產品特性：

• 業界領先的低導通電阻
• 更短的反向恢複時間
• 高速開關性能，顯著降低鳴響等副作用

適用範圍：

• 高速電機驅動、家用電器電機驅動等

瑞薩電子公司，高級半導體解決方案的主要供應商，日前宣布推出三款新型超級結金屬氧化物場效應三極管（超級結MOSFET），具有如下的特點：600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷，適用於高速電機驅動、DC-DC轉換器和DC-AC逆變器應用。這一行業領先的低導通電阻和低柵極電壓的組合平台，同時結合了快速體二極管的性能，使新型RJL60S5DPP
、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE這三款器件有助於提高家用電器電機驅動的效率，如空調等采用帶逆變控製的高速電機的家電。

近jin年nian來lai
，對dui於yu環huan保bao的de日ri益yi重zhong視shi使shi人ren們men不bu斷duan致zhi力li於yu提ti高gao電dian子zi設she備bei的de能neng源yuan效xiao率lv並bing減jian少shao能neng源yuan消xiao耗hao。特te別bie是shi對dui於yu空kong調tiao和he電dian視shi等deng家jia用yong電dian器qi中zhong的de電dian源yuan電dian路lu，更geng加jia強qiang調tiao要yao降jiang低di能neng耗hao並bing提ti高gao效xiao率lv。這zhe就jiu催cui生sheng了le對dui於yu降jiang低di這zhe些xie產chan品pin中zhong，功gong率lv器qi件jian功gong耗hao的de需xu求qiu（這是更低導通電阻和更好的開關特性的功能）
，從而提高整體的能源使用效率。

過去，采用高壓
、高速電機和逆變器的空調和其它家用電器，一般會在一個封裝中采用帶分立式快恢複二極管（FRD）的IGBT
，以實現短的反向恢複時間(trr)。目前，對於更加高速開關的需求，以及在穩態運行和高性能狀態下的更低功耗需求
，產生了對於帶快速恢複體二極管特性的超級結MOSFET的需求。與傳統的平麵架構不同
，超級結MOSFET在zai不bu降jiang低di器qi件jian耐nai壓ya能neng力li的de情qing況kuang下xia，降jiang低di了le導dao通tong電dian阻zu
，使shi其qi可ke以yi產chan生sheng具ju有you每mei單dan位wei麵mian積ji更geng低di的de導dao通tong電dian阻zu。隨sui著zhe行xing業ye向xiang著zhe更geng加jia節jie能neng的de方fang向xiang發fa展zhan，為wei了le滿man足zu對dui於yu這zhe些xie器qi件jian日ri益yi增zeng長chang的de需xu求qiu

，瑞rui薩sa公gong司si利li用yong其qi在zai功gong率lv器qi件jian技ji術shu方fang麵mian積ji累lei的de豐feng富fu經jing驗yan，新xin開kai發fa了le一yi係xi列lie采cai用yong高gao速su體ti二er極ji管guan的de高gao性xing能neng超chao級ji結jieMOSFET，實現了低功耗，並提升了高速開關性能。

新款超級結MOSFET的主要特性：

(1) 業界領先的低導通電阻

憑借從早期為PC服務器和LCD TV等應用所設計的超級結MOSFET器件中積累的經驗，瑞薩已經在具有低柵極電壓的600V功率半導體器件上實現了150 mΩ（典型值）的導通電阻。這就為采用高速電機和逆變控製的家用電器等應用實現了電源效率的改善。

(2)更短的反向恢複時間

新款超級結MOSFET器件具有內置的快速體二極管，其規格優化用於高速電機控製應用。二極管的反向恢複時間顯著縮短，僅為150ns，約為現有類似功率超級結MOSFET器件中二極管的三分之一。

(3)高速開關性能

，顯著降低鳴響等副作用

瑞(rui)薩(sa)通(tong)過(guo)優(you)化(hua)表(biao)麵(mian)結(jie)構(gou)，改(gai)進(jin)了(le)漏(lou)柵(zha)電(dian)容(rong)，從(cong)而(er)最(zui)大(da)限(xian)度(du)地(di)減(jian)少(shao)鳴(ming)響(xiang)
，同(tong)時(shi)還(hai)保(bao)證(zheng)了(le)高(gao)速(su)的(de)開(kai)關(guan)性(xing)能(neng)。這(zhe)一(yi)改(gai)進(jin)有(you)助(zhu)於(yu)降(jiang)低(di)功(gong)耗(hao)和(he)穩(wen)定(ding)操(cao)作(zuo)，特(te)別(bie)適(shi)用(yong)於(yu)三(san)相(xiang)橋(qiao)式(shi)電(dian)路(lu)，廣(guang)泛(fan)用(yong)於(yu)高(gao)速(su)電(dian)機(ji)和(he)逆(ni)變(bian)器(qi)控(kong)製(zhi)應(ying)用(yong)中(zhong)。

瑞薩通過提供總的信號鏈解決方案持續為客戶提供技術支持，方案將微控製器(MCU)與模擬和功率器件相結合，並希望增加其作為功率半導體器件全球領先供應商的地位。瑞薩考慮將這一新的高精度超級結MOSETqijianxiliezuoweiqigaoyagonglvqijianzhenliedehexin
，zhizaijinyibuzengqiangqichanpinxilie。ruisahaijiangzhenduidianjihefanjiqiyingyongkuodaqipeitaojiejuefangandefanwei，jiangxindechaojijieMOSFET器件與瑞薩RL78係列低功率MCU
，RX係列中檔MCU、以及用以驅動功率半導體器件的光耦相結合。整合了新型超級結MOSFET器件的參考開發板也計劃推出，從而為客戶提供配套評估和產品設計方麵的支持。

新型超級結MOSFET的產品規格

所有產品版本共有的項目
－　額定通道溫度 (Tch): +150°C
－　額定漏極電壓 (VDSS): 600 V
－　額定的柵極源電壓(VGSS): ±30 V
－　額定的漏電流(ID): 20 A at Tc = 25 C
－　導通電阻 (RDS(on))
，典型值: 150 mΩ (當 ID = 10 A, VGS = 10 V時)
－　反向傳輸電容 (Crss)，典型值: 13 pF (VDS = 25 V)
－　柵極源闕值電壓 (VGS (OFF)): Min. 3 V 至最大 5 V
－　體二極管FRD 前向電壓(VF): 0.96 V (當 IF = 10 A時)
－　體二極管FRD 反向恢複時間(trr): 150 ns (當ID = 20 A時)

封裝
－　RJL60S5DPP-E0: TO-220FP
－　RJL60S5DPK-M0: TO-3PSG
－　RJL60S5DPE-00: LDPAK