中心議題：

• 電子材料現融合趨勢

解決方案：

• 研發
  ，加強協作是關鍵
• 材料供應商必須能夠支持多代產品

盡管當前金融業的低迷使全球的經濟增長普遍放緩，半導體繼續獨樹一幟，在日常生活中的應用變得愈加廣泛和多樣，比如交通運輸、計算機
、智能家電

、電話設備、數據通信、娛樂、成像及節能等領域。 隨著消費性電子設備種類不斷增加，並且能夠執行日益複雜的任務，電子產品製造商需要采用功耗低、體積小，且能提供最佳性能和功能的半導體設備。 可以說
，設備製造商能否繼續以可接受的設備單位生產成本實現更優良的功能和性能，材料工程已經成為關鍵的促成要素。 cailiaogongchenglingyuyouyuelaiyueduodefuzanantitongguocaiyongxianjindehuaxuecailiaodedaojiejue，erzhexiexianjinhuaxuecailiaozhisuoyinenggoukaifachenggong
，zhengshigegongsihuijiziyuan、共享材料知識和工程研發，進行廣泛協作的結果。

最近以來，眾多半導體公司開始涉足關聯市場，以尋求新的發展機會(例如，高亮度發光二極管 (HBLED)、光伏產品 (PV))，這也給化工行業和材料供應商帶來重大機遇。 這預示了特種化工行業有良好的長遠發展前景，而且有助於打破半導體行業傳統的“繁榮與蕭條”周期模式。

專為提供合適的材料解決方案而開發的化學技術(例如：先進圖膜、薄膜沉積)在電子工業及開發能夠支撐其自身快速演化的技術中發揮著越來越重要的作用。

研發
，加強協作是關鍵
由於經濟低迷
，半導體行業對成本審核越來越嚴格，並更加關注對整個供應鏈中擁有成本 (COO) 的控製。 本著這一精神
，研發工作仍在繼續，而材料開發依然是重中之重。 確que實shi，如ru果guo半ban導dao體ti行xing業ye要yao在zai降jiang低di日ri益yi上shang升sheng的de開kai發fa成cheng本ben的de條tiao件jian下xia，解jie決jue以yi誘you人ren的de經jing濟ji性xing生sheng產chan出chu先xian進jin的de設she備bei這zhe個ge具ju有you挑tiao戰zhan性xing的de難nan題ti的de同tong時shi繼ji續xu取qu得de發fa展zhan，在zai整zheng個ge供gong應ying鏈lian開kai展zhan更geng廣guang泛fan的de協xie作zuo對dui正zheng在zai進jin行xing的de研yan發fa工gong作zuo中zhong至zhi關guan重zhong要yao。

目前，采用電子元件的智能產品種類繁多，其應用可以說是讓人眼花繚亂

，智能產品的蓬勃發展使得推動這些產品的設備“量身定製”方法應運而生。 在這種涓滴效應下，材料供應商們正在醞釀範圍更廣的材料和化工產品，專門為根據設計參數的要求製造各種設備量身打造。

這種考慮更加促使改變所用的材料或用於實現一個可行的集成解決方案的製造工藝成為首選。 設備物理性能的限製和/或所用的製造方法，例如
，從 PVD 改為 CVD，再到 ALD 沉積技術，正愈加促使廠商改變材料。 當然
，所有這一切都必須在平衡合理的成本收益方案的前提下完成。

半導體材料的趨勢
微電子“生態係統”一直在迅速擴張，目前有各種各樣的設備正在開發之中。 例如
，用於手機的半導體與台式電腦中所用的半導體不同

，而“傳統”芯片設計目前仍在市場中占有一席之地，即便在更新型、性能更優的芯片進入市場很久以後也依然在生產。 盡管這些“傳統”的半導體材料(例如常用的介電二氧化矽)仍然在大量應用中，但是探索新型材料和替代這些傳統材料的步伐和廣度正以行業內前所未有的速度推進。 因此，材料供應商必須能夠支持多代產品。

從曆史上講
，半導體材料的單位工藝生命周期在多個技術節點上已經有所延長。 現在我們遇到的情況是
，由於下一代設備開發的推進要求集成各種新型材料，以滿足性能標準，各代節點產品中所用的材料壽命縮短。 在存儲和邏輯應用的生產工藝中，二氧化鋁、二氧化鉿和二氧化鋯及複合矽酸鹽等材料的快速采用就是其中一例。 當我們審視沉積材料和過去幾年中，生產 DRAM 設備時用於金屬-絕緣體-金屬 (MIM) 電容器的介電材料采用速率及後續所用的材料變化，這可能是最好的說明。 在這一方麵，化工行業的先驅企業已經迅速從為高質量的氧化鋁 (Al2O3) 共性非晶形膜提供解決方案發展到氧化鉿 (HfO2)
，再到氧化鋯 (ZrO2)。 對於在半導體設備其它功能層采用和集成新型材料，我們認為從時間上看具有相似的發展趨勢。

今年七月
，在舊金山舉行的 Semicon West 展會上，我們針對矽半導體基底的化學氣相沉積 (CVD) 和原子層沉積 (ALD) 工藝公開了新的材料發展規劃。 規劃概述了當前及未來先進的存儲和邏輯設備的發展道路
，包括阻擋層、互連、介電材料和金屬
，我們預期逐步推出

，直至 2014 年完成。