近日，Molex公司推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側高DDR3 DIMM存儲器模塊插座產品組合，兩個產品係列均適用於電信、網絡和存儲係統、先進計算平台、工業控製和醫療設備中要求嚴苛的存儲器應用。

DDR3性對於DDR2技術優勢：

DDR3是為支持800-1600Mbps的數據速率（頻率400-800MHz）而製定的DDR DRAM接口技術
，該數據速率是DDR2接口的兩倍。采用標準1.5V工作電壓，DDR3對比DDR2減少了30%的功耗。Molex的DDR3 DIMM插座的底座麵比標準設計更低
，在ATCA刀片係統中可以使用最大底座高度低於2.80mm的極低側高模塊，新型DDR3 DIMM插座還具有10mΩ的低電平接觸電阻

，以便使用注冊DIMM模塊並且在刀片式服務器中降低功耗。

Molex產品經理Douglas Jones表示：“隨著對更高帶寬的需求繼續增長，能夠以較快速率傳輸數據而不犧牲寶貴的空間或功率是至關重要的。使用DDR3 DIMM插座，讓我們的客戶不僅能夠充分利用最高性能的存儲器互連的優勢
，而且又能維持或減小現有封裝尺寸並降低功耗。”

Molex新推出的兩款產品係列特征：

Molex空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型外殼和he閉bi鎖suo設she計ji，以yi實shi現xian氣qi流liu最zui大da化hua
，並bing消xiao除chu運yun作zuo期qi間jian聚ju集ji的de熱re空kong氣qi。人ren類lei環huan境jing學xue閉bi鎖suo設she計ji能neng夠gou實shi現xian快kuai速su動dong作zuo，並bing且qie輕qing易yi移yi開kai高gao密mi度du存cun儲chu器qi模mo塊kuai。2.40mm的低底座麵優化了垂直空間，能更靈活地設計插座模塊的高度。空氣動力型DDR3 DIMM插座用於極低側高壓接(14.26mm)、低側高壓接(22.03mm)、低側高SMT(21.34mm)和極低側高SMT(14.20mm)高度，與標準壓接終端相比
，這些壓接插座的針孔型順應引腳更小，有效節省了寶貴的PCB空間，以適用於較高密度的電子線路設計。Molex所有空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，SMT型款不含有鹵素。

Molex超低側高DDR3 DIMM插座的底座麵高僅1.10mm，為業內最低。該插座在PCB上提供最高20.23mm垂直空間
，用於安裝高密度DIMM，適用於要求符合ATCA電路板機械規範的應用，這項規範要求前PCB板一側的元件高度不能超過21.33mm。超低側高DDR3 DIMM插座的閉鎖動作的角度較小，所需的PCB空間也比標準DIMMgengshao，jigaishanleqiliu，youshixianlegengtiejindeyuanjiananzhuang。xinxingwulusuchazuojuyoubolitianchongdegaowennilongwaikehebisuozhuangzhi
，keyishiyongbofenghanhegaowenhongwaihuiliuhanyunzuo。

Molex推出的這兩個產品係列，功耗更低，具有流線型外殼和閉鎖設計，以實現氣流最大化
；壓接插座的針孔型順應引腳更小
，有效節省了PCB空間，均適用於電信、網絡和存儲係統
、先進計算平台、工業控製和醫療設備中要求嚴苛的存儲器應用。

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