導通

在負載電流過零時，門極用直流或單極脈衝觸發
，優先采用負的門極電流
，理由如下。若運行在3+象限，由於雙向可控矽的內部結構


，門極離主載流區域較遠，導致下列後果：

1.高IGT：需要高峰值IG。

2.由IG觸發到負載電流開始流動，兩者之間遲後時間較長：要求IG維持較長時間。

3.低得多的dIT/dt承受能力：若控製負載具有高dI/dt值（例如白熾燈的冷燈絲），門極可能發生強烈退化。

4.高IL值（1-工況亦如此）：對於很小的負載
，若在電源半周起始點導通，可能需要較長時間的IG
，才能讓負載電流達到較高的IL。在標準的AC相位控製電路中，如燈具調光器和家用電器轉速控製，門極和MT2的極性始終不變。這表明，工況總是在1+和3-象限，這裏雙向可控矽的切換參數相同。這導致對稱的雙向可控矽切換，門極此時最靈敏。

說明：以1+、1-、3-和3+標誌四個觸發象限，完全是為了簡便，例如用1+取代“MT2+
，G+”等等。這是從雙向可控矽的V/I特性圖導出的代號。正的MT2相應正電流進入MT2，相反也是（見圖3）。實際上，工況隻能存在1和3象限中。上標+和-分別表示門極輸入或輸出電流。

將上述內容進行精華總結，就是本文中想要向大家傳達的，雙向可控矽中導通的關鍵準則：設計雙向可控矽觸發電路時
，隻要有可能
，就要避開3+象限（WT2-，G+）。

本(ben)文(wen)針(zhen)對(dui)雙(shuang)向(xiang)可(ke)控(kong)矽(gui)應(ying)用(yong)中(zhong)關(guan)於(yu)導(dao)通(tong)方(fang)麵(mian)的(de)內(nei)容(rong)進(jin)行(xing)精(jing)華(hua)總(zong)結(jie)，給(gei)出(chu)言(yan)簡(jian)意(yi)賅(gai)總(zong)結(jie)內(nei)容(rong)的(de)同(tong)時(shi)，還(hai)將(jiang)規(gui)則(ze)的(de)由(you)來(lai)與(yu)原(yuan)理(li)進(jin)行(xing)了(le)講(jiang)解(jie)，方(fang)便(bian)讀(du)者(zhe)理(li)解(jie)。在(zai)進(jin)行(xing)雙(shuang)向(xiang)可(ke)控(kong)矽(gui)設(she)計(ji)之(zhi)前(qian)不(bu)妨(fang)花(hua)上(shang)幾(ji)分(fen)鍾(zhong)來(lai)閱(yue)讀(du)本(ben)文(wen)
，詳(xiang)細(xi)一(yi)定(ding)會(hui)有(you)意(yi)想(xiang)不(bu)到(dao)的(de)收(shou)獲(huo)。

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