兩款新型產品保證有10萬億次的讀寫次數，大約是現有芯片的10倍
，適合用於智能電表、工業機械和醫療設備。與容量相同的EEPROM相比，寫入時可減少92%的功耗。另外，由於新款FRAM可以把所有係統存儲器器件（主要包括EEPROM
、SRAM和用於保持數據的電池）所需的技術集成到單一芯片上，因此可大幅降低器件成本，占板麵積和功耗。這相應地極大地有助於開發小型和節能設備，使維修更加簡易，因此不再需要備用電池。


FRAM具有兩種特性：非易失性，即使關閉電源也能保存數據；隨機存取，可以快速寫入數據。即使發生突然電源故障和停電時


，FRAM也可以安全存儲正在寫入的數據
，所以可以在斷電前保證立刻保護芯片信息和存儲數據。憑借該能力
，自從1999年量產後，富士通半導體的FRAM產品一直廣泛應用於工業自動化設備、測量設備、銀行終端以及醫療設備等。

對於包括智能電表和其它測量設備、工業機械以及醫療設備（如助聽器）－所有的這些設備都需要帶串口的1-2 Mbit 非易失存儲器－現在可以使用富士通半導體的新型FRAM產品取代傳統的EEPROM。在(zai)快(kuai)速(su)寫(xie)入(ru)方(fang)麵(mian)的(de)改(gai)善(shan)可(ke)以(yi)使(shi)性(xing)能(neng)更(geng)高(gao)，同(tong)時(shi)可(ke)使(shi)由(you)於(yu)電(dian)壓(ya)突(tu)然(ran)下(xia)降(jiang)或(huo)者(zhe)停(ting)電(dian)引(yin)起(qi)的(de)數(shu)據(ju)丟(diu)失(shi)風(feng)險(xian)降(jiang)至(zhi)最(zui)低(di)。針(zhen)對(dui)寫(xie)入(ru)時(shi)所(suo)消(xiao)耗(hao)的(de)電(dian)量(liang)，新(xin)產(chan)品(pin)比(bi)EEPROM少消耗92%的電量
，可以延長電池壽命。

作為對其FRAM 產品陣容的更新，富士通半導體最近開發了MB85RS1MT (1 Mbit) 和 MB85RS2MT (2 Mbit)
，這兩款產品代表了公司迄今為止帶有SPI 串口的最高密度的FRAM產品。該係列產品讀寫次數提高到10萬億次，是富士通現行FRAM產品的10倍，因此可為實時連續數據記錄提供更好的支持。



樣品發布日期



展望未來，富士通半導體將繼續提供解決方案，幫助客戶提高終端產品的性能
，促進客戶現場設備的維護，並最大程度地降低風險。