安森美半導體持續擴充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產品陣容，應用於消費類電器及工業應用的高性能電源轉換(HPPC)。安森美半導體新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件改善開關特性，降低損耗達30%
，因yin而er提ti供gong更geng高gao能neng效xiao，並bing轉zhuan化hua為wei更geng低di的de外wai殼ke溫wen度du，為wei設she計ji人ren員yuan增zeng強qiang係xi統tong總zong體ti性xing能neng及ji可ke靠kao性xing的de選xuan擇ze。這zhe些xie新xin器qi件jian針zhen對dui目mu標biao應ying用yong進jin行xing了le優you化hua，相xiang比bi現xian有you器qi件jian能neng降jiang低di外wai殼ke溫wen度du達da20%。


安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：“電(dian)器(qi)的(de)使(shi)用(yong)數(shu)量(liang)持(chi)續(xu)增(zeng)多(duo)，使(shi)不(bu)斷(duan)增(zeng)長(chang)的(de)工(gong)業(ye)及(ji)消(xiao)費(fei)市(shi)場(chang)的(de)總(zong)能(neng)耗(hao)穩(wen)步(bu)上(shang)升(sheng)。安(an)森(sen)美(mei)半(ban)導(dao)體(ti)持(chi)續(xu)開(kai)發(fa)薄(bo)晶(jing)圓(yuan)工(gong)藝(yi)及(ji)植(zhi)入(ru)技(ji)術(shu)，能(neng)夠(gou)顯(xian)著(zhu)提(ti)升(sheng)IGBT性能
，而這對配合更多高能效方案的需求極為重要。”

新型IGBT器件特性：

公司推出的FSII IGBT首組產品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW

；這些器件優化了開關性能並降低了導電損耗

，用於采用15千赫茲(kHz)到30kHz的de中zhong等deng頻pin率lv工gong作zuo的de電dian磁ci加jia熱re和he軟ruan開kai關guan應ying用yong。器qi件jian在zai大da電dian流liu時shi提ti供gong極ji佳jia的de強qiang固gu性xing和he優you異yi的de導dao通tong狀zhuang態tai特te性xing

，根gen據ju係xi統tong要yao求qiu經jing過guo優you化hua，以yi提ti供gong更geng高gao能neng效xiao及ji降jiang低di係xi統tong損sun耗hao。這zhe些xie高gao速suIGBT提供領先業界的係統級性能，用於電磁加熱產品
，如電火鍋
、電飯煲及微波爐等電器。這係列器件提供1,200伏(V)及1,350V平台版本，額定電流涵蓋20安培(A)、30A及40A。

增強的熱性能：

安森美半導體的FSII IGBT技術進一步擴充，新產品還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG係列器件，專門設計用於太陽能逆變器、不間斷電源係統(UPS)及變頻焊機應用。這些器件提供增強的熱性能，結點工作溫度範圍達-55到+175°C，並將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下的100A。

安森美半導體提供高品質及可靠IGBT的實力悠久，其中通過汽車行業AEC-Q認證的IGBT量產已經超過十年。2011年
，公司開始開發新的高壓/大電流IGBT
，用於不斷增長、持續需求高能效方案的工業及消費類市場。安森美半導體采用專有溝槽場截止型IGBT技術的首個完整產品係列於2012年發布，媲美互相競爭的技術。此次發布的最新FSII IGBT技術使安森美半導體居市場領先地位。

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