隨著科技的進步，EMI所帶來的問題越來越多，因為電子應用正在轉向各種無線通信或者便攜式平台，所以大多數幹擾 EMI 信號最終都以傳導 EMI 的形式進入到 PCB 線跡中。另外
，模擬傳感器電路也成為巨大的 EMI 吸xi收shou器qi，因yin為wei傳chuan感gan器qi電dian路lu常chang常chang產chan生sheng低di電dian平ping信xin號hao
，並bing且qie有you許xu多duo高gao阻zu抗kang模mo擬ni端duan口kou。另ling外wai
，這zhe些xie電dian路lu使shi用yong更geng加jia緊jin湊cou的de組zu件jian間jian隔ge
，其qi讓rang係xi統tong更geng容rong易yi截jie獲huo和he傳chuan導dao噪zao聲sheng幹gan擾rao，從cong而er進jin入ru到dao線xian跡ji中zhong。

在這種情況下，運算放大器便會成為一個主要目標。文中圖 1 所示 EMI 信號引起 1.5 伏的偏移電壓誤差，一個標準的運算放大器有 3 個低阻抗引腳（正功率、負功率和輸出）以及 2 個高阻抗輸入引腳（請參見圖 1a）。盡管這些引腳可以抵抗 EMI 影響
，但是輸入引腳最為脆弱。
 

EMIRR 電磁幹擾抑製比

電壓反饋放大器的反相和非反相引腳的特性基本相同。但是，非反相輸入（請參見圖 1b）的放大器 EMI 耐受度測試最為簡單。
 

方程式 1 中，VRF_PEAK 為所用 RF 電壓的峰值，VOS 為放大器的 DC 偏移電壓，而 100 mVP 為 100 mVP 輸入信號 EMIRR IN+ 參考。
 
可以利用 EMIRR 衡量標準
，比較放大器的 EMI 抑製性能。圖 2 顯示了　TI OPA333 CMOS 運算放大器的 EMIRR IN+ 響應。該圖表明，這種器件可以較好地抑製器件300 kHz帶寬以上的頻率信號。
 
相比外部 RC 濾波器，集成電路內部 EMI 濾波器擁有三個方麵的好處。潛在用戶可以對包含集成濾波器的放大器的性能進行測試，以保證其在較寬頻率範圍的 EMI 抑製性能(2)。wuyuanlvboqizujianzaijishengdianronghedianganfangmianbingbulixiang，qixianzhilelvboqiyizhishengaopinzaoshengdenengli。yuzhixingchengduibideshi
，jichengdianluyupianshangwuyuanzujiandedianqite 性十分匹配。最後，使用內部濾波器的集成電路還可以給客戶帶來其它一些好處

，例如：組件數目更少、成本更低和電路板麵積更小等。

為了降低電路的 EMI 敏(min)感(gan)度(du)
，電(dian)路(lu)板(ban)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)應(ying)始(shi)終(zhong)注(zhu)意(yi)使(shi)用(yong)良(liang)好(hao)的(de)布(bu)局(ju)方(fang)法(fa)。可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)讓(rang)線(xian)跡(ji)長(chang)度(du)盡(jin)可(ke)能(neng)的(de)短(duan)
，使(shi)用(yong)表(biao)麵(mian)貼(tie)裝(zhuang)組(zu)件(jian)，以(yi)及(ji)使(shi)用(yong)具(ju)有(you)專(zhuan)用(yong)信(xin)號(hao)回(hui)路(lu)接(jie)地(di)層(ceng)的(de)印(yin)製(zhi)電(dian)路(lu)板(ban) (PCB)
，laishixianshangshumubiao。jinkenengdibaochijiedicengwanzheng，bingrangshuzixinhaoyuanlimonixinhaotonglu。lingwai，jiangshepinpangludianrongqifangzhizaisuoyoujichengdianludianyuanyinjiaoshang。rangzhexiedianrong 器靠近器件引腳，並確保在潛在 EMI 頻率下其阻抗盡可能地接近 0 歐姆。