英飛淩2017再創佳績 2018專注汽車電子等高增長市場
發布時間:2018-02-08 責任編輯:xueqi
【導讀】在一年一度的英飛淩媒體迎春會上,英飛淩科技(中國)有限公司大中華區總裁蘇華博士同電子行業媒體代表共聚一堂,分享了英飛淩2017財年的業務發展,展望了剛剛到來的2018年的市場熱點。
2017財年,英飛淩的業績持續增長。英飛淩全球營收額達到70.63億歐元,相比去年增長9%,利潤率達17.1%。蘇華博士表示:“盡管受到美元走弱的影響,我們仍比預期提前實現了2017財年年初調高的中期利潤目標。在智能卡芯片領域,英飛淩繼續保持世界第一。功率半導體是英飛淩的強項,一直保持接近20%的de全quan球qiu市shi場chang份fen額e。此ci外wai,英ying飛fei淩ling在zai全quan球qiu汽qi車che半ban導dao體ti市shi場chang位wei居ju第di二er的de領ling導dao地di位wei。剛gang剛gang結jie束shu的de美mei國guo拉la斯si維wei加jia斯si國guo際ji消xiao費fei類lei電dian子zi展zhan上shang,我wo們men和he百bai度du共gong同tong宣xuan布bu,英ying飛fei淩ling加jia入ru百bai度du阿e波bo羅luo計ji劃hua。基ji於yu百bai度du人ren工gong智zhi能neng和he自zi動dong駕jia駛shi能neng力li以yi及ji英ying飛fei淩ling汽qi車che電dian子zi硬ying件jian平ping台tai的de優you勢shi,雙shuang方fang將jiang開kai展zhan深shen入ru合he作zuo,致zhi力li於yu推tui動dong自zi動dong駕jia駛shi技ji術shu的de快kuai速su發fa展zhan。相xiang信xin在zai不bu遠yuan的de將jiang來lai,利li用yong在zai中zhong國guo市shi場chang的de優you勢shi,英ying飛fei淩ling能neng夠gou重zhong回hui第di一yi。”

圖1:英飛淩科技(中國)有限公司大中華區總裁蘇華博士
據蘇華博士介紹,英飛淩2017財年的突出業績具體表現在以下幾個方麵。 首先,英飛淩持續提高生產力並擴大產能。位於德國的德累斯頓工廠300mm薄晶圓產能擴張發揮了關鍵作用。截至2017年底,英飛淩已配備高達30%的無塵室及工具,帶來的生產率的提高將大幅降低每顆芯片的製造成本。
其次,英飛淩重視技術研發。2017財年,英飛淩關注基於複合半導體的新技術,擴展碳化矽和氮化镓領域的產品組合,尤其在碳化矽MOSFET產品方麵實現首次營收,這一關鍵技術的突破性進展為持續成功奠定基礎。
第三,英飛淩進一步實施“從產品思維到係統理解”戰zhan略lve。通tong過guo了le解jie客ke戶hu的de係xi統tong以yi及ji市shi場chang需xu求qiu,結jie合he自zi身shen在zai半ban導dao體ti領ling域yu的de專zhuan業ye知zhi識shi,給gei客ke戶hu提ti供gong理li想xiang的de係xi統tong解jie決jue方fang案an。比bi如ru,英ying飛fei淩ling攜xie手shou總zong部bu位wei於yu英ying國guo布bu裏li斯si托tuo爾er的deXMOS公(gong)司(si)推(tui)出(chu)一(yi)套(tao)全(quan)新(xin)解(jie)決(jue)方(fang)案(an),實(shi)現(xian)最(zui)優(you)的(de)智(zhi)能(neng)語(yu)音(yin)識(shi)別(bie)。雙(shuang)方(fang)的(de)戰(zhan)略(lve)合(he)作(zuo)幫(bang)助(zhu)英(ying)飛(fei)淩(ling)鞏(gong)固(gu)了(le)在(zai)這(zhe)個(ge)領(ling)域(yu)的(de)地(di)位(wei)。此(ci)外(wai),針(zhen)對(dui)工(gong)業(ye)設(she)備(bei)和(he)家(jia)用(yong)電(dian)器(qi)中(zhong)小(xiao)型(xing)電(dian)機(ji),英(ying)飛(fei)淩(ling)推(tui)出(chu)第(di)二(er)代(dai)數(shu)字(zi)電(dian)機(ji)控(kong)製(zhi)器(qi)平(ping)台(tai)iMOTION開發套件,該套件標配軟件,大大縮短了產品的上市時間,提升產品可靠性。
第四,英飛淩不斷創新。2017財年,英飛淩成功實現新一代後量子加密技術(PQC)在zai市shi售shou非fei接jie觸chu式shi安an全quan芯xin片pian上shang的de首shou次ci實shi施shi,意yi味wei著zhe在zai可ke對dui抗kang量liang子zi計ji算suan能neng力li的de加jia密mi領ling域yu,英ying飛fei淩ling處chu於yu領ling先xian地di位wei。與yu此ci同tong時shi,英ying飛fei淩ling積ji極ji參can與yu開kai發fa和he標biao準zhun化hua進jin程cheng,以yi應ying對dui在zai量liang子zi計ji算suan機ji出chu現xian時shi可ke能neng麵mian臨lin的de安an全quan挑tiao戰zhan,實shi現xian從cong現xian今jin的de安an全quan協xie議yi至zhi新xin一yi代daiPQC的平穩過渡。
據WSTS預計,全球半導體市場2018年增速達7.0%,從4,000億增長到4,370億,在中國,半導體市場增長與全球保持同步,增速超過19%。蘇華博士告訴21ic記者:“國家政策、資金支持以及創新應用成為驅動中國半導體增長的關鍵。
中國本身的半導體市場很大,但是自主生產創造的收益或者銷售相對較少,增長速度預測接近20%。中國政府給與了巨大的支持,國家集成電路產業投資基金,在2014年9月的時候第一期投入近1,400億人民幣,後來地方基金又吸收了5,000多億人民幣,支持力度空前巨大。現在國家大基金也在牽頭進行第二期,目標是1,500~2,000億人民幣。很多半導體芯片廠,如台積電、Global Foundries等,過去兩年在中國建設了很多12英寸、8英寸廠,中國半導體市場的發展是個熱點。” 中國半導體市場增速如此之高,給英飛淩帶來了巨大的機會。蘇華博士表示:“水漲船高,宏觀增長是很大的驅動力。目前,英飛淩中國業務已經超過全球總營收的1/4。相信這一比例還會持續增長。英飛淩全球的目標是業務穩定增長9%。根據過去的數據,展望未來,我相信中國業務可以持續至少兩位數的增長,比全球增長更快。”
中國業務兩位數的高增長具體從何而來?英飛淩汽車電子事業部、工業功率控製事業部、電源管理及多元化市場事業部及智能卡與安全事業部的負責人給出了答案。
yingfeilingqichedianzishiyebudazhonghuaqufuzerenxuhuijieshaoleqichedianzilingyudeshichangqudongli。shouxian,zidongjiashihuozhinengjiashiyijingchengweiredianzhongderedian。congjishujiaodujiang,redianshicongzhenzhengdegaojifuzhujiashidaozidongjiashideyanbian。ercongshengjidejiaodushanglaijiang,womennenggouzhenzhengzhinenghuliandelianjie,nenggouzhenzhengshixianL3部分自動駕駛的功能,會是今年的大熱門。
第di二er方fang麵mian就jiu是shi傳chuan統tong的de汽qi車che技ji術shu升sheng級ji,尤you其qi是shi與yu安an全quan和he舒shu適shi性xing相xiang關guan的de應ying用yong,伴ban隨sui中zhong國guo政zheng府fu一yi些xie政zheng策ce的de支zhi持chi和he延yan伸shen,會hui更geng快kuai的de推tui進jin。以yi胎tai壓ya監jian控kong為wei例li,由you於yu有you新xin政zheng策ce的de發fa布bu,未wei來lai三san年nian汽qi車che的de胎tai壓ya監jian控kong實shi現xian100%安裝。這類應用無疑會是近期的熱點。
第di三san方fang麵mian,隨sui著zhe越yue來lai越yue多duo的de非fei傳chuan統tong汽qi車che製zhi造zao廠chang商shang進jin入ru汽qi車che領ling域yu,汽qi車che行xing業ye湧yong現xian出chu很hen多duo創chuang新xin思si維wei的de。從cong這zhe個ge角jiao度du,傳chuan統tong的de汽qi車che行xing業ye會hui受shou到dao很hen大da的de影ying響xiang和he推tui進jin,2018年會是非常值得關注的一年。
據ju英ying飛fei淩ling工gong業ye功gong率lv控kong製zhi事shi業ye部bu中zhong國guo區qu負fu責ze人ren於yu代dai輝hui介jie紹shao,從cong工gong業ye功gong率lv控kong製zhi產chan品pin來lai看kan,特te別bie是shi從cong中zhong高gao功gong率lv的de功gong率lv器qi件jian來lai看kan,一yi個ge明ming顯xian的de熱re點dian就jiu是shi碳tan化hua矽gui。因yin為wei要yao不bu斷duan提ti高gao功gong率lv密mi度du,提ti高gao開關頻率,縮小係統的尺寸,碳化矽的發展已逐步成為主流。英飛淩在市場上一直是碳化矽技術的領導者。碳化矽的MOSFET有個難以解決的技術難題,就是平麵柵工藝的可靠性問題,我們分兩步走,第一步在2014年推出SiC JFET,避免了柵極問題,把功率高速開關帶入到SiC的新紀元,第二步是2016年以領先的技術推出溝槽柵的SiC MOSFET,bimianlezhajidedianchangyingli,meiyoulingrendanxindekekaoxingheshoumingwenti。zuoweixingyelingdaozhe,womenhuibuyiyuliditongshituijintanhuaguidechanpinjishuheyingyongjishu。
英飛淩電源管理及多元化市場事業部大中華區負責人潘大偉表示,2018年電源管理的應用不同以往之處在於智能化。傳統的電源管理正向更好的支持數據化轉變,熱門的應用包括雲計算、IoT、智能家居和物聯網等。另一個亮點就是新材料氮化镓。英飛淩新推出的CoolGaN係列能夠提高功率轉化的頻率,功率的密度非常高,是矽器件的10至100倍。
英ying飛fei淩ling智zhi能neng卡ka與yu安an全quan事shi業ye部bu大da中zhong華hua區qu負fu責ze人ren程cheng佳jia鈺yu介jie紹shao了le安an全quan芯xin片pian市shi場chang今jin年nian的de兩liang個ge熱re點dian。一yi個ge是shi銀yin行xing卡ka和he電dian話hua卡ka從cong傳chuan統tong走zou向xiang未wei來lai。銀yin行xing支zhi付fu已yi經jing有you越yue來lai越yue多duo采cai用yong基ji礎chu安an全quan芯xin片pian的de嚐chang試shi,同tong時shi也ye有you望wang出chu台tai相xiang關guan規gui範fan,讓rang消xiao費fei者zhe體ti驗yan移yi動dong支zhi付fu便bian利li性xing的de同tong時shi,保bao證zheng資zi金jin安an全quan。在zai移yi動dong通tong信xin方fang麵mian,政zheng府fu正zheng在zai大da規gui模mo推tui進jinNBIoT。NBIoT的推進將使物聯網的線卡能夠真正進入現實生活中。物聯網提供的萬物互連,應當是智能、安全的連接,NBIoT大熱的背後,正需要英飛淩的安全芯片作為保障。
zhanwangweilai,yingfeilingjiangjixuzhuanzhuyuguanjiandezengchangshichang,jianchichuangxin,bingjiezhuyuzaitanhuaguihedanhuajiajishulingyudebuduantupo,jinyibukuodachanpinzuhe,shixianxianjinjishuhechanpinzaizhurudiandongqiche、可再生能源、物聯網等新興領域的成功應用。
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