【導讀】zaiceshishezhizhongshiyongchangdianlanhuorongxingkapanshi

，ceshiyiqishuchudedianronghuitigao，daozhiceliangbuzhunquehuobuwending，youqishifeichanglingminderuodianceliang，yinweitatongshihaiyaotigonghuosaomiaoDC電壓。為解決這些挑戰
，泰克科技旗下公司吉時利為Keithley 4200A-SCS推出了兩種新的源測量單元(SMU)模塊，即使在高測試連接電容的應用中
，仍能進行穩定的弱電測量。

由於設計人員不斷降低電流電平以節約能源
，這個測量挑戰正不斷增長

，大型LCD麵板測試正是這種情況，這些麵板最終將用於智能手機或平板電腦中。可能存在高電容測試連接問題的其他應用包括：卡盤上的納米FET I-V測量
，采用長電纜的MOSFET的傳遞特點
，通過開關矩陣的FET測試，電容器泄漏測量。

支持的電容提高了1000倍

與其他靈敏的SMU相比，新推出的Keithley 4201-SMU中等功率SMU和4211-SMU高功率SMU (選配4200-PA前置放大器)大幅度提高了最大負載電容指標。在支持的最低電流範圍上，4201-SMU和4211-SMU可以供電和測量的係統電容要比當今係統高1,000倍。例如，如果電流電平在1 ~ 100 pA之間，那麼吉時利模塊可以處理最高1 µF (微法拉)的負載。相比之下
，最大負載電容競品在這種電流電平下
，在測量準確度劣化前隻能容忍1,000 pF。

zheliangzhongxinmokuaiweimianlinzhexiewentidekehutigonglezhongyaojiejuefangan，jieshengleyuanlaidetiaoshishijian，jieyuelezhongxinpeizhiceshishezhiyixiaochuewaidianrongdefeiyong。zaiceshigongchengshihuokeyanrenyuanzhuyidaoceliangcuowushi，tamenshouxianbixuzhaodaocuowulaiyuan。zhebenshenjiuyaohuafeishuxiaoshidegongzuo

，tamentongchangbixukaochaxuduokenengdelaiyuan，ranhoucainengsuoxiaofanwei。yidanfaxianceliangcuowuyuanzixitongdianrong
，nametamenbixutiaojieceshicanshu、電纜長度，甚至重新安排測試設置。這離理想狀態相去甚遠。

那麼最新SMU模塊在實踐中是怎樣工作的呢？我們看一下平板顯示器和納米FET研究中的幾個關鍵應用。

實例1：平板顯示器上的OLED像素驅動器電路

OLED像素驅動器電路印刷在平板顯示器上OLED器件旁邊。為測量其DC特點，通常會通過開關矩陣把它連接到SMU上，然後再使用12-16米長的三同軸電纜連接到LCD探測站上。由於連接需要非常長的電纜，所以弱電測量不穩定很常見。在使用傳統SMU連接DUT（如下圖所示）進行測量時，這種不穩定性在OLED驅動器電路的兩條I-V曲線，也就是飽和曲線(橙色曲線)和線性曲線(藍色曲線)中立顯。

使用傳統SMU測量的OLED的飽和和線性I-V曲線。

但是，在使用4211-SMU在DUT的漏極端子上重複這些I-V測量時，I-V曲線是穩定的，如下圖所示，問題解決了。

使用吉時利最新4211-SMUs測得的OLED的飽和和線性I-V曲線。

實例2：擁有公共柵極和卡盤電容的納米FET

納米FETs和2D FETs測試需要使用一個器件端子
，通過探測站卡盤接觸SMU。卡(ka)盤(pan)的(de)電(dian)容(rong)可(ke)能(neng)高(gao)達(da)幾(ji)毫(hao)微(wei)法(fa)拉(la)
，在(zai)某(mou)些(xie)情(qing)況(kuang)下(xia)，可(ke)能(neng)必(bi)需(xu)在(zai)卡(ka)盤(pan)頂(ding)部(bu)使(shi)用(yong)傳(chuan)導(dao)連(lian)接(jie)盤(pan)來(lai)接(jie)觸(chu)柵(zha)極(ji)。同(tong)軸(zhou)電(dian)纜(lan)增(zeng)加(jia)了(le)額(e)外(wai)的(de)電(dian)容(rong)。為(wei)評(ping)估(gu)最(zui)新(xin)SMU模塊，我們把兩個傳統SMU連接到2D FET的柵極和漏極，得到有噪聲的Id-Vg磁滯曲線，如下圖所示。

使用傳統SMUs測得的2D FET的有噪聲的Id-Vg磁滯曲線。

但是，在我們把兩台4211-SMUs連接到同一器件的柵極和漏極時，得到的磁滯曲線是平滑穩定的，如下圖所示
，解決了研究人員一直要解決的主要問題。

使用兩個4211-SMUs測得的平滑穩定的Id-Vg磁滯曲線。

4201-SMU和4211-SMU既可以在訂購時預先配置到4200A-SCS中
，提供全麵的參數分析解決方案
；yekeyizaixianyoudanyuanzhongxianchangshengji。shengjikeyizaixianchangjianbianwancheng，wuxubayiqisonghuifuwuzhongxin，congerjieyuejizhoudezhongduanshijian。ruxugengduoxinxi，jingqingfangwen：https://www.tek.com/keithley-4200a-scs-parameter-analyzer

關於泰克科技

泰克公司總部位於美國俄勒岡州畢佛頓市，致力提供創新、精確、操作簡便的測試、測量和監測解決方案，解決各種問題，釋放洞察力，推動創新能力。70多年來，泰克一直走在數字時代前沿。歡迎加入我們的創新之旅
，敬請登錄：tek.com.cn

作者：泰克科技技術大咖

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在於傳遞更多信息
，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯係小編進行處理。

推薦閱讀：

什麼是皮帶傳動一體化起動/發電機或集成式一體化啟動/發電電機？

在儲能電池管理係統中較大限度地提高電池監控精度和數據完整性

電池堆棧監控器大幅提高混合動力汽車和電動汽車的鋰離子電池性能

5V至140V寬輸入產生12V、200mA偏置電源

汽車攝像頭接口技術挑戰和解決方案