Spansion推出40nm級浮柵工藝的3.0V單層單元NAND閃存樣品
發布時間:2012-06-11
產品特性:
Spansion近日宣布,開始提供采用40nm級浮柵工藝的3.0V單層單元(SLC) 1Gb、2Gb和4Gb NAND閃存係列樣品,相應的1.8V係列樣品將於2012年底出貨。與多層單元(MLC)的通用存儲SSD相比,SLC適於車載信息娛樂、機頂盒/電視等及無線通信基站的嵌入式數據存儲。
SLC NAND的主要特點為:存儲容量在1Gb-8Gb;25μs隨機存取,25ns順序存取,200μs編程速度,10萬次寫入周期;1位錯誤校正碼(ECC);工作溫度範圍在-40℃至85℃;10年使用壽命。
其他特點還有:48引腳TSOP封裝;標準NAND信號接口和指令集;FFS閃存文件係統軟件。
Spansion市場總監曾子幹解釋稱:“無線通信基站經過1年左右就將對1.8 V的SLC NAND閃存有市場需求,而汽車電子由於嚴的苛可靠性要求,1-3年後才會有此類需求。從容量看,1Gb是目前汽車電子市場的主流需求。”
他還透露了2017年前的SLC NAND產品規劃,出於降低成本考慮,現在采用40nm級浮柵工藝的1Gb-8Gb SLC NAND,將在2012年底發展至30nm級工藝,並在2014年進一步升級至20nm級。
- 存儲容量在1Gb-8Gb
- 工作溫度範圍在-40℃至85℃
- 48引腳TSOP封裝
- 標準NAND信號接口和指令集
- 10年使用壽命
- 車載信息娛樂
- 機頂盒/電視
- 無線通信基站
Spansion近日宣布,開始提供采用40nm級浮柵工藝的3.0V單層單元(SLC) 1Gb、2Gb和4Gb NAND閃存係列樣品,相應的1.8V係列樣品將於2012年底出貨。與多層單元(MLC)的通用存儲SSD相比,SLC適於車載信息娛樂、機頂盒/電視等及無線通信基站的嵌入式數據存儲。
SLC NAND的主要特點為:存儲容量在1Gb-8Gb;25μs隨機存取,25ns順序存取,200μs編程速度,10萬次寫入周期;1位錯誤校正碼(ECC);工作溫度範圍在-40℃至85℃;10年使用壽命。
其他特點還有:48引腳TSOP封裝;標準NAND信號接口和指令集;FFS閃存文件係統軟件。
Spansion市場總監曾子幹解釋稱:“無線通信基站經過1年左右就將對1.8 V的SLC NAND閃存有市場需求,而汽車電子由於嚴的苛可靠性要求,1-3年後才會有此類需求。從容量看,1Gb是目前汽車電子市場的主流需求。”
他還透露了2017年前的SLC NAND產品規劃,出於降低成本考慮,現在采用40nm級浮柵工藝的1Gb-8Gb SLC NAND,將在2012年底發展至30nm級工藝,並在2014年進一步升級至20nm級。
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