英飛淩第35億顆高壓MOSFET順利下線
發布時間:2011-02-16 來源:英飛淩
新聞事件:
- 英飛淩第35億顆高壓MOSFET順利下線
事件影響:
- CoolMOS™ 晶體管技術得到不斷優化
近日,英飛淩位於奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛淩成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構,使得CoolMOS™ 晶體管技術不斷優化,這為取得成功奠定了堅實基礎。
在晶體管問世55年後,英飛淩於2002年憑借突破性的CoolMOS™ 晶體管技術,喜獲“德國工業創新獎”。這種高壓功率晶體管提升了一係列產品的能效,例如PC電源、服務器、太陽能逆變器、照(zhao)明(ming)設(she)備(bei)與(yu)通(tong)信(xin)電(dian)源(yuan)設(she)備(bei)等(deng)。而(er)且(qie)這(zhe)些(xie)節(jie)能(neng)晶(jing)體(ti)管(guan)如(ru)今(jin)還(hai)是(shi)各(ge)種(zhong)消(xiao)費(fei)類(lei)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)的(de)核(he)心(xin)器(qi)件(jian),例(li)如(ru)平(ping)板(ban)電(dian)視(shi)和(he)遊(you)戲(xi)機(ji)等(deng)。當(dang)前(qian)所(suo)有(you)電(dian)力(li)工(gong)業(ye)設(she)備(bei)和(he)家(jia)用(yong)電(dian)器(qi)的(de)都(dou)將(jiang)高(gao)能(neng)效(xiao)和(he)節(jie)能(neng)做(zuo)為(wei)主(zhu)要(yao)性(xing)能(neng)指(zhi)標(biao)。采(cai)用(yong)英(ying)飛(fei)淩(ling)的(de)高(gao)能(neng)效(xiao)半(ban)導(dao)體(ti)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)可(ke)使(shi)全(quan)球(qiu)節(jie)省(sheng)25%的能耗。例如,通過選用CoolMOS™產品,服務器電路板的功耗可減少約30W。全球服務器若按約6,000萬台計算,共計可節電18億瓦,這相當於一座核電站的發電量。
英飛淩副總裁兼電源管理與供應分立式器件業務總經理Andreas Urschitz指出:“我們堅持不懈地提升CoolMOS™ 晶jing體ti管guan技ji術shu,確que保bao能neng效xiao達da到dao最zui優you,使shi客ke戶hu具ju備bei強qiang有you力li的de競jing爭zheng優you勢shi。我wo們men為wei實shi現xian資zi源yuan利li用yong可ke持chi續xu利li用yong做zuo出chu了le巨ju大da的de貢gong獻xian,此ci舉ju造zao福fu子zi孫sun後hou代dai。台tai灣wan高gao雄xiong足zu球qiu場chang的de太tai陽yang能neng發fa電dian係xi統tong就jiu是shi采cai用yong我wo們menCoolMOS™ 技術的很成功例子。太陽能逆變器選用CoolMOS™芯片,可確保最高的能效。該太陽能發電站的年發電量可達110萬千瓦小時,並年均減少約660噸的碳排放。”
代表最新技術的650V CoolMOS™ CFD2
英飛淩目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS™ MOSFET。這種全新的650V CoolMOS™ CFD2是全球首款具備650V漏源電壓並集成快速體二極管的高壓晶體管。較軟的換向性能帶來更出色的抗電磁幹擾特性,從而使該器件競爭力首屈一指。CoolMOS™ CFD 2 650V產品具備快速開關超結結構MOSFET的所有優點,例如更高的輕載效率、更低的柵極電荷、方便的使用和出色的可靠性。英飛淩預計這種晶體管的最大潛在市場主要集中在太陽能逆變器、電腦服務器、LED照明和通信設備等領域。
英飛淩的CoolMOS™ 技術
革命性的CoolMOS™ 功率晶體管係列在能效方麵樹立了行業新標杆。作為高壓MOSFET技術的領導者,CoolMOS™ 可大幅降低導通和開關損耗,確保高端電源轉換係統實現高功率密度和高能效。針對應用專門優化的CoolMOS™器件適用於消費類產品、可再生能源、通信電源、適配器和其他產品。憑借其出類拔萃的性價比,CoolMOS™ 成為滿足目前不斷攀升的能源需求的理想之選。尤其是最新的,代表最高技術含量的高壓功率MOSFET使交流/直流電源係統更高效、更緊湊、更輕更涼。這種高壓MOSFET之所以取得這樣的成功,得益於其每種封裝上具備最低的通態電阻、最快的開關速度和最低的柵極驅動需求。
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