產品特性：

• 將提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度
• 尺寸僅為8x8mm

應用範圍：

• 功率MOSFET
   

功率半導體廠商意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度。

在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內

，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業標準的TO-220大da小xiao的de裸luo片pian，並bing提ti供gong一yi個ge裸luo露lu的de金jin屬shu漏lou極ji焊han盤pan
，有you效xiao排pai除chu內nei部bu產chan生sheng的de熱re量liang。薄bo型xing封feng裝zhuang將jiang使shi設she計ji人ren員yuan能neng夠gou設she計ji更geng薄bo的de電dian源yuan外wai殼ke
，為wei當dang今jin市shi場chang提ti供gong緊jin湊cou時shi尚shang的de新xin產chan品pin。客ke戶hu可ke從cong兩liang個ge公gong司si獲huo得de這zhe款kuan新xin的de標biao準zhun產chan品pin：意法半導體和英飛淩（Infineon Technologies）均將推出采用這個創新封裝的MOSFET晶體管，意法半導體的產品名稱是PowerFLAT™ 8x8 HV，英飛淩的產品名稱是ThinPAK 8x8，從而為客戶提供高品質雙貨源供貨。

新封裝的纖薄外形和優異的散熱性能，結合意法半導體MDmesh V技術的無與倫比的超低單位裸片麵積導通電阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性
，節省印刷電路板空間。意法半導體將在現有的MDmesh V 產品陣容內加入PowerFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET，目前已發布該係列首款產品：650V STL21N65M5。

意法半導體功率晶體管產品部市場總監Maurizio Giudice表示：“我wo們men與yu英ying飛fei淩ling的de合he作zuo卓zhuo有you成cheng效xiao
，已yi開kai發fa出chu一yi項xiang高gao性xing能neng封feng裝zhuang技ji術shu，我wo們men的de客ke戶hu可ke以yi獲huo得de尖jian端duan的de應ying用yong設she計ji和he全quan球qiu兩liang大da功gong率lv半ban導dao體ti廠chang商shang支zhi持chi的de芯xin片pian封feng裝zhuang。這zhe項xiang具ju有you突tu破po性xing的de封feng裝zhuang技ji術shu結jie合he意yi法fa半ban導dao體ti獨du有you的de業ye內nei最zui先xian進jin的deMDmesh V製程
，我們的全新MOSFET將提供相同額定電壓產品中最高的功率密度和能效。”

STL21N65M5的主要特性：

• RDS(ON)：0.190?
• 最大額定輸出電流 （ID）：17A
• 結到外殼熱阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W

采用PowerFLAT 8x8 HV封裝的STL21N65M5現已提供樣片
，量產定於2010年7月。

關於意法半導體的MDmesh™ V技術：

MDmesh V是意法半導體的新一代多漏極網格技術，該項技術可最大限度地降低導通損耗，同時不會對開關性能產生很大的影響。采用這項技術的MOSFET能(neng)夠(gou)讓(rang)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)符(fu)合(he)對(dui)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)能(neng)效(xiao)有(you)更(geng)高(gao)要(yao)求(qiu)的(de)環(huan)保(bao)設(she)計(ji)法(fa)規(gui)
，還(hai)能(neng)讓(rang)他(ta)們(men)有(you)機(ji)會(hui)在(zai)再(zai)生(sheng)能(neng)源(yuan)等(deng)新(xin)興(xing)產(chan)業(ye)中(zhong)尋(xun)找(zhao)市(shi)場(chang)機(ji)遇(yu)

，因(yin)為(wei)在(zai)全(quan)球(qiu)發(fa)展(zhan)新(xin)興(xing)產(chan)業(ye)的(de)浪(lang)潮(chao)中(zhong)


，最(zui)大(da)限(xian)度(du)地(di)降(jiang)低(di)功(gong)率(lv)轉(zhuan)換(huan)損(sun)耗(hao)是(shi)降(jiang)低(di)每(mei)瓦(wa)成(cheng)本(ben)的(de)關(guan)鍵(jian)所(suo)在(zai)。

MDmesh Vjiagougaijinlejingtiguandeloujijiegou，keyouxiaojiangdilouyuandianyajiang，jieguo
，luopiandanweimianjidedaotongdianzufeichangdi
，chicunxiaodeqijianyenengqudechaodidetongtaisunhao。shishishang，zaicaiyongTO-220標準封裝的650V MOSFET產品中，MDmesh V取得了世界最低的 RDS(ON) 記錄。

MDmesh V 器件的柵電荷量(Qg)也很低，在高速開關時能效優異
，RDS(ON) x Qg 性能因數 (FOM)很小。新產品650V的擊穿電壓高於競爭品牌的600V產品的擊穿電壓，為設計工程師提供了十分寶貴的安全裕量。這些器件的 Vdss額定擊穿電壓很高，具有出色的耐dV/dt斜率能力，並100%經過雪崩測試。另一項優勢是，整齊的關斷波形有助於簡化柵極控製，降低對EMI濾波的要求。

現已上市的MDmesh V技術產品采用各種工業標準封裝，包括TO-220、TO-220FP、I2PAK、TO-247和Max247。