新聞事件：

• 東芝使用應變矽技術將納米線晶體管驅動力提高58%
• 東芝將綜合6月開發的技術和此次的技術來增加導通電流

事件影響：

• 研究20nm以後的微細化
• 推進絕緣膜的薄膜化

東芝證實，通過在納米線晶體管中使用應變矽（Si）技術
，可將納米線晶體管的驅動力提高58％。該成果已在“2010 IEEE InternatiONal Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”（2010年12月6～8日，美國舊金山）上發布。

為了實現20nm以後的微細化，業內對多種三維（3D）晶體管構造展開了研究。納米線晶體管就是其中之一。該晶體管采用MOS FET的溝道部分由納米級細線形狀的矽構造。由於柵極包圍著細溝道，因此提高了柵極的控製性
，能夠抑製成為微細化課題之一的
、短溝道效應導致的泄漏電流增大現象。不過，納米線晶體管的驅動力較低，也就是說存在導通電流小的問題。

此次東芝在納米線晶體管中使用了應變記憶技術（SMT）。通過由柵電極向溝道施加應力使溝道的矽結晶發生應發，由此來提高載流子遷移率。此次試製的晶體管中
，n型晶體管的導通電流增加58％（截止電流為 1000nA/nm時）。今後東芝將通過綜合運用2010年6月開發的技術和此次的技術，來增加導通電流。2010年6月yue開kai發fa的de技ji術shu可ke通tong過guo優you化hua柵zha極ji側ce壁bi的de加jia工gong以yi及ji旋xuan轉zhuan結jie晶jing方fang向xiang，來lai增zeng加jia導dao通tong電dian流liu。東dong芝zhi的de目mu標biao是shi在zai進jin行xing此ci類lei技ji術shu開kai發fa的de同tong時shi
，推tui進jin絕jue緣yuan膜mo的de薄bo膜mo化hua，使shi導dao通tong電dian流liu增zeng加jia2倍以上。