IDT3C02的產品特性：

• 100ppm 的總頻率誤差
• 支持標準CMOS 工藝
• 獨特的模擬核設計
• 具有 200nA的低功耗待機模式
• 100μs的快速啟動時間

IDT3C02的應用範圍：

• 適合服務器和企業設計
• 適合采用以太網端口的數據通信設備

致力於豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）宣布，推出業界精度最高的全矽 CMOS 振蕩器，在整個溫度、電壓和其他因數方麵實現了行業領先的 100ppm 總頻率誤差。
   
IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術

，可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基於石英晶體的振蕩器，並采用非常薄的外形
，而無需使用任何機械頻率源或鎖相環（PLL）。該產品專門用於下一代存儲、數據通信和連接接口
，如千兆以太網、SAS、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express。該產品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗、低抖動替代方案，因此非常適合服務器和企業設計，以及采用以太網端口的數據通信設備。
   
IDT 通信事業部副總裁兼總經理 Fred Zust 表示：“憑借其 100ppm 的總頻率誤差
，IDT3C02不愧為計時行業的一個重大突破。作為一個晶振替代品的理想選擇，它擴展了今年早些時候發布的晶圓形式全矽 CMOS 振蕩器，擴展了 IDT 在計時領域的領導地位。”
   
IDT3C02 振蕩器可產生高精度的片上頻率，而無需依賴壓電或機械諧振器。該器件支持標準的現成可用的 CMOS gongyi

，caiyonglekebianchengjiagou，zhichigezhongpeizhixuanxiang，yishiyingguangfandeyingyongfanwei。yexuzhexiexuanxiangzhongzuiweiguanjiandeshigongchangkebianchengdegongzuopinlv，yuchuantongdeshiyingjiejuefanganxiangbi
，youzhuyusuoduanjiaohuoshijian
，baokuoteshuhuohanjiandepinlv。
   
此外，IDT3C02 振蕩器采用一個獨特的模擬核設計，其功耗低於 2.5mA（空載典型值），從而為基於石英和 PLL 的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案，同時在 1MHz 載波偏移條件下實現了一流的 －140dBc/Hz 的相位噪聲。該器件采用業界標準的 5×3.2mm 石英晶體兼容封裝，即低成本
、低高度的 MSL1 塑料 IC 封裝，無需陶瓷密封的封裝。
   
IDT3C02 還具有 200nA（典型值）的低功耗待機模式，以及 100μs（典型值）的(de)快(kuai)速(su)啟(qi)動(dong)時(shi)間(jian)。這(zhe)些(xie)功(gong)能(neng)組(zu)合(he)使(shi)該(gai)器(qi)件(jian)非(fei)常(chang)適(shi)合(he)功(gong)率(lv)敏(min)感(gan)的(de)設(she)計(ji)，允(yun)許(xu)頻(pin)繁(fan)的(de)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)以(yi)進(jin)一(yi)步(bu)節(jie)省(sheng)功(gong)耗(hao)。由(you)於(yu)該(gai)器(qi)件(jian)不(bu)包(bao)含(han)任(ren)何(he)運(yun)動(dong)元(yuan)件(jian)，且(qie)不(bu)使(shi)用(yong)機(ji)械(xie)或(huo)壓(ya)電(dian)電(dian)子(zi)諧(xie)振(zhen)來(lai)產(chan)生(sheng)電(dian)子(zi)頻(pin)率(lv)
，全(quan)矽(gui)的(de)單(dan)片(pian)方(fang)案(an)實(shi)現(xian)了(le)優(you)良(liang)的(de)耐(nai)衝(chong)擊(ji)和(he)振(zhen)動(dong)能(neng)力(li)。

供貨情況
IDT3C02 目前已向合格客戶提供樣品，采用的是 5×3.2mm 封裝。