士蘭明芯高亮度紅光LED進入批量生產
發布時間:2009-08-01
產品特性:
高亮度紅光LED芯片是一種亮度高、可靠性好的發光器件。相對於普通結構的紅光LED芯片,高亮度紅光芯片采用鍵合工藝實現襯底置換,用到熱性能好的矽襯底(矽的熱導率約為1.5W/K.cm)代替砷化镓襯底(砷化镓的熱導率約為0.8W/K.cm),芯片具有更低熱阻值,散熱性能更好,有利於提高可靠性。另外,在P-GaP上鍍反射層,比普通紅光外延層中生長DBRfanshejingchuguangxiaolvgenggao。weilekefuguangzaixinpianyufengzhuangcailiaojiemianchudequanfansheerjiangdiquguangxiaolv,haizaixinpianzhizuoyixiebiaomianwenlijiegou。xiangtongchicunxiangtongbochangdexinpian,20mA電流下,兩者光強相差兩倍以上,圖-1是高亮度紅光芯片剖麵示意圖。圖-2是芯片實物圖片.

圖-1 高亮度紅光芯片剖麵示意圖

圖-2 高亮度紅光芯片
高亮度紅光LED芯片因為本身發光效率高、可靠性好,主要應用於對亮度、可靠性要求較高的場合,比如幕牆屏幕、液晶顯示屏LED背光源等領域。之前由於普通紅光LED芯片亮度不夠,在由紅(R)綠(G)藍(B)組成的一個全色模組中通常的構成是一顆藍光芯片、一顆綠光芯片、兩顆普通紅光芯片。現在若使用高亮度紅光芯片則一顆就可滿足要求,而且可靠性高,維護成本明顯降低。
目mu前qian市shi場chang上shang較jiao多duo的de是shi普pu通tong結jie構gou的de紅hong光guang芯xin片pian,價jia格ge已yi經jing很hen低di,利li潤run空kong間jian很hen小xiao。高gao亮liang度du紅hong光guang芯xin片pian有you較jiao大da的de市shi場chang需xu求qiu,由you於yu在zai製zhi造zao技ji術shu上shang有you一yi定ding的de難nan度du,目mu前qian隻zhi有you少shao數shu幾ji家jia公gong司si能neng批pi量liang供gong貨huo,產chan品pin的de性xing價jia比bi較jiao高gao。
2008年底士蘭明芯科技有限公司開始開發高亮度紅光芯片,技術團隊不斷調整試驗方案、優化工藝參數,使不同熱膨脹係數材料之間的金屬鍵合工藝窗口更寬,鍵合良率和可靠性得到保障。
金屬反光特性一直是影響紅光芯片亮度的一個主要因素,通過大量試驗,已經徹底解決了這一問題。
faguangerjiguandedianjihejintiaojianbuheshihuidaozhijinsijianheshidianjituoluo,duiyugaoliangduhongguangxinpianeryan,dianjihejindegongyiyaoqiugenggao。weilejiejuehaodianjihehongguangwaiyancengzhanfuxingwenti,shilanmingxindejishutuanduizaibiaomianchuli、合金層結構、合金條件做了大量試驗和重複驗證工作,克服了電極容易脫落這一難題。
士蘭明芯高亮度紅光芯片的各項參數指標已達到先進的水平,2009年7月份進入批量生產。現在生產的芯片尺寸規格有280um×280um、350um×350um兩種。
士蘭明芯藍、綠光LEDxinpiandekehuyizhiyilaixiwangshilanmingxinnengtigonggaoliangduhongguangxinpianyiweitamendequansemozupeitao,jiangfangbiantamendecaigouhezhiliangguanli。duishilanmingxinlaishuo,gaoliangduhongguangxinpiandetuichuchulezengjiayigexindechanpinxiliewai,yejiangyouliyukuodaxianyoulan、綠光芯片的銷售。
- 不同熱膨脹係數材料之間的金屬鍵合工藝窗口更寬,鍵合良率和可靠性得到保障
- 尺寸規格有280um×280um、350um×350um兩種
- 徹底解決了金屬反光特性這一問題
- 幕牆屏幕、液晶顯示屏LED背光源等領域
高亮度紅光LED芯片是一種亮度高、可靠性好的發光器件。相對於普通結構的紅光LED芯片,高亮度紅光芯片采用鍵合工藝實現襯底置換,用到熱性能好的矽襯底(矽的熱導率約為1.5W/K.cm)代替砷化镓襯底(砷化镓的熱導率約為0.8W/K.cm),芯片具有更低熱阻值,散熱性能更好,有利於提高可靠性。另外,在P-GaP上鍍反射層,比普通紅光外延層中生長DBRfanshejingchuguangxiaolvgenggao。weilekefuguangzaixinpianyufengzhuangcailiaojiemianchudequanfansheerjiangdiquguangxiaolv,haizaixinpianzhizuoyixiebiaomianwenlijiegou。xiangtongchicunxiangtongbochangdexinpian,20mA電流下,兩者光強相差兩倍以上,圖-1是高亮度紅光芯片剖麵示意圖。圖-2是芯片實物圖片.

圖-1 高亮度紅光芯片剖麵示意圖

圖-2 高亮度紅光芯片
高亮度紅光LED芯片因為本身發光效率高、可靠性好,主要應用於對亮度、可靠性要求較高的場合,比如幕牆屏幕、液晶顯示屏LED背光源等領域。之前由於普通紅光LED芯片亮度不夠,在由紅(R)綠(G)藍(B)組成的一個全色模組中通常的構成是一顆藍光芯片、一顆綠光芯片、兩顆普通紅光芯片。現在若使用高亮度紅光芯片則一顆就可滿足要求,而且可靠性高,維護成本明顯降低。
目mu前qian市shi場chang上shang較jiao多duo的de是shi普pu通tong結jie構gou的de紅hong光guang芯xin片pian,價jia格ge已yi經jing很hen低di,利li潤run空kong間jian很hen小xiao。高gao亮liang度du紅hong光guang芯xin片pian有you較jiao大da的de市shi場chang需xu求qiu,由you於yu在zai製zhi造zao技ji術shu上shang有you一yi定ding的de難nan度du,目mu前qian隻zhi有you少shao數shu幾ji家jia公gong司si能neng批pi量liang供gong貨huo,產chan品pin的de性xing價jia比bi較jiao高gao。
2008年底士蘭明芯科技有限公司開始開發高亮度紅光芯片,技術團隊不斷調整試驗方案、優化工藝參數,使不同熱膨脹係數材料之間的金屬鍵合工藝窗口更寬,鍵合良率和可靠性得到保障。
金屬反光特性一直是影響紅光芯片亮度的一個主要因素,通過大量試驗,已經徹底解決了這一問題。
faguangerjiguandedianjihejintiaojianbuheshihuidaozhijinsijianheshidianjituoluo,duiyugaoliangduhongguangxinpianeryan,dianjihejindegongyiyaoqiugenggao。weilejiejuehaodianjihehongguangwaiyancengzhanfuxingwenti,shilanmingxindejishutuanduizaibiaomianchuli、合金層結構、合金條件做了大量試驗和重複驗證工作,克服了電極容易脫落這一難題。
士蘭明芯高亮度紅光芯片的各項參數指標已達到先進的水平,2009年7月份進入批量生產。現在生產的芯片尺寸規格有280um×280um、350um×350um兩種。
士蘭明芯藍、綠光LEDxinpiandekehuyizhiyilaixiwangshilanmingxinnengtigonggaoliangduhongguangxinpianyiweitamendequansemozupeitao,jiangfangbiantamendecaigouhezhiliangguanli。duishilanmingxinlaishuo,gaoliangduhongguangxinpiandetuichuchulezengjiayigexindechanpinxiliewai,yejiangyouliyukuodaxianyoulan、綠光芯片的銷售。
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