形象記憶法 ：

學(xue)過(guo)能(neng)量(liang)守(shou)恒(heng)定(ding)律(lv)的(de)我(wo)們(men)都(dou)知(zhi)道(dao)，能(neng)量(liang)不(bu)會(hui)無(wu)緣(yuan)無(wu)故(gu)的(de)產(chan)生(sheng)，所(suo)以(yi)由(you)此(ci)可(ke)見(jian)三(san)極(ji)管(guan)一(yi)定(ding)不(bu)會(hui)產(chan)生(sheng)能(neng)量(liang)。它(ta)隻(zhi)是(shi)把(ba)電(dian)源(yuan)的(de)能(neng)量(liang)轉(zhuan)換(huan)成(cheng)信(xin)號(hao)的(de)能(neng)量(liang)罷(ba)了(le)。但(dan)三(san)極(ji)管(guan)厲(li)害(hai)的(de)地(di)方(fang)在(zai)於(yu)：它(ta)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)小(xiao)電(dian)流(liu)控(kong)製(zhi)大(da)電(dian)流(liu)。假(jia)設(she)三(san)極(ji)管(guan)是(shi)個(ge)大(da)壩(ba)，這(zhe)個(ge)大(da)壩(ba)奇(qi)怪(guai)的(de)地(di)方(fang)是(shi)，有(you)兩(liang)個(ge)閥(fa)門(men)，一(yi)個(ge)大(da)閥(fa)門(men)
，一(yi)個(ge)小(xiao)閥(fa)門(men)。小(xiao)閥(fa)門(men)可(ke)以(yi)用(yong)人(ren)力(li)打(da)開(kai)
，大(da)閥(fa)門(men)很(hen)重(zhong)
，人(ren)力(li)是(shi)打(da)不(bu)開(kai)的(de)，隻(zhi)能(neng)通(tong)過(guo)小(xiao)閥(fa)門(men)的(de)水(shui)力(li)打(da)開(kai)。所(suo)以(yi)，平(ping)常(chang)的(de)工(gong)作(zuo)流(liu)程(cheng)便(bian)是(shi)，每(mei)當(dang)放(fang)水(shui)的(de)時(shi)候(hou)，人(ren)們(men)就(jiu)打(da)開(kai)小(xiao)閥(fa)門(men)，很(hen)小(xiao)的(de)水(shui)流(liu)涓(juan)涓(juan)流(liu)出(chu)
，這(zhe)涓(juan)涓(juan)細(xi)流(liu)衝(chong)擊(ji)大(da)閥(fa)門(men)的(de)開(kai)關(guan)，大(da)閥(fa)門(men)隨(sui)之(zhi)打(da)開(kai)，洶(xiong)湧(yong)的(de)江(jiang)水(shui)滔(tao)滔(tao)流(liu)下(xia)。如(ru)果(guo)不(bu)停(ting)地(di)改(gai)變(bian)小(xiao)閥(fa)門(men)開(kai)啟(qi)的(de)大(da)小(xiao)，那(na)麼(me)大(da)閥(fa)門(men)也(ye)相(xiang)應(ying)地(di)不(bu)停(ting)改(gai)變(bian)，假(jia)若(ruo)能(neng)嚴(yan)格(ge)地(di)按(an)比(bi)例(li)改(gai)變(bian)，那(na)麼(me)，完(wan)美(mei)的(de)控(kong)製(zhi)就(jiu)完(wan)成(cheng)了(le)。

我們可以這樣形容這個過程：這裏我們可以設定Ube是小水流


，Uce是(shi)大(da)水(shui)流(liu)

，人(ren)就(jiu)是(shi)輸(shu)入(ru)信(xin)號(hao)。當(dang)然(ran)，如(ru)果(guo)把(ba)水(shui)流(liu)比(bi)為(wei)電(dian)流(liu)的(de)話(hua)，會(hui)更(geng)確(que)切(qie)
，因(yin)為(wei)三(san)極(ji)管(guan)畢(bi)竟(jing)是(shi)一(yi)個(ge)電(dian)流(liu)控(kong)製(zhi)元(yuan)件(jian)。如(ru)果(guo)水(shui)流(liu)處(chu)於(yu)可(ke)調(tiao)節(jie)的(de)狀(zhuang)態(tai)
，這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)就(jiu)是(shi)三(san)極(ji)管(guan)中(zhong)的(de)線(xian)性(xing)放(fang)大(da)區(qu)。如(ru)果(guo)那(na)個(ge)小(xiao)的(de)閥(fa)門(men)開(kai)啟(qi)的(de)還(hai)不(bu)夠(gou)，不(bu)能(neng)打(da)開(kai)大(da)閥(fa)門(men)，這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)就(jiu)是(shi)三(san)極(ji)管(guan)中(zhong)的(de)截(jie)止(zhi)區(qu)。如(ru)果(guo)小(xiao)的(de)閥(fa)門(men)開(kai)啟(qi)的(de)太(tai)大(da)了(le)
，以(yi)至(zhi)於(yu)大(da)閥(fa)門(men)裏(li)放(fang)出(chu)的(de)水(shui)流(liu)已(yi)經(jing)到(dao)了(le)它(ta)極(ji)限(xian)的(de)流(liu)量(liang)，這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)就(jiu)是(shi)三(san)極(ji)管(guan)中(zhong)的(de)飽(bao)和(he)區(qu)。但(dan)是(shi)你(ni)關(guan)小(xiao)小(xiao)閥(fa)門(men)的(de)話(hua)，可(ke)以(yi)讓(rang)三(san)極(ji)管(guan)工(gong)作(zuo)狀(zhuang)態(tai)從(cong)飽(bao)和(he)區(qu)返(fan)回(hui)到(dao)線(xian)性(xing)區(qu)。如(ru)果(guo)有(you)水(shui)流(liu)存(cun)在(zai)一(yi)個(ge)水(shui)庫(ku)中(zhong)，水(shui)位(wei)太(tai)高(gao)(相應與Uce太大)

，導致不開閥門江水就自己衝開了
，這就是二極管的反向擊穿。PN結的擊穿又有熱擊穿和電擊穿。當反向電流和反向電壓的乘積超過PN結容許的耗散功率
，直至PN結過熱而燒毀，這種現象就是熱擊穿。電擊穿的過程是可逆的，當加在PN結兩端的反向電壓降低後，管子仍可以恢複原來的狀態。電擊穿又分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩類
，一般兩種擊穿同時存在。電壓低於5-6V的穩壓管，齊納擊穿為主，電壓高於5-6V的穩壓管，雪崩擊穿為主。電壓在5-6V之間的穩壓管，兩種擊穿程度相近，溫度係數最好
，這就是為什麼許多電路使用5-6V穩壓管的原因。

xueguomodianderenyinggaidouyudaoguo
，monidianluzhongyibanfamenshibankaide，tongguokongzhiqikaiqidaxiaolaijuedingshuchushuiliudedaxiao。meiyouxinhaodeshihou，shuiliuyehuiliu，suoyi

，bugongzuodeshihou
，yehuiyougonghao。erzaishuzidianluzhong，famenzechuyukaihuoshiguanlianggezhuangtai。dangbugongzuodeshihou，famenshiwanquanguanbide，meiyougonghao。biruyongdanpianjiwaijiesanjiguanqudongshumaguanshi
，queshihuiduidanpianjiguanjiaoshuchudianliujinxingyidingchengdudefangda，congershidianliuzugoudadaokeyiqudongshumaguan。dancishisanjiguanbingbugongzuozaiqitexingquxiandefangdaqu，ershigongzuozaikaiguanzhuangtai(飽和區)。當單片機管腳沒有輸出時，三極管工作在截止區

，輸出電流約等於0。在製造三極管時，要把發射區的N型半導體電子濃度做的很大，基區P型半導體做的很薄，當基極的電壓大於發射極電壓(矽管要大0.7V，鍺管要大0.3V)而小於集電極電壓時，這時發射區的電子進入基區，進行複合，形成Ie；但由於發射區的電子濃度很大
，基區又很薄
，電子就會穿過反向偏置的集電結到集電區的N型半導體裏，形成Ic；基區的空穴被複合後，基極的電壓又會進行補給
，形成Ib。
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理論記憶法：

下麵我們來說一下理論記憶法，根據下圖我們可以設定三極管的發射結和集電結均為反向偏置(VBE<0，VBC<0)
，隻有很小的反向漏電流IEBO和ICBO分別流過兩個結，故iB≈ 0
，iC≈ 0，VCE ≈ VCC，對應於下圖中的A點。這時集電極回路中的c、e極之間近似於開路，相當於開關斷開一樣。BJT的這種工作狀態稱為截止。 

根據示意圖可知
，當發射結和集電結均為正向偏置(VBE>0，VBC>0)時，調節RB

，使IB=VCC / RC，則BJT工作在上圖中的C點
，集電極電流iC已接近於最大值VCC / RC，由於iC受到RC的限製，它已不可能像放大區那樣隨著iB的增加而成比例地增加了，此時集電極電流達到飽和
，對應的基極電流稱為基極臨界飽和電流IBS，而集電極電流稱為集電極飽和電流ICS(VCC / RC)。此後，如果再增加基極電流
，則飽和程度加深，但集電極電流基本上保持在ICS不再增加，集電極電壓VCE=VCC-ICSRC=VCES=2.0-0.3V。這個電壓稱為BJT的飽和壓降，它也基本上不隨iB增加而改變。由於VCES很小
，集電極回路中的c、e極之間近似於短路，相當於開關閉合一樣。BJT的這種工作狀態稱為飽和。由於BJT飽和後管壓降均為0.3V，而發射結偏壓為0.7V，因此飽和後集電結為正向偏置
，即BJT飽和時集電結和發射結均處於正向偏置
，這是判斷BJT工作在飽和狀態的重要依據。下圖示出了NPN型BJT飽和時各電極電壓的典型數據。

因yin此ci我wo們men可ke以yi得de出chu結jie論lun
，那na就jiu是shi在zai開kai關guan電dian路lu中zhong三san極ji管guan相xiang當dang於yu一yi個ge由you基ji極ji電dian流liu所suo控kong製zhi的de無wu觸chu點dian開kai關guan。三san極ji管guan處chu於yu放fang大da狀zhuang態tai還hai是shi開kai關guan狀zhuang態tai要yao看kan給gei三san極ji管guan基ji極ji加jia的de電dian流liuIb(偏流)，隨這個電流變化，三極管工作狀態由截止-線性區-飽和狀態變化而變。BJT截止時相當於開關“斷開”

，而飽和時相當於開關“閉合”。NPN型BJT截止、放大
、飽和三種工作狀態的特點列於下表中。