中心議題:

• 探究3G手機顯示屏和照相機模塊的ESD保護
• 接口設計將麵臨更嚴重的ESD、EMI問題

解決方案:

• 開發了高速串行總量技術

• 采用意法半導體(ST)的方案

豐富多媒體業務推動3G手機中LCD顯xian示shi屏ping和he照zhao相xiang機ji的de分fen辨bian率lv走zou上shang一yi個ge又you一yi個ge新xin台tai階jie。不bu過guo，將jiang顯xian示shi屏ping和he照zhao相xiang模mo塊kuai連lian接jie到dao基ji帶dai電dian路lu或huo者zhe多duo媒mei體ti處chu理li器qi之zhi間jian的de接jie口kou設she計ji將jiang麵mian臨lin更geng嚴yan重zhong的deESD、EMI問題。下麵討論的來自意法半導體(ST)的方案將有助於解決這個問題。

為解決這些問題，有些顯示器廠商
、半導體廠商和相機模塊廠商都開發了高速串行總量技術來幫助設計工程師從繁雜的並行總線設計中解脫出來。

根據串行總線的信號傳輸速度選擇TVS二極管是設計高效ESD保護功能的關鍵之一。基本上，信號的數據傳輸速率越高，ESD保護二極管的電容就要求越低。因此，必須把保護組件在電流信號上產生的幹擾降至最低。這與TVS二極管的寄生電容有直接的關聯。

兩(liang)條(tiao)數(shu)據(ju)線(xian)路(lu)之(zhi)間(jian)的(de)差(cha)分(fen)電(dian)容(rong)均(jun)衡(heng)性(xing)是(shi)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)必(bi)須(xu)考(kao)慮(lv)的(de)另(ling)一(yi)個(ge)特(te)性(xing)。因(yin)此(ci)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)可(ke)以(yi)給(gei)電(dian)容(rong)參(can)數(shu)差(cha)量(liang)極(ji)小(xiao)的(de)數(shu)據(ju)線(xian)路(lu)設(she)計(ji)極(ji)其(qi)相(xiang)似(si)的(de)組(zu)件(jian)。這(zhe)是(shi)矽(gui)二(er)極(ji)管(guan)的(de)一(yi)個(ge)十(shi)分(fen)顯(xian)著(zhu)的(de)優(you)點(dian)，因(yin)為(wei)變(bian)阻(zu)器(qi)的(de)電(dian)容(rong)偏(pian)差(cha)大(da)約(yue)10%到20%。
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在某情況下，ESD問題並不是工程師要解決的唯一問題。因為手機發射和傳送RF信號時

，很多電子組件受到RF輻射，因此
，必須抑製RF輻射以保護正常的工作。甚至在某些情況下，某些IC自己也會產生RF輻射以及射頻幹擾。

LCD或相機模塊都會容易受到脈衝的攻擊，產生能夠聽見的噪聲或可以看見的屏幕抖動。這就是在設計手機時強烈推薦EMI濾波器的原因。在某種意義上，EMI輻射抑製已成為下一代手機如多頻手機或3G手機的關鍵問題，因為現有解決方案即將達到技術極限。