PCIM-ASIA電力電子展上ABB半導體和賽晶電力電子合 作出展

賽晶電力電子集團有限公司將與ABB半導體聯合將參加2012年6月19-21日在上海世博展覽館舉辦的“PCIM-ASIA2012電力電子、 智能運動、可再生能源與能源管理國際展覽會暨研討會”。

在今年PCIM-ASIA電力電子展上
，賽晶電力電子集團有限公司將與ABB半導體聯合參展，將展出ABB半導體、ABB晶閘管
、IGCT、 IGBT、母排等可以滿足各大功率變流裝置選型要求的眾多優勢產品。賽晶集團將繼續致力於提高電力的使用效率和傳輸效率的新技術

、新裝備的研發工作
，以保 持其競爭力和行業領先地位。

yousaijingjituanqixiajiashanhuaruisaijingdianqishebeikejiyouxiangongsizizhuyanfashengchandemibishilengqueshuixunhuanxitongshiyongyudianlidianzixitonggaodianyadagonglvdianziyuanqijiandeshuilengxunhuanjiangwen。benzhuangzhicai 用yong高gao純chun水shui及ji乙yi二er醇chun做zuo循xun環huan介jie質zhi，熱re量liang最zui後hou用yong熱re交jiao換huan器qi，將jiang熱re量liang排pai入ru大da氣qi。內nei循xun環huan水shui在zai完wan全quan密mi閉bi條tiao件jian下xia工gong作zuo，工gong作zuo過guo程cheng中zhong避bi免mian了le循xun環huan介jie質zhi的de蒸zheng發fa損sun失shi
，不bu會hui出chu現xian一yi般ban水shui 冷係統中出現的因結垢、長菌造成的堵塞，也不會造成對換熱器及管道的腐蝕。

PCIMshidianlizhuanhuanyuzhinengyundongdeyingwensuoxie，weilaizidianlidianzichanpinjiqiqudongjishuhebiandianzhiliangyingyongjiedeguangdazhuanyerenshitigongleyigelianghaodejiaoliupingtai，shitamenyoujihuilinglvedian 力電子產品和係統領域的最新研發成果。其展覽會與研討會內容涵蓋分立器件、無源器件、電源管理與IC、散熱管理以及測試測量
、伺服技術和測試設備等。

ABB晶閘管

ABB半導體公司生產的IGCT規格有非對稱型
、反向阻斷型
、反向導通型三種類型，共14種規格。比較成功地用於6000V高壓變頻調速設備中。

此次亮相的複合母排產品，由賽晶集團旗下浙江賽英電力科技有限公司的研發製造,致力於為軌道交通、電力
、新能源、船舶等行業領域提供優質的產品（如圖六、 七
、八）
，公gong司si全quan麵mian引yin進jin國guo外wai先xian進jin的de功gong率lv母mu排pai設she計ji理li念nian與yu製zhi造zao工gong藝yi，同tong時shi瞄miao準zhun國guo際ji上shang的de行xing業ye技ji術shu發fa展zhan趨qu勢shi，不bu斷duan提ti升sheng產chan品pin的de技ji術shu品pin位wei，通tong過guo引yin進jin國guo際ji先xian進jin的de母mu排pai自zi動dong 化生產線與檢測線
，充分保證了母排的生產效率與產品質量。

關於ABB半導體

ABB半導體公司為國際電氣集團ABB下屬的全資子公司，該公司具有超過一百年的功率半導體的設計和生產經驗
，在功率器件的製造技術上一直處於世界領先地 位。功率半導體廣泛應用在電力
、傳動、牽引、化工等各個領域。ABB半導體公司將改變以往主要為核心客戶服務的營銷策略，決定麵向中國市場實行開放式銷售 和服務，為中國基礎工業領域的客戶提供最先進的功率器件並進行技術服務，幫助中國客戶開發自己的電力電子裝置。


關於賽晶電力電子集團有限公司

賽晶電力電子集團有限公司是業內深具影響力的電力係統解決方案供應商和集成商。自2002年「賽晶」品牌正式創立以來
，公司迅速成為最受歡迎電力電子元器 件提供商和廣受業內好評的電力設備及係統供應商之一。由於強調精益求精的產品品質和服務共贏的客戶感受
，「賽晶Sun.King」在品質上一直享有令人盛 讚的聲譽。了解我們。


ABB半導體公司生產的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是三相全橋式逆變模塊（圖四），采用密集型封裝結構係統(母線控製)
，安裝簡便

，有銅底板和無銅底板 係列兩種。SPT結構的IGBT具有如下特性：通態電壓和關斷損耗可降低20%，熱阻無增加，並增加有效電流，皺紋狀表麵有利於散熱，EMC良好的軟開關 波形。目前IGBT的最高水平為：單管
，3000A/5000V；模塊，1200A/3300V，從不串不並的前提出發，IGBT在低於 1000KW的功率範圍內使用。