新聞事件：

• Vishay功率MOSFET榮獲《電子技術應用》雜誌“中國優秀電子產品”獎

事件影響：

• 功率MOSFET具有業內最低的導通電阻
• 低FOM減少開關應用中的損耗
• 器件的高效率使設計者提高係統的功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET? 榮獲專業媒體《電子技術應用》(AET)的“中國優秀電子產品”獎。

在采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝的60V器件中，SiR662DP 60V N溝道功率MOSFET具有業內最低的導通電阻，以及60V器件中最低的導通電阻與柵極電荷乘積優值係數(FOM)。對於設計者，更低的MOSFET導通電阻使得傳導損耗更低
，可減少功耗，尤其是在重負載條件下。低FOM減(jian)少(shao)了(le)高(gao)頻(pin)和(he)開(kai)關(guan)應(ying)用(yong)中(zhong)的(de)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)，特(te)別(bie)是(shi)在(zai)輕(qing)負(fu)載(zai)和(he)待(dai)機(ji)模(mo)式(shi)下(xia)。器(qi)件(jian)的(de)高(gao)效(xiao)率(lv)使(shi)設(she)計(ji)者(zhe)能(neng)夠(gou)提(ti)高(gao)係(xi)統(tong)的(de)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)
，或(huo)同(tong)時(shi)在(zai)更(geng)綠(lv)色(se)的(de)設(she)計(ji)方(fang)案(an)中(zhong)實(shi)現(xian)更(geng)低(di)的(de)能(neng)源(yuan)損(sun)耗(hao)。

在兩個月的時間內
，用戶通過在www.ChinaAET.com投票的方式選出了中國優秀電子產品獎的獲獎者。118款提名產品中有31款獲獎，SiR662DP榮獲分立元器件類的獎項。