理想二極管橋控製器:極限減少整流器發熱量和電壓損失
發布時間:2013-06-13 責任編輯:Cynthiali
【導讀】淩力爾特日前重磅推出用於 9V 至 72V係統的理想二極管橋控製器 LT4320。采用低損耗 N 溝道 MOSFET 替代了全波橋式整流器中的全部 4 個二極管,能顯著降低功率耗散並增加可用電壓。並因免除了笨重的散熱器而縮減了電源尺寸。
淩力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款用於 9V 至 72V係統的理想二極管橋控製器 LT4320。其采用低損耗 N 溝道 MOSFET 替代了全波橋式整流器中的全部 4 個(ge)二(er)極(ji)管(guan),以(yi)顯(xian)著(zhu)地(di)降(jiang)低(di)功(gong)率(lv)耗(hao)散(san)並(bing)增(zeng)加(jia)可(ke)用(yong)電(dian)壓(ya)。由(you)於(yu)電(dian)源(yuan)效(xiao)率(lv)的(de)提(ti)升(sheng)免(mian)除(chu)了(le)笨(ben)重(zhong)的(de)散(san)熱(re)器(qi),因(yin)此(ci)縮(suo)減(jian)了(le)電(dian)源(yuan)尺(chi)寸(cun)。通(tong)過(guo)免(mian)除(chu)二(er)極(ji)管(guan)橋(qiao)中(zhong)固(gu)有(you)的(de)兩(liang)個(ge)二(er)極(ji)管(guan)壓(ya)降(jiang)提(ti)供(gong)了(le)額(e)外(wai)的(de)裕(yu)度(du),低(di)電(dian)壓(ya)應(ying)用(yong)將(jiang)從(cong)中(zhong)獲(huo)益(yi)。與(yu)傳(chuan)統(tong)的(de)替(ti)代(dai)方(fang)案(an)相(xiang)比(bi),MOSFET 橋可實現具有高空間利用率和電源效率的整流器設計。控製器的工作頻率範圍為 DC 至 600Hz。
LT4320 開關控製電路平穩地接通兩個適當的 MOSFET,同時將另外兩個 MOSFET 保持在關斷狀態以防止反向電流。一個集成型充電泵負責為外部低導通電阻 N 溝道 MOSFET 提供柵極驅動,並不需要外部電容器。MOSFET 的選擇在 1W 到幾千瓦的功率級別範圍內提供了最大的靈活性。
LT4320 提供了兩種選項:LT4320 設計用於 DC 至 60Hz 電壓整流,而 LT4320-1 則專為 DC 至 600Hz 電壓整流而設計。LT4320 規格在 -40oC 至 85oC 的工業溫度範圍,其可提供緊湊型 8 引腳 3mm x 3mm DFN 封裝,以及具有增大的高電壓引腳間距的 12 引腳 MSOP 封裝。以 1,000 片為單位批量購買,每片價格為 2.95 美元,該器件現可按生產批量供貨。評估電路板可在線獲取,或通過當地的淩力爾特銷售辦事處獲得。

有源橋式整流器可節省功率和電壓
性能概要:LT4320
• 二極管橋整流器的低損耗替代方案
• 控製 N 溝道 MOSFET
• 最大限度地提高了電源效率
• 消除了熱設計問題
• 最大限度地增加了可用電壓
• 9V 至 72V 工作電壓範圍
• DC 至 600Hz 工作頻率範圍
• 1.5mA 靜態電流
• -40°C 至 +85°C 保證溫度範圍
• 8 引腳 3mm x 3mm DFN 封裝和 12 引腳 MSOP 封裝

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