，耐受高達25kV的靜電放電，提高可靠性
，實現一個無感（＜0.08μH）、無電容的設計。這些器件均提供無鉛（Pb）及錫/鉛端子。

VTAZ電阻的樣品及量產批量現已提供，樣品交貨時間為5個工作日，標準批量訂單為5周。