公司事件：

•     全球晶圓(Global Foundries)宣布投入EUV微影技術，將於2014~2015年間正式量產

事件影響：

•     EUV是否能成為主流技術，未來1~2年將是重要關鍵

繼晶圓代工大廠台積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術後，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日於SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術，預計於2012年下半將機台導入位於美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)

，將於2014~2015年間正式量產。

由於浸潤式微影(Immersion Lithography)機台與雙重曝光(double-patterning)技術，讓微影技術得以發展至2x奈米
，不過浸潤式微影機台采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已達光學極限

，因此業界發展出采用13.5nm波長的EUV光源

，僅浸潤式微影光源的14分之1。

目前包括英特爾(Intel)、台積電
、三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等半導體大廠皆已向設備廠艾斯摩爾(ASML)采購EUV機台
，投入EUV技術的研發。

Global Foundries資深研發副總Gregg Bartlett表示
，Global Foundries不同於多數同業采購預產(pre-production)設備
，而是直接采購量產型機台
，預計於2012年下半導入位於紐約的12寸廠中，預計2014~2015年間進入量產。

Global Foundries於6月初在台灣宣布擴產計畫，目前興建中的紐約Fab 8原本預計2010下半年啟用
，未來將增加40%廠房空間
，每月產能由4.2萬片增加到6萬片，製程技術由28奈米延伸至22~20奈米，新產能將在 2012年上線
，並於2013年開始量產。

Gregg Bartlett進一步指出，雖然浸潤式微影技術能夠將製程推進到22/20奈米，然而成本高且複雜度也高，因此需要其它的技術，而EUV就是最好的替代方案。

他也表示，Global Foundries是EUV LLC半導體產業聯盟的的初創成員之一，曾參與多項EUV研發的重要裏程碑，其中包括首款EUV測試芯片的生產，因此Global Foundries將繼續維持領先地位，推動整個產業走向EUV的量產。”

Global Foundries主要競爭對手之一的台積電於2010年2月宣布，台積電將取得ASML的EUV微影設備，並安裝在竹科12寸廠Fab 12超大晶圓廠(GigaFab)中
，用以發展新世代的製程技術。

EUV技術由於設備投資金額高昂，加上所需的光罩成本亦相當高昂，然而浸潤式雙重曝光(double patterning)複雜度大增，因此目前在22奈米製程

，哪個技術會是主流尚無定論，而台積電也同時在發展無光罩(maskless)的電子束 (E-beam)技術，因此也讓發展較晚的電子束技術
，扭轉情勢成為22奈米以下製程的候選技術之一。

然而隨ASML的6台EUV設備即將陸續出貨，屆時其量產成果將成為業界的重要指標，EUV是否能成為主流技術
，未來1~2年將是重要關鍵。